Структура и механизмы формирования нитевидных пентагональных кристаллов при электрокристаллизации меди

• Автор: Довженко, Ольга Александровна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Тольятти
• Количество страниц: 213 с. : ил.

Глава 1 Литературный обзор состояния вопроса и постановка 13 задачи исследования.

1.1 Обзор исследовательских работ по нитевидным

кристаллам.

1.1.1 Методы получения, особенности структуры и

свойств нитевидных кристаллов.

1.1.2 Возможные механизмы формирования нитевидных 25 кристаллов.

1.2 Обзор исследовательских работ по нитевидным

пентагональным кристаллам.

1.3 Основные характеристики малых частиц и

нитевидных кристаллов с пентагональной симметрией.

1.4 Дисклинационный подход к описанию малых частиц и

нитевидных кристаллов с пентагональной симметрией.
1.4.1 Дисклинации в сплошной среде и в кристалле
1.4.2 Дисклинации в малых частицах
1.4.3 Устойчивость малых частиц и нитевидных
кристаллов с пентагональной симметрией.
Возможные механизмы релаксации внутренних полей упругих напряжений в малых частицах и нитевидных кристаллах с пентагональной симметрией.
1.5 Малые частицы и нитевидные кристаллы с
пентагональной симметрией, формирующиеся в процессе электроосаждения.

1.5.1 Особенности процесса электроосаждения металла 65 из раствора электролита.
1.5.2 Получение малых частиц и нитевидных кристаллов 74 с пентагональной симметрией методом электроосаждения.
1.5.3 Многообразие форм роста кристаллов с 76 пентагональной симметрией, полученных при электроосаждении.
1.5.4 Дисклинационные модели роста кристаллов с
пентагональной симметрией при
электрокристаллизации металлов из растворов электролитов (А.А.Викарчук, А.П. Воленко).
1.6 Постановка задач исследования
Глава 2 Методы исследования структуры нитевидных
пентагональных кристаллов, формирующихся при электроосаждении металлов.
2.1 Выбор объектов исследования и методика их получения
2.2 Просвечивающая электронная микроскопия
2.3 Сканирующая электронная микроскопия
2.4 Электронография
2.5 Металлография
Глава 3 Нитевидные кристаллы меди с пентагональной 107 симметрией, формирующиеся при электроосаждении из раствора электролита.
3.1 Экспериментальные исследования нитевидных 107 пентагональных кристаллов меди.
3.1.1 Многообразие видов нитевидных пентагональных 107 кристаллов. Их классификация.

3.1.2 Структура нитевидных пентагональных 112 кристаллов.
3.1.3 Места зарождения нитевидных пентагональных 116 кристаллов. Дефекты дисклинационного типа как возможные места зарождения НПК.
3.2 Дисклинационные механизмы формирования
нитевидных пентагональных кристаллов меди при электроосаждении из раствора электролита.
3.2.1 Механизм образования и роста нитевидных 128 пентагональных кристаллов из декаэдрических кластеров на индифферентной подложке.
3.2.2 Образование нитевидных пентагональных
кристаллов на дефектах подложки, имеющих дисклинационную природу.
3.2.3 Образование нитевидных пентагональных
кристаллов в местах выхода дисклинаций на поверхность пентагональных частиц с 1-ой и 6-тью осями симметрии 5-го порядка.
Глава 4 Теоретические и экспериментальные исследования
эволюции нитевидных пентагональных кристаллов при электрокристаллизации.
4.1 Образование полости - как способ релаксации 154 внутренних полей упругих напряжений в нитевидных пентагональных микрокристаллах меди.
4.2 Релаксация внутренних полей упругих напряжений 165 в полых нитевидных пентагональных микрокристаллах меди.

совершенную дисклинацию в исходную ГЦК-решетку, свободную от дефектов, необходимо по линии АВ произвести разрез, удалить 60-ти градусный сектор В'АВ" (рис. 1.28а), затем берега разреза повернуть навстречу, до их соприкосновения (рис. 1.286). В точке А (рис. 1.286) при этом образуется положительная клиновая дисклинация мощностью со = л/3, которая превращает симметрию 6-го порядка (рис. 1.28а), характерную для совершенного кристалла, в пентагональную симметрию кристалла с дефектом (рис. 1.286). Если в разрез АВ в совершенной решётке (рис.1.28в) добавить клин в 60 градусов, то образуется отрицательная 60-ти градусная совершенная дисклинация (рис.1.28г).
Рис.1.28 Образование 60-ти градусной полной дисклинации в кристалле: а) неискажённая решётка с вырезанным сектором В'АВ''; б) положительная клиновая 60-градусная дисклинация; в) неискажённая решётка с разрезом по линии А (В'В"); г) отрицательная клиновая 60-градусная дисклинация
Угол поворота полной дисклинации должен удовлетворять условиям поворотной симметрии кристаллической решетки. Например, минимальная мощность дисклинации, расположенной в ОЦК-решетке, вдоль оси четвертого порядка составляет со = л/2, в ГЦК-решетке - со = л/3. В общем случае