Взаимодействие первичных дефектов со структурными нарушениями в ионных кристаллах

• Автор: Вильчинская, Светлана Сергеевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 127 с. : ил.

ф ГЛАВА 1. ЭКСИТОНЫ В ЧИСТЫХ И ПРИМЕСНЫХ ЩГК
1.1. Автолокализованные экситоны в чистых ЩГК
1.2. Дырочные центры в ЩГК с гомологическими примесями
1.2.1. Гетероядерные Vk-центры и Ук-центры, связанные с дефектами

решетки
1.2.2. Н- HA- Нв - центры
1.3. Локализованные экситоны в ЩГК с катионными гомологическими
ф примесями
1.4. Локализованные экситоны в ЩГК с анионными гомологическими примесями
1.4.1. Поглощение локализованными экситонами

1.4.2. Излучение локализованных экситонов в КС1:1
1.4.3. Излучение локализованных экситонов в КС1:Вг
1.5. Взаимодействие электронных возбуждений с мономерами тяжелой анионной гомологической примеси в ЩГК
1.6. Причины локализации электронных возбуждений в дефектной области кристалла
ф ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ В РАБОТЕ
2.1. Образцы для исследований
2.2. Импульсный оптический спектрометр
2.3. Методика проведения эксперимента
2.4. Градуировка измерительного тракта спектрометра
2.5. Обработка результатов исследований

ГЛАВА 3. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПЕРВИЧНЫХ ДЕФЕКТОВ С * ЛОКАЛЬНЫМИ ДЕФОРМАЦИЯМИ РЕШЕТКИ В МОДЕЛЬНЫХ
СИСТЕМАХ
• 3.1. Импульсная катодолюминесценция кристаллов КС1:1 и КС1:Вг
3.2. Экситоны, локализованные около димеров примеси
3.2.1. Околодимерные экситоны в КС1:Вг
^ 3.2.2. Околодимерные экситоны в КС1:1
ВЫВОДЫ
ГЛАВА 4. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПЕРВИЧНЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ С ДОРАДИАЦИОННЫМИ В КРИСТАЛЛАХ MgF2 И
• ПРИРОДНЫХ ОБЪЕКТАХ
4.1. Преобразования накопленных дефектов при взаимодействии с первичными в кристалле MgF2
4.2. Импульсная катодолюминесценция кристалла MgF?
4.3. Взаимодействие первичных радиационных дефектов с дефектами в
природных кристаллах
ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

iÜ»

ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
АЛЭ - автолокализованный экситон
• ГЭ - гетероядерный экситон
ИКЛ - импульсная катодолюминесценция
лэ - локализованный экситон
л» пш - полевые шпаты
оэ - околопримесный экситон
сэп - сильноточный электронный пучок
тел - термостимулированная люминесценция
• щгк - щелочно-галоидный кристалл
эв - электронное возбуждение
ЭПР - электронный парамагнитный резонанс

меняя напряжение питания умножителя. При обработке данных они могут быть приведены к одному масштабу по нескольким парам точек смежных участков, чтобы наиболее точно определить коэффициент приведения. Степень совпадения коэффициентов между собой служит хорошим показателем точности полученных результатов. Если расхождения между отдельными коэффициентами носят систематический характер, т.е
растут или падают с увеличением длины волны, то это указывает на нелинейность системы, большей частью на нелинейность световой характеристики приемника.
Спектр излучения лампы ТРШ 2850-3000 рассчитывался следующим образом. По закону смещения Вина определялось положение Хт [90]:
где Хт- длина волны, соответствующая максимуму испускания; Т-температура излучающего тела (нити накала лампы); Ь-постоянная Вина, равная (0.2897756±0.,0000024)-10'2м-К. В нашем случае при Т=2850К А,т составляет 1017нм.
Распределение энергии в спектре равновесного излучения абсолютно черного тела при определенной температуре описывается формула Планка
где Флг- спектральная плотность излучения, X- длина волны, Ттемпература излучающего тела (нити накала лампы) или цветовая температура равная 2850К; Сі, Сг -коэффициенты, равные 3.7417749і 10' 1бВт-м2 и 1.43 8769-10"2м-К, соответственно.
Далее, вычислялись относительные значения спектральной плотности излучения абсолютно черного тела для всех значений длин волн X, по
(2.2)
[90,91].
(2.3)
которым производится градуировка.