Эффекты локализации и межэлектронного взаимодействия при переходе двумерной системы к диэлектрическому состоянию

• Автор: Дижур, Евгений Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Троицк
• Количество страниц: 207 с. : ил.

1 Современное состояние исследований перехода металл-диэлектрик
1.1 Переход металл-изолятор
1.2 Переход металл-изолятор и взаимодействие
1.3 Переход металл-изолятор и размерность •
1.4 Содержание настоящих исследований
2 Методические особенности измерений и обработки экспериментальных данных
2.1 Камера высокого давления
2.2 Магнитотранспортные измерения
2.3 Туннельная спектроскопия
2.3.1 Схема установки для туннельных измерений
2.3.2 Обработка результатов измерений
3 Особенности туннелирования в системе с барьером Шоттки под давлением

3.1 Влияние давления на высоту барьера Шоттки
3.2 Бистабильность туннельных характеристик вблизи 2 ГПа
4 Влияние давления на свойства ДЭГ
в квантовой яме GaSb/InAs/GaSb
4.1 Модель квантовой ямы GaSb/InAs/GaSb
4.2 Эксперимент
4.3 Переход металл-изолятор в GaSb/InAs/GaSb
4.4 Поверхностные состояния в GaSb/InAs/GaSb
4.5 Слабая локализация в GaSb/InAs/GaSb
5 Влияние концентрации на свойства ДЭГ
в кремниевых МОП-структурах
5.1 Слабая локализация в МДП n-Si
5.2 Параметры носителей в МДП n-Si
5.3 О спонтанной спиновой поляризации
6 Влияние давления на свойства ДЭГ в Al/n-GaAs:5(Si)
6.1 Туннелирование в Al/n-GaAs:5(Si) под давлением
6.2 Переход металл-изолятор в Al/n-GaAs:d(Si)
6.3 Многочастичные особенности в туннельных спектрах
Заключение
Литература

Список иллюстраций
1.1 Зависимость БОБ от взаимодействия
2.1 Влияние давления на зонную структуру ваАв
2.2 Зонная структура некоторых соединений А3В5
2.3 Камера высокого давления
2.4 Осцилляции Шубникова- де Гааза для образца 8І6-14/10
2.5 Спектроскопия подзон в квантовой яме
2.6 Общий вид и эквивалентная схема образца
2.7 Упрощенная схема измерений
2.8 Туннельный спектр образца Z1B7
2.9 Разделение фона и туннельных особенностей
2.10 Сопоставление методик туннельных измерений
3.1 Экспериментальные зависимости ЛІ/(IV
3.2 Конфигурации для трех типов БА-подобных центров
3.3 Распределение потенциала, электронов и заряда в барьере
Шоттки
3.4 Фоторезистивный отклик и фото-э.д.с. в функции интенсивности

Выражение для зависящего от магнитного поля вклада в проводимость в режиме слабой локализации можно записать в виде [91]
где а=4еБВ/Н, ду - долинное вырождение, Л - коэффициент диффузии, т и 7^ - времена релаксации импульса и фазы (называемые также транспортным временем релаксации и временем сбоя фазы), а - константа, которая была введена [93] для учета междолинного рассеяния и кулоновского взаимодействия, Ф - так называемая пси- или дигамма-функция, равная логарифмической производной Г-функции. Это выражение использовалось для нахождения времен релаксации импульса (= транспортного времени релаксации) и времени сбоя фазы из данных по отрицательному магнито-сопротивлеиию.
При изучении квантовых ям Са8Ь/1пАэ/Са8Ь в слабых полях проводились также измерения э.д.с. Холла для определения концентрации и подвижности носителей в рамках классической модели с двумя типами носителей.
Измерения в квантующих полях использовались для регистрации осцилляций Шубникова-де Гааза (ШдГ). Теория [94] дает для осциллирующей компоненты сопротивления следующее выражение:
д шеак ІосаИваНоп
і—ли
(2.1)
(2.2)
'В последние годы появились и другие модели для квантовой поправки [92]