Медленные процессы релаксации поляризации в неупорядоченных сегнетоэлектриках и родственных материалах

• Автор: Бурханов, Анвер Идрисович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Волгоград
• Количество страниц: 307 с. : ил.

ГЛАВА I. РЕЛАКСОРНЫЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ (РСЭ). ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА И НЕКОТОРЫЕ МОДЕЛИ, ОПИСЫВАЮЩИЕ ПРОЦЕССЫ РЕЛАКСАЦИИ ПОЛЯРИЗАЦИИ В ОБЛАСТИ РАЗМЫТОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В РСЭ

1.1. Особенности макроскопических свойств релаксоров

1.2. Исследования микроструктурных характеристик РСЭ

1.2.1. Рентгенографический анализ

1.2.2. Высокоразрешающая электронная микроскопия (ВРЭМ)

1.3. Модельные представления РСЭ

1.3.1. Модель флуктуации состава (модель Исупова В.А.-Смоленского Г.А.)

1.3.2. Другие модели, основанные на представлении о

флуктуации состава в РСЭ

1.3.2.1. Модель суперпараэлектрического состояния

1.3.2.2. Модель дипольного и спинового стекла

1.3.2.3. Модель случайного поля
1.3.2.4. Модель колебания фазовых границ
1.4. Долговременные релаксационные процессы в СЭ
и родственных материалах
1.4.1. Процессы диэлектрического старения в СЭ
1.4.2. Долговременная релаксация в РСЭ и
сегнетоэлектриках с несоразмерной фазой (НСФ)
1.4.2.1. Долговременная релаксация в РСЭ
1.4.2.2. Изменение физических свойств со временем в области несоразмерной фазы
1.5. Краткие выводы по обзорной главе

ГЛАВА 2. ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ АППАРАТУРА, МЕТОДИКА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ И ПОДГОТОВКИ ОБРАЗЦОВ
2.1. Экспериментальные установки по измерению диэлектрического отклика материала при различных частотах и амплитудах измерительного поля
2.2. Методики измерения временных зависимостей диэлектрических параметров материалов
2.3. Методика измерений токов
2.4. Образцы
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРЕДЫСТОРИИ НА НИЗКО- И ИНФРАНИЗКОЧАСТОТНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК РЕЛАКСОРНЫХ СЕГНЕТОКЕРАМИК НА ОСНОВЕ ЦТС
3.1. Кинетика диэлектрического отклика сегнетокерамики ЦТСЛ в различных временных интервалах выдержки образца при температурах соответствующих размытому фазовому переходу
3.1.2. Влияние выдержки образца на поведение температурных зависимостей диэлектрических параметров и токов поляризации (деполяризации) в сегнетокерамике
ЦТСЛ -8/65/35+0.1 Ей
3.2. Эффекты диэлектрической памяти в сегнетокерамике
ЦТСЛ-х/65/35
3.2.1. Обсуждение эффектов термической памяти в ЦТСЛ
3.3. Реверсивная диэлектрическая проницаемость и петли
поляризации в сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35
3.4. Подобия и отличия в проявлении релаксорных свойств многокомпонентной сегнетопьезокерамики на основе

ЦТС (МКСПК) и модельного релаксора ЦТСЛ
3.4.1. Поведение НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика МКСПК в слабых измерительных полях до и после воздействия смещающего поля
3.4.2. Реверсивные зависимости и петли поляризации в МКСПК в широкой области температур
3.5. Выводы
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ И МЕХАНИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ПРОЦЕССЫ РЕЛАКСАЦИИ
• ПОЛЯРИЗАЦИИ В СЕГНЕТОКЕРАМИКЕ ЦТСЛ-Х/65/35
4.1. Особенности температурного поведения НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика в облученной сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35
4.2. Влияние различных типов облучения на поведение петель поляризации в сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35
4.3. Временная зависимость диэлектрических параметров в
облученной сегнетокерамики ЦТСЛ-х/65/35
4.3.1. Изменение характера дисперсии а* при длительной изотермической
выдержке ГН-облученного образца ЦТСЛ-8/65/35
4.3.2. Проявление эффектов термической и полевой памяти в

облученных образцах ЦТСЛ-х/65/35
4.4. Влияние давления на процессы релаксации поляризации в ЦТСЛ-х/65/35 (эффекты механической памяти)
4.4.1. Влияние постоянного электрического поля на проявление эффекта механической памяти
4.4.2. Проявление эффекта полевой памяти в сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35 при различной механической предыстории
материала
4.5. Выводы

экспериментальном изучении системы PMN-10PT в [98] было получено выражение для у'(с) в виде :
7С(е) = хГ (е) + fc'OV + Хз’ОУ (1.24)
что отличается от (1.23) и это отличие авторы [96] связывают с, возможно, недостаточной точностью эксперимента и в заключении отмечают, что для прояснения вопросов касающихся точных значений вклада коротко - и дальнодействующих параметров порядка в какие-либо особенности РСЭ необходимы дополнительные как экспериментальные, так и теоретические исследования подобных систем.
1.З.2.4. Модель колебания фазовых границ
Одними из таких дополнительных экспериментальных исследований ( в пожелании которых высказывались авторы [96]) могут являться работы Таганцева А.К. и Глазунова А.Е. [99-102], где, в частности, было показано , что в релаксорах температура Тт понижается не только с уменьшением частоты измерительного поля , но и с увеличением амплитуды данного поля. На основе таких экспериментальных данных авторами [99-102] предлагаются свои подходы к объяснению особых свойств РСЭ.
Например, при описании полученных в [99-102] результатов, по

влиянию амплитуды как переменного, так и постоянного поля на диэлектрический отклик системы PMN, была предложена, так называемая, модель "дышащих" или вибрирующих межфазных границ -"Breathing" model [102]). Основным положением данной модели является утверждение о том, что вклад в s', в области эргодической фазы PMN связан с осцилляцией (вибрацией) межфазных границ. То есть, более вероятным, с точки зрения авторов [99-102], является срыв (depinning) фазовой границы, чем переориентация ПНО при воздействии переменного поля Еа в области