Теоретическое описание спектральных интенсивностей "запрещенных" брэгговских рефлексов в области аномального рассеяния

• Автор: Кривицкий, Евгений Владиславович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Ростов-на-Дону
• Количество страниц: 121 с. : ил.

1 Теория спектров аномального рассеяния
1.1 Теоретическое описание процесса упругого рассеяния рентегновского излучения атомами в веществе
1.2. Расчет компонент тензора АФР вблизи краев поглощения
остовных атомных уровней в формализме функций Грина в рамках тиШп-йп приближения для потенциала
2. Исследование частотных зависимостей интенсивности запрещенных рефлексов вблизи К-краев поглощения атомов металлов в кристаллах со структурой пирита
2.1 Рентгенодифракционные исследования в области аномального
рассеяния
2.2. Расчет спектральной интенсивности «запрещенных» рефлексов
вблизи К-краев поглощения атомов металлов в пиритах
3. Исследование особенностей формирования спектральных зависимостей брэгговских «запрещенлных» рефлексов вблизи К-края поглощения атома титана в криталле ТЮг- рутил
3.1 Модель МТ кристаллического потенциала для расчета рентгеновских спектров поглощения и рассеяния в кристалле рутила
3.2 Структурная амплитуда рассеяния в кристалле рутила в области
аномального рассеяния; возникновение «запрещенных» рефлексов; дипольный и квадрупольный механизмы снятия запрета
3.3 Расчет спектральной интенсивности для «запрещенного»
рефлекса 001 и сопоставление с экспериментом
4. Исследование механизмов формирования «запрещенных рефлексов» в кристаллическом германии в области аномального рассеяния

4.1. Снятие запрета на возникновение брэгговских рефлексов, запрещенных в области нормального рассеяния, за счет
тепловых колебаний атомов
4.2 Вклад в интенсивность «запрещенных» рефлексов в германии за
счет процессов диполь-квадрупольного рассеяния
4.3. Расчет спектральной интенсивности «запрещенных» рефлексов
в германии
4.4 Обсуждение результатов
Заключение
Публикации по теме диссертации
Литература

Актуальность темы. За последние годы существенно возрос интерес к теоретическому и экспериментальному исследованию процессов рассеяния рентгеновского излучения в веществе, происходящих в условиях, когда энергии рентгеновских квантов близки к энергии ионизации одного из остовных атомных уровней. [1-4] О таких процессах говорят как о процессах аномального или резонансного рассеяния. Причина роста интереса к этим процессам двояка. Во-первых, исследуя их, можно получать дополнительную информацию об атомной и электронной структуре вещества, во-вторых, за последние десятилетия появились новые высокоинтенсивные источники синхротронно-го рентгеновского излучения - электронные накопители третьего поколения, позволяющие получать недоступные ранее экспериментальные данные.
При описании процессов упругого рассеяния рентгеновских лучей в конденсированных средах в области нормального рассеяния амплитуда атомного рассеяния может быть с хорошей точностью найдена в приближении свободного атома. В этой области частот необходимо лишь ввести небольшие поправки, обусловленные разницей между суперпозицией электронных плотностей свободных атомов и реальной электронной плотностью в веществе. Напротив, в области аномального рассеяния атомная амплитуда рассеяния может в существенной степени зависеть от геометрии ближнего окружения рассеивающих атомов, как это, например, имеет место для сечения рентгеновского поглощения в околопороговых областях спектра [5]. Известно, что последнее явление объясняется интерференцией фотоэлектронных волн, рассеивающихся на ближнем окружении поглощающего атома. В случае процессов упругого рассеяния рентгеновских квантов реальные фотоэлектроны на конечной стадии процесса отсутствуют, однако, в промежуточном состоянии процесса рассеяния образуются виртуальные фотоэлектроны. Вследствие их взаимодействия с атомами, окружающими рассеивающий, атомная амплитуда упругого рассеяния рентгеновских квантов в кристалле в
энергия фотоэлектрона (е/)
7100 7120 7140 7160
энергия фотона (е/)
Рис. 2.4 Действительная (кривые 3,4) и мнимая (1,2) части амплитуд Л (сплошная линия) и /^(пунктир).