Исследование температурной зависимости генерации положительного заряда в термических пленках SiO2 МДП-структур в условиях управляемой сильнополевой инжекции электронов

• Автор: Драч, Владимир Евгеньевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Калуга
• Количество страниц: 185 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

1 ' Введение
Глава 1. Генерация положительного заряда в термических пленках 8Ю2 МДП-структур при сильнополевых воздействиях
1.1. Зарядовая природа и дефекты термических плёнок 5Ю2 на кремнии
1.2. Влияние сильных электрических полей на генерацию положительного заряда в подзатворном диэлектрике МДП-структур
ф 1.3. Методы определения электрофизических параметров МДПструктур
1.4. Моделирование генерации положительного заряда в диэлектрике
МДП-структур
Выв'оды к главе
Глава 2. Метод двухуровневой токовой нагрузки для исследования генерации положительного заряда в диэлектрике МДП-структур
2.1. Основы метода двухуровневой токовой нагрузки
2.2. Использование метода управляемой токовой нагрузки для иссле- 40 дования процессов генерации положительного заряда в МДП-структурах
2.3. Установка для реализации метода двухуровневой токовой нагрузки
2.4. Совместное использование метода двухуровневой токовой нагрузки и СУ-характеристик для контроля зарядового состояния МДПструктур
Выводы к главе

Глава 3. Исследование генерации положительного заряда в термиче-,' ских пленках 8Юг МДП-структур при воздействии сильных электрических полей в широком диапазоне температур
3.1. Генерация положительного заряда в МДП-структурах с термической пленкой БЮг при инжекции электронов в сильных электрических полях при комнатной температуре
3.2. Влияние температуры на генерацию положительного заряда в МДП-структурах с толстой термической пленкой 8 Юг при инжекции
%► электронов в сильных электрических полях
3.3. Особенности генерации положительного заряда в тонких термических пленках БЮг МДП-структур при инжекции электронов в сильных электрических полях
3.4. Влияние режимов инжекции (плотности тока) на температурную зависимость генерации положительного заряда в термических пленках
МДП-структур
Выводы к главе

Глава 4. Моделирование процессов генерации положительного заряда в подзатворном диэлектрике МДП-структур
4.1. Модель зарядового состояния МДП-структур с толстыми пленками в условиях сильнополевой туннельной инжекции
4.2. Модель зарядового состояния МДП-структур в условиях сильнополевой туннельной инжекции
4.3. Моделирование процессов генерации положительного заряда в тонких термических пленках ЗЮг

Выводы к главе 4,

Глава 5. Применение метода контроля генерации положительного заряда в производстве МДП-ИС
5.1. Метод оценки качества подзатворного диэлектрика КМДП-ИМС по сдвигу напряжения, приложенному к прибору, с учетом температурной зависимости
5.2. Влияние технологических факторов на генерацию положительно-• го заряда в МДП-структурах в сильных электрических полях при различных температурах и контроль качества диэлектрических пленок в производстве ИС с учетом температурной зависимости
5.3. Влияние температурной зависимости генерации положительного заряда в МДП-структурах с термической пленкой двуокиси кремния
при проведении инжекционной модификации
5.4. Генерация положительного заряда в короткоканальных МДПтранзисторах
Выводы к главе

Основные результаты и выводы
Литература
Приложения

Рис. 2.3. Временные зависимости токовой нагрузки (а) и высоковольтного участка напряжения (б), падающего на МДП-структуре, при использовании метода многоуровневой токовой нагрузки