Фазовые равновесия и электронно-оптические свойства систем T1B3C62-A1B3C62 (A - Cu, Ag; B - In, Ga; C - S,Se2)

• Автор: Матиев, Ахмет Хасанович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Магас
• Количество страниц: 399 с. : ил.

ВЫЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ
Т1В3С‘ и А‘В3С62
§1.1. Физико-химические особенности полупроводниковых
фаз Т1В3С2 и А'ВэС2
§ 1.2. Кристаллическая структура и характер химической связи
в соединениях Т1В3С62и А*В3С2
1.2.1. Структура соединений Т1В3С2
1.2.2. Структура соединений А*В3С2
§ 1.3. Обзор физических свойств соединений типа
Т1В3С‘ и А‘В3С‘
1.3.1. Соединения типа Т1В3С2
1.3.2. Соединения типа А'В^з
1.3.3. Заключение и постановка задач
ГЛАВА II. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ И ВЫРАЩИВАНИЕ
МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФАЗ
СИСТЕМ Т1В3С62 - А'В3С62
§2.1. Синтез соединений Т1В3С62 и А'В3Сб2
§ 2.2. Методика исследования фазовых равновесий
в системах Т1В3С62 - А'В3С62
§ 2.3. Фазовые равновесия в системах
ТПпБег - Си1п8е2 и Т11п8е2 -А§1п8е2
§ 2.4. Фазовые равновесия в системах
ТЮа8е2 - СгЮаЗег и Т11п82 - Си1п82
§ 2.5. Выращивание монокристаллов Т1В3С62 и А'В3С6г
и твердых растворов на их основе
§ 2.6. Выводы к главе II
ГЛАВА III. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ
Т1,.хСихОа8е2 (0<Х<0,02) и /?-Т1,.хСих1п8(0<Х<0,015)
§ 3.1. Краткие теоретические представления модуляционных
методик исследования оптических спектров полупроводников
§ 3.2. Экспериментальная установка для исследовании поглощения, отражения и фотопроводимости полупроводников
стационарным модуляционным методами
§ 3.3. Структура края собственной полосы поглощения
монокристаллов Д-Т1(.хСих1п82(0<Х<0,015)
3.3.1. Формирование края собственного поглощения монокристаллов /?-ТПп8г
3.3.2. Особенности дифференциальных спектров поглощения и отражения монокристаллов/?-Т11п82
3.3.3. Формирование края собственного поглощения монокристаллов твердых растворов
£-Т1,.хСих1п82 (0<Х<0,015)
§ 3.4. Структура края собственной полосы поглощения
монокристаллов Т11.хСихСа8е2 (0<Х<0,02)
3.4.1. Формирование края собственного поглощения монокристаллов ТКЗа8е2
3.4.2. Край собственной полосы поглощения монокристаллов Т1].хСихОа8е2 (0<Х<0,02)
§ 3.5. Межзонные переходы в ТЮа8е2 и /?-ТНп82
§ 3.6. Дисперсия у края полосы собственного поглощения
соединений ТЮа8е2 и /?-Т11п82
§ 3.7. Примесное поглощение в монокристаллах типа ТЮа8е2... 190 § 3.8. Электропоглощение монокристаллов ТЮа8е2 и /?-Т11п82
в области экситонного поглощения
§ 3.9. Выводы к главе III
ГЛАВА IV. АНИЗОТРОПИЯ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРООПТИ-ЧЕСКИХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ
Т1,.хСихОа8е2 (0<Х<0,02) и Д-Т1,.хСих1п82 (0<Х<0,015)
§ 4.1. Анизотропия оптических свойств слоистых
полупроводников
§ 4.2. Анизотропия показателя преломления и электрооптический
эффект в кристаллах Т11.хСихОа8е2 (0<Х<0,02)
§ 4.3. Электрооптический эффект в кристаллах
Д-Т11.хСих1п82(0<Х<0,015)
§ 4.4. Исследование дисперсии в кристаллах
Т1].хСихОа8е2 (0<Х<0,02) и у?-Т1!.хСих1п82(0<Х<0,015)
§ 4.5. Влияние магнитного поля на гирацию в кристаллах
Т1,.хСихОа8е2 (0<Х<0,02) и Д-Т1,.хСих1п82(0<Х<0,015)
§ 4.6. Выводы к главе IV
ГЛАВА V. НЕРАВНОВЕСНЫЕ ПРОЦЕССЫ В СОЕДИНЕНИЯХ ТЮа8е2 и /?-ТИп82 И ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ НА ИХ
ОСНОВЕ
§ 5.1. Спектральные характеристики фотопроводимости
монокристаллов ТЮа8е2
§ 5.2. Спектральные характеристики фотопроводимости
монокристаллов /?-Т11п82
§ 5.3. Спектральные характеристики фотопроводимости монокристаллов твердых растворов
Т1,.хСихОа8е2 (0<Х<0,02) и /?-Т1,.хСих1п82(0<Х<0,015)

разных авторов ее значения колеблются в широких пределах. Так, например, подвижность электронов в СиГпБег - 0,8 см2/В-С [7], 300см2/В-С [84] и 1150см2/В-С [31].
Температурный коэффициент зависимости Ев для Си1п8е2 при Т < 200 К составляет — (1,1 ± 0,2)Т0‘4эВ/К. Падение значений подвижности с температурой авторы [31] связывают с рассеянием на неполярных акустических колебаниях решетки.
В [85] установлено, что в зависимости от режима технологии получения монокристаллы Си1п8е2 получаются: низкоомные (р= 10'2- 1,0 Ом-см при 300 К) и высокоомные {р ~ 10 - 102 Ом-см при 300 К). Подвижность (р) и концентрация (и) свободных электронов в низкоомных кристаллах достигает р = 2700 см2/В-С и п - 1016 соответственно, а в высокоомных кристаллах меняется по разному: в низкоомных с ростом температуры от 77 К до 300 К п - уменьшается, а в высокоомных - увеличивается. Обнаруженные различия в характере зависимостей п(Т), р(Т) и а(Т) в обоих типах кристаллов Си1п8е2 авторы обуславливают различием энергетического спектра примесных уровней в их запрещенной зоне, которые и являются центрами эффективного рассеяния.
В [86] по данным <т(Т) и Яц(Т) в интервале температур 80-300 К для кристаллов Си1п8е2, подвергнутых отжигу в атмосфере 8е или диффузии 1п в объем образца при различных условиях, идентифицированы уровни точечных дефектов: донорный с энергией ионизации Еа = 10 мэВ, обусловленный вакансией Бе, акцепторный уровень Еа = 35 мэВ - вакансией 1п.
На основе холловских измерений [87] методом Ван-Дер-Пау исследованы акцепторные состояния в монокристаллах р - Си1п8е2. Анализ температурных зависимостей концентрации и подвижности дырок позволил авторам установить слабое увеличение концентрации и уменьшение