Электронная, атомно-кристаллическая структура и физико-химические процессы на поверхности соединений редкоземельных элементов

• Автор: Ионов, Андрей Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 445 с. : ил.

These elements perplex us in our rearches [sic], baffle us in our speculations, and haunt us in our very dreams. They stretch like an unknown sea before us - mocking, mystifying, and murmuring strange revelations and possibilities.
Sir William Crookes (February 16,1887)
Введение. Общая характеристика работы
Глава 1. Электронная структура и физико-химические явления на поверхности соединений редкоземельных элементов (общее состояние и проблемы)
Глава 2. Методы исследований и аппаратура для изучения электронной и атомной структуры соединений РЗМ
2.1. Принципы методов электронной спектроскопии, применяемых для анализа поверхности соединений РЗЭ
2.1.1 Фотоэмиссия и фотоэлектронная спектроскопия
2.1.1.1 Принципы фотоэмиссии 3
2.1.1.2 Рентгеновская и ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия
2.1.1.3 Резонансная фотоэлектронная спектроскопия
2.1.1.4 Спин-поляризованная фотоэмиссионная спектроскопия
2.1.2 Оже-электронная спектроскопия
2.1.3 Спектроскопия характеристических потерь энергии электронов
2.1.4 Дифракция медленных электронов
2.2. Экспериментальная аппаратура и объекты исследований
2.2.1. Электронные спектрометры
2.2.2. Низкотемпературные сверхвысоковакуумные
криоманипуляторы электронных спектрометров - разработка и конструкция
2.1.3. Способы приготовления и методики получения атомночистых поверхностей соединений РЗЭ
2.3. Выводы по главе 2

Глава 3. Исследование атомной и электронной структуры и физикохимических процессов на поверхности двойных халькогенидов РЗЭ (магнитных полупроводников и квазиметаллов)
3.1 Магнитные полупроводники монохалькогениды европия (обзор физических свойств)
3.2 Исследование поверхности ЕиХ (обзор литературы)
3.3. Дифракционные исследования атомной структуры поверхности монохалькогенидов европия ЕиО(ЮО), Еи8(100), Еи8е(100), ЕиТе(ЮО)
3.4 Дифракция медленных электронов на поверхности антиферромагнитного ЕиТе вблизи температуры Нееля
3.5. Электронная структура заполненных состояний и электрон-электронные возбуждения в халькогенидах РЗЭ
3.5.1 Фотоэлектронные исследования структуры валентной зоны и остовных уровней
3.5.2 Спектры электронных возбуждений в халькогенидах

3.5.2.1 Оже-электронная спектроскопия поверхности халькогенидов РЗЭ
3.5.2.2 Коллективные и одночастичные электронные возбуждения в халькогенидах РЗЭ: спектроскопия
характеристических потерь энергии электронов
3.6 Метастабильность поверхности и двухвалентного состояния иона Ей в монооксиде европия ЕиО
3.7 Электронная структура квазиметаллических халькогенидных соединений гадолиния
3.7. Выводы по главе 3

случае когда электронная вакансия заполняется электроном той же оболочки, процесс называется переходом Костера-Кронига.
Valence band

^Density " of states
'«fit*:

Auger
kl,l2
(a)
Auger Cosier-Kronig
L,MjM, L,L2M,
(b) (c)
AugerlSolid ) L,VV
Id)
Рис.2.9 Схема классификации Оже-электронных переходов [14].
Спектры Оже-электронов зарегистрированы для всех элементов периодической системы с Ъ> 2, кроме того, существуют расчетные методы определения энергии Оже-перехода, - теоретические, полуэмпирические и эмпирические, которые обеспечивают хорошее совпадение экспериментальных значений с расчетными.
Высокая чувствительность ЭОС к состоянию поверхности (как и методов ФЭС) обусловлена малой средней длиной пробега Оже-электронов с малой энергией. Глубина выхода X определяется потерями энергии электронами, в основном, при электрон-электронных столкновениях.
Оже-электроны на кривых энергораспределения вторичных электронов проявляются в виде небольших пиков, поэтому общепринятым является регистрация и измерение Оже-пиков по дифференцированным кривым энергораспределения, где Оже-пики проявляются более отчетливо. Положение Оже-пика определяют по положению минимума на дифференцированной кривой энергораспределения.