Атомные процессы на поверхностях Si при адсорбции Au, Ag, Pb, Cu

• Автор: Жачук, Руслан Анатольевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 214 с. : ил.

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
МС - монослой
RT - комнатная температура (Room Temperature)
SBZ - зона Бриллюэна поверхности (Surface Brillouin Zone)
FWHM - ширина рефлекса на полувысоте (Full Width of Half Maximum)
CTM - сканирующая туннельная микроскопия ЭОС - электронная оже-спектроскопия ДМЭ - дифракция медленных электронов
ДМЭ-АПР - дифракция медленных электронов с анализом профилей рефлексов (SPA-LEED, Spot Profile Analysing Low Energy Electron Diffraction)

Глава 1. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
ПОВЕРХНОСТИ
1.1. Дифракция медленных электронов
1.1.1. Поверхностная чувствительность метода
1.1.2. Кинематическое приближение
1.1.3. Когерентная длина электронов
1.1.4. Влияние дефектов поверхности на вид дифракционных картин
ПАЛ. Домены поверхностной структуры
1.1.4.2. Регулярные ступени
1.1.4.3. Фасеточные плоскости
1.1.5. Аппаратура ДМЭ
1.1.6. Аппаратура ДМЭ-АПР
1.2. Сканирующая туннельная микроскопия
1.2.1. Физические основы метода сканирующей туннельной микроскопии
1.2.2. Конструкция сканирующего туннельного микроскопа
1.2.3. Подготовка иглы
1.3. Электронная оже-спектроскопия
1.3.1. Физические основы метода электронной оже-спектроскопии
1.3.2. Устройство установки ЭОС
1.3.3. Количественный анализ методом ЭОС
Глава 2. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
2.1. Поверхностные структуры на кремнии
2.1.1. Обозначения поверхностных структур
2.1.2. Поверхностные структуры чистых граней кремния
2.1.2.1. Структура поверхности 81(111)
2.1.2.2. Структура поверхности 81(100)
2.1.2.3. Структуры поверхностей 81(110), 81(331) и 81(113)

2.1.3. Поверхностные структуры, индуцирумые адсорбцией <4, атомов металлов
2.1.3.1. Обозначения мест адсорбции на грани Si(l 11)
2.1.3.2. Поверхностные структуры, индуцируемые Ag
на поверхности Si(l 11)
2.1.3.3. Поверхностные структуры, индуцируемые Аи
на поверхности Si(l 11)
2.1.3.4. Поверхностные структуры, индуцируемые РЬ
^ на поверхностях Si(l 11), Si(100) и Si(l 10)
2.1.3.5. Поверхностные структуры, индуцируемые Си
на поверхностях Si(l 11), Si(100) и Si( 110)
2.2. Морфология поверхности
2.2.1. Равновесная форма кристалла (РФК) и классификация поверхностей
2.2.2. Температурная зависимость РФК
2.2.3. Влияние адсорбции примесей на РФК
2.2.4. Чистые вицинальные поверхности Si(l 11)
2.2.5. Эпитаксиальный рост
2.2.6. Рост Ag на Si(l 11)
2.3. Процедура подготовки образцов
2.4. Калибровка источников металлов
Глава 3. ВЛИЯНИЕ АДСОРБЦИИ АТОМОВ Аи И Ag НА СТРУКТУРУ
И МОРФОЛОГИЮ ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ Si(l 11)
3.1. Некоторые вопросы применения ДМЭ-АПР для анализа
структуры поверхности
3.1.1. Программное обеспечение для моделирования
дифракционных картин
3.1.2. Определение среднего расстояния между фасеточными
плоскостями с помощью ДМЭ-АПР
3.2. Влияние адсорбции атомов Аи на структуру и морфологию вицинальной поверхности Si(l 11), отклоненной в направлении [112]

Рис. 1.17. Двухступенчатая система виброизоляции СТМ.
10 в

электронный
Рис. 1.18. Схема ячейки для электрохимического травления вольфрамовых игл.