Структурные и оптические исследования упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах AlxGa1-xAs/GaAs (100)

• Автор: Середин, Павел Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 133 с. : ил.

* ® Введение

ГЛАВА 1. Литературный обзор

1.1 Современные методы получения эпитаксиальных структур на основе А3В5

1.2 Закон Вегарда и образование сверхструктурных фаз в А3В5

■0 1.3 ИК - спектры отражения полупроводников А3В5. Фононный и

плазмон - фононный резонансы

1.4 Выводы по главе

ГЛАВА 2. Объекты и методы исследования

г 2.1 Характеристики объектов по сериям

2.2Рентгенодифракционные методы определения параметров решетки твердых растворов в гетероструктурах на основе ф А3В5

2.2.1 Особенности дифрактометрического метода

2.2.2 Особенности рентгенографического метода обратной съемки
2.3 ИК - спектрометрия отражения
2.4 Атомно - силовая микроскопия (АСМ) наноструктур
« 2.5 Выводы по главе
ГЛАВА 3. Экспериментальные результаты рентгеноструктурных и

морфологических исследований
3.1 Определение параметров твердых растворов с учетом упругих напряжений
3.2 Характер закона Вегарда в твердых расторах А^Оа^Ая
3.2.1 Твердые растворы А^ва^Ав в гетероструктурах, выращенные химическим осаждением из газовой фазы металлорганических соединений
3.2.2 . Эпитаксиальные твердые растворы, полученные методом жидко фазной эпитаксии
3.3 Сверхструктурная . фаза АЮаАэ2 в МОС - гидридных гетероструктурах. Прецизионное определение параметров кристаллической решетки
3.3.1 Дифрактометрические исследования
3.2.2 Рентгенографические исследования. Прецизионное определение параметров
3.3 Результаты АСМ - исследований морфологии поверхности образцов
3.4 Обсуждение результатов и выводы по
главе
ГЛАВА 4. ИК - спектры отражения от эпитаксиальных гетероструктур
А1хСа1.хА8ЛЗаА8(100)
4.1 Приближение однофонного резонанса для расчета спектра бинарного кристалла ОаАБ
4.2 Моделирование ИК - спектров в различных моделях. Усовершенствование модели пленка - подложка применительно к многокомпонентным системам
4.3 Плазмон - фононные спектры в гомоэпитаксиальных гетероструктурах. Моделирование в адиабатическом приближении и модели пленка - подложка
4.4 Выводы по главе
Заключение и выводы по диссертации
Литература
резко уменьшить фон на рентгенограмме, и затруднительно в случае д и фра кто м етр и ч ее кой регистрации [50].
Основное преимущество дифрактометрической регистрации при определении периодов - возможность построить профиль распределения интенсивности линии по углу 0.
Более точно величину межплоскостного расстояния можно найти по положению абсциссы центра тяжести пика 0С, которая определяется по формуле:
в.-'Т.ЩЪ'Т.Щ'). (2-2)
/ i
За начало отсчета угла 0 обычно принимают угол 0|-угол, где линия переходит в фон (интенсивность в этой точке составляет менее 1% от максимальной). В этом случае для определения бщ используют длину волны, соответствующую центру тяжести спектрального распределения Хс~(2Жа1+ Жа2)/3. Использование центра-тяжести пика позволяет аналитически учесть влияние инструментальных аберраций дифрактометра на положение линий. [50], однако и при дифрактометрическом анализе применение экстраполяционных функций позволяет повысить точность определения периода. Если же линии не дифрактограмме не размыты, и дублет К^-Ксй хорошо разрешается, то определяют максимум интенсивности, соответствующий ),а1. При прецизионном определении периода решетки необходимо термостабилизировать образец или учитывать влияние термического расширения, так как достигаемая даже на стандартной аппаратуре точность часто выше, чем измерение периода решетки при колебании температуры образца в процессе съемки на 1-2°.
В данной работе использовались для проведения анализа дифрактометры: ДРОН 4-07 и ДРОН 3 сопряженные с ЭВМ, в которых используется характеристическое излучение меди СИка1,2, источником которого является трубка БСВ-29, мощностью 3 кВт, рассчитанная на напряжение до 60 кВ и