Транспортные свойства радиационно-разупорядоченных соединений с сильными электронными корреляциями : высокотемпературные сверхпроводники и системы с тяжелыми фермионами

• Автор: Карькин, Александр Евгеньевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 203 с. : ил.

Список сокращений и обозначений
1. Введение
1.1. Общая характеристика работы
1.2. Метод радиационного разупорядочения
1.3. Особенности электронного транспорта в системах с сильным электрон
электронным рассеянием
2. Методики
3. Сверхпроводящие соединения с сильным электрон-фононным взаимодействием
3.1. MgB2
3.2. MgCNi3
4. Соединения с низкой концентрацией носителей заряда
4.1. ІплВі2.*Те3 (х = 0, 0.04, 0.07), Те, PbSe и HgSe
4.2. Графит
4.3. (i)-AlPdRe
5. Высокотемпературные сверхпроводники и их аналоги
5.1. Код WO.,
5.2 Са*8г2-*Ки04 (х = 0,1.5,1.8)
5.3 УВагСизОд;, (Nd-Ce)2Cu04 и Bi2Sr2CaCu2Og
6. Соединения с тяжелыми фермионами
6.1. Антиферромагнитные соединения CeCu2Ge2, CePd2Ge2 и CePd2Si2
6.2. Соединение с Ферми-жидкостным поведением CeCus
6.3. Соединения с не-Ферми-жидкостным поведением CeNi2Ge2 и CeCu2Si2
6.4. Сверхпроводящие соединения PrOs4Sbi2 и LaRu4Sbi2
7. Основные результаты
8. Заключение
9. Приложение
Список использованных источников

Список сокращений и обозначений
АФМ - антиферромагнитный
ВТСГТ - высокотемпературная сверхпроводимость
НФЖ - не-Ферми-жидкостное
ПВА - первично выбитый атом
ПМД - переход металл-диэлектрик
СП - сверхпроводимость
ТФ - тяжелые фермионы
ФЖ - Ферми-жидкостное
Се - электронная теплоемкость
Ccw - постоянная Кюри-Вейсса
C(i - концентрация радиационных дефектов
е - элементарный электрический заряд
F(a) - плотность фононных состояний
h = h/(2n), где h -постоянная Планка
Н- величина магнитного поля
Нл -второе критическое поле
#С1 -первое критическое поле
<1 > - усредненный по поверхности Ферми квадрат матричного элемента электрон-ионного взаимодействия
кв - постоянная Больцмана
кв - волновой вектор Ферми
I, lir - длина свободного пробега электронов
М— намагниченность Мі - масса иона
me -масса свободного электрона т - эффективная масса электрона п - концентрация носителей заряда пн - холловская концентрация носителей заряда ns - концентрация СП электронов
N(Ef) - плотность электронных состояний на уровне Ферми р - концентрация дырок RH - коэффициент Холла
Sf - экстремальное сечение поверхности Ферми Т- температура
?апп температура изохронного отжига
Гс - температура СП перехода
Т1П - температура облучения
Ты - температура Нееля
<и2> - среднеквадратичные смещения атомов
V - атомный объем
Keen - объем элементарной ячейки
х - концентрация легирующего элемента
%— магнитная восприимчивость
8- отклонение содержания кислорода от стехиометрического состава А - энергетическая щель (псевдощель)
АС - скачок теплоемкости
Ар- приращение электросопротивления
Ф- флюенс облучения
Фо - квант магнитного потока

.г, к ,
Рис. 7. Температурные зависимости приведенного электросопротивления р!ро облученного флюенсом тепловых нейтронов Ф = МО19 СМ-2 И отожженного при Гапп = 400°С поликристалла lgB2 в магнитных полях II = (0 - 13) Тл (кривые 0 - 13); = р(Т>Тс). Линии проведены через экспериментальные точки.
Температурные зависимости второго критического поля На, определенные по середине перехода (0.5 от д>), показывают почти одинаковый наклон для исходного и облученного образцов (рис. 8).
Для «грязных» сверхпроводников производная второго критического поля -(1ЯС2/с1Г связана с остаточным электросопротивлением Д), плотностью электронных состояний на уровне Ферми Л'(Лр) и константой электрон-фононной связи I простым соотношением [37]
(-йНс2/йГ)Ллу = + ХЩЕдяь (34)
так что при разупорядочении относительно слабое изменение -дНа/йТ при ожидаемом росте Ро должно компенсироваться уменьшением ЩЕ?). Только это качественное утверждение может быть сделано в отсутствие измерений электросопротивления на монокристаллических образцах. Тем не менее, уменьшение Тс при разупорядочении вследствие уменьшения ЩЕ?) в целом согласуется с ожидаемым для систем с электрон-фононным механизмом сверхпроводимости поведением при разупорядочении: величина Тс уменьшается, но остается конечной.