Квантовые эффекты, связанные с диссипативной туннельной динамикой в системах с квантовыми точками

• Автор: Майоров, Владимир Григорьевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Орск
• Количество страниц: 142 с. : ил.

Квантовые эффекты, связанные с диссипативной туннельной динамикой в системах с квантовыми точками Введение
Глава I. Квантовое туннелирование с диссипацией
Глава II. Управляемое диссипативное туннелирование в системах с квантовыми точками (квантовых молекулах)
2.1. Введение, квантовый перенос частицы в системе с выделенной координатой туннелирования
2.2. Управляемое диссипативное туннелирование в системах типа квантовых молекул (или «КТ - КЯ»)
2.3. Диссипативное туннелирование в системах «КТ - объемный контакт»
Выводы к главе II
Глава III. Управляемое диссипативное туннелирование в системах пар взаимодействующих квантовых молекул
3.1. Введение. Квантовое туннелирование с диссипацией двух взаимодействующих частиц
3.2. Туннелирование двух взаимодействующих частиц: переход между синхронным и асинхронным туннелированием
3.3. Туннелирование двух взаимодействующих частиц, движущихся параллельно. Двумерные квантовые туннельные бифуркации с диссипацией
Выводы к главе III
Глава IV. Квантовое туннелирование частицы, взаимодействующей с ангармоническим термостатом
4.1. Введение
4.2. Туннелирование частицы в классическом ангармоническом термостате
Выводы к главе IV
Заключение
Список авторских публикаций по теме диссертации
Библиографический список использованной литературы
В последние годы проблеме электронного транспорта в туннельно — связанных наноструктурах уделяется значительное внимание исследователей [1-143]. Актуальной также является проблема управляемости параметрами наноструктур и мезоскопических систем (МС) с учетом их нелинейных свойств [5, 6, 8, 16, 19-20, 28, 144-149]. Научный и практический интерес к туннельным процессам обусловлен прежде всего необычайно сильной чувствительностью вероятности туннелирования к электронному энергетическому спектру, потенциалу конфайнмента системы, параметрам внешнего поля и среды - термостата. Именно последнее обстоятельство дает дополнительную «степень свободы» для возможного управления свойствами туннельно - связанных наноструктур. С другой стороны, при изучении МС необходимо учитывать, что физика и химия электронных процессов в наномасштабах имеют много общего. МС подобны макромолекулам, и они, как правило, связаны с матрицей или средой - термостатом
[5]. Не случайным является в этой связи введение таких терминов как «квантовые молекулы», образованные туннельно связанными квантовыми точками. Это дает возможность рассматривать физику МС в сочетании с многомерным диссипативным туннелированием, которое происходит не только в МС, но и во многих химических реакциях. Исследование движения квантовой частицы, взаимодействующей с термостатом, является одной из важных проблем современной теоретической физики [5-11, 13-20]. Интерес к дальнейшему развитию науки о квантовом туннелировании с диссипацией возродился в последнее время в связи с активизацией исследований туннельно связанных МС [1-6, 8, 13, 15, 17, 21-143], которые, в частности, можно рассматривать как реактивные молекулярные комплексы [5, 19, 20]. При этом существенным оказывается тот факт, что в искусственных, доступных современным нанотехнологиям структурам с квантовыми точками (КТ) и квантовыми молекулами (КМ) оказывается возмож-

Рисунок 2.2.7. - Зависимость коэффициентов аппроксимации управляемой динамики величины Г для левого максимума (Ь/а) в двухъ-ямной модели (рисунок 2.2.2) от величины высоты барьера от 0,1 эВ до 0,2 эВ, уравнение аппроксимации : /(?) = а ■ ехр(Ь • /) + с