Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Есаулов, Михаил Николаевич
01.04.07
Кандидатская
2005
Калуга
136 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
Глава 1. Основные физические процессы на поверхности и в приповерхностных слоях внутренних элементов электронных приборов при воздействии электронов, ионов и атомных частиц
1.1. Взаимодействие электронов, ионов и атомных частиц
с твердым телом
1.2. Механизмы захвата, реэмиссии и проблемы гелия и
других газов в материалах
Выводы к главе
Глава 2. Техника эксперимента
2.1. Особенности получения образцов для исследования
2.2. Методы исследования диффузии активных компонентов
системы [Си+(Си-Ва0-1л20)+Си], ее состава и структуры
2.3. Методы исследования влияния алюминия и титана (элементы замещения) на поведение ионно-внедренного гелия в модельных сплавах на основе никеля
(сплавы систем №-А1, №-Т1)
Выводы к главе
Глава 3. Физические процессы, связанные с изменением состава и структуры поверхности и приповерхностных слоев многокомпонентных материалов под воздействием электронной,
ионной бомбардировки и ускоренных частиц
3.1. Исследование повреждения многокомпонентных материалов
3.1.1. Повреждение материалов под воздействием электронной
и ионной бомбардировки, их поверхностная топография
3.1.2. Эффекты, обусловленные начальными
неоднородностями поверхности
3.1.3. Эффекты радиационного повреждения
3.1.4. Радиационное шелушение
3.1.5. Эмиссионная способность многокомпонентных материалов с металлической пленкой
3.2. Изучение механизма диффузионных процессов в многокомпонентных материалах с металлической пленкой
3.2.1. Диффузия бария композиции Си-ВаО-1л20 в медное
покрытие системы [(Си-ВаО-1л20)+Си]
3.2.2. Механизм диффузии активных компонентов в медное покрытие системы [(Си-Ва0-1л20)+Си]
3.3. Исследование состава и структуры поверхности и приповерхностных слоев системы [Си+(Си-Ва0-1л20)+Ме] под радиационным воздействием
Выводы к главе
Глава 4. Поведение гелия и развитие газовой пористости в
сплавах никеля
4.1. Влияние легирования на развитие гелиевой пористости
4.2. Захват и выделение ионно-внедренного гелия
4.3. Обсуждение результатов
Выводы к главе
Общие выводы
Список литературы
В электронной и радиоэлектронной промышленности всегда существует проблема повышения долговечности и надежности приборов и электронных компонентов. Ограничение срока службы электронных приборов (вакуумных, газоразрядных, квантовых и др.) во многом определяется процессами, проходящими на поверхности внутри приборных элементов и в их приповерхностных слоях под воздействием высокоинтенсивных потоков электронов, ионов и атомных частиц, которые образуются во время работы рассматриваемых приборов.
Таким образом, важность изучения данных процессов связана не только с фундаментальными задачами (с исследованием физических, физикохимических процессов, протекающих на поверхности и в приповерхностных слоях твердого тела под радиационным воздействием высокоинтенсивных заряженных и нейтральных частиц, в условиях, близких к реальным в работающем изделии.), но и с практической потребностью - долговечностью, надежностью и работоспособностью приборов Выявление закономерностей взаимодействия заряженных и ускоренных частиц с элементами приборов (с твердым телом) позволяет использовать их как для борьбы с нежелательными явлениями, так и для управления физическими процессами с целью повышения качества и долговечности изделия.
Особенно важно знать информацию об изменении состава и структуры поверхности многокомпонентных систем, например, металлооксидных со стабилизирующей металлической пленкой, механизм диффузии и адсорбции, глубину проникновения частиц и энергии при достаточно мощном воздействии.
Взаимодействие атомных частиц с твердым телом с точки зрения стимулирования эмиссионных явлений приводит к различным результатам в зависимости от наличия и величины потенциальной или кинетической энергии у частиц. Очень медленные атомные частицы с энергиями от тепловой до нескольких электронвольт, но обладающие запасом потенциальной энергии
Рис. 2.1. Структура поверхности металлооксидного композиционного Си-Ва0-1л20 катодного материала после термообработки, х200 а - прессованный, 600 °С, 1 ч, вакуум; б - полоса Ф 2 мм, 600 °С, 1 ч, вакуум; в - полоса Ф 0.7 мм, 600 °С, 1 ч, вакуум;
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Исследование локальной атомной и электронной структуры комплексов переходных металлов с порфиринами и их аналогами методами рентгеноабсорбционной спектроскопии | Тригуб, Александр Леонидович | 2014 |
Реальная структура оксидных фаз типа шпинели и корунда | Фадеева, Виктория Ивановна | 1983 |
Физические свойства тонких эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников YBa2 Cu3 O7-x и Nd2-x Ce x CuO4-y | Иванов, Андрей Анатольевич | 2003 |