Спектральные характеристики излучения при каналировании в кристаллах и в поле лазерной волны

• Автор: Киздермишов, Асхад Асланчериевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Майкоп
• Количество страниц: 106 с. : ил.

Глава 1. Методы получения гамма-излучения

1.1. Традиционные методы получения жестких фотонов

1.2. Современное состояние исследований по созданию источников жестких фотонов

Глава 2. Излучение при каналировании ультрарелятивистских частиц

2.1. Каналирование релятивистских частиц

2.2. Классические уравнения движения ультрарелятивистских частиц при каналировании

2.3. Спектральное распределение излучения при плоскостном каналировании позитронов

2.4. Влияние излучения на движение каналированных частиц

Выводы к главе

Глава 3. Перспективы получения фотонов высоких энергий ультрарелятивистскими электронами в поле тераваттных лазеров и в кристаллах

3.1. Движение заряда в поле лазерной волны

3.2. Характер движения электрона при каналировании и в поле плоской волны
3.3. Томсоновское рассеяние фотонов лазерного поля на пучке релятивистских электронов
3.4. Генерация высших гармоник в поле лазера в приближении классической электродинамики
3.5. Учет квантовых эффектов отдачи при излучении жесткого фотона и влияния спина на излучение
3.6. Излучение в поле линейно поляризованной плоской волны
3.7. Спектральные характеристики излучения электронов в поле интенсивной лазерной волны и в ориентированных кристаллах
3.8. Эффективность аморфных мишеней и ориентированных кристаллов для получения жестких фотонов на пучках релятивистских электронов
Выводы к главе
Выводы
Список литературы
Приложение

Актуальность темы
В последние годы усиливается интерес к новым методам получения интенсивных пучков рентгеновского и гамма излучений. Такой интерес обусловлен прежде всего многочисленными приложениями таких пучков в современных технологиях и в экспериментальной физике, в част-^ ности, возможностью последующей конвертации их в интенсивные позитронные пучки, что имеет большое значение для современных электрон-позитронных коллайдеров.
Начиная со второй половины 80-х годов интенсивно изучаются экспериментально и теоретически электромагнитные процессы, сопровождающие прохождение электронов, позитронов и гамма-квантов с энергиями 100 ГэВ через ориентированные кристаллы. При этом ориентированный кристалл представляет собой естественный источник сильного внешнего поля с градиентом напряженности порядка 102 — 103 эВ/А. С дру-гой стороны, в середине 90-х годов появились экспериментальные и теоретические исследования взаимодействия релятивистских электронов с полями тераваттных лазеров большой мощности (порядка 1012 Вт). Напряженность электрического поля в фокусе таких лазеров соизмерима с величиной электростатического поля в ориентированных кристаллах. Поэтому особенно актуальным является вопрос о сопоставлении двух методов получения жестких фотонов на пучках релятивистских электронов: в ориентированных кристаллах и с использованием тераваттных

лазеров.
Наиболее распространенным методом получения жестких фотонов явВыводы к главе
1. Получены выражения, определяющие спектральные характеристики излучения в ориентированных кристаллах в форме удобной для проведения сравнения с излучением в поле интенсивных лазеров. Предложена процедура вычисления Фурье-компонент тока, позволяющая учитывать вклад нескольких сот гармоник.
2. Проанализирован эффект совместного демпинга поперечной энергии и углового момента аксиально каналированного электрона. Уменьшение полной и поперечной энергий, а также углового момента происходит скачками, связанными с излучением отдельных фотонов, тем не менее характер затухания поперечных интегралов движения можно изучить, решая систему уравнений для изменения средних значений этих величин. Соответствующий анализ показывает, что поперечная энергия и угловой момент затухают примерно с такой же скоростью и на тех же глубинах, что и полная энергия.