Сверхпроводимость полупроводниковых соединений AIVBVI с глубокими примесными состояниями элементов III группы

• Автор: Шамшур, Дмитрий Владиленович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 268 с. : ил.

Глава I. Обоснование задачи исследований (литературный обзор).

Энергетический зонный спектр и спектр примесных состояний элементов III группы в полупроводниковых твёрдых растворах РЬТе - БпТе и БпТе - веТе

1.1. Кристаллическая структура теллуридов свинца, олова и германия

1.2. Структура краев зон и особенности энергетического спектра

теллуридов свинца, олова и германия и твердых растворов на их основе

1.3. Примесные состояния с переменной валентностью в материалах

А,УВУ| и их влияние на электрофизические свойства соединений

1.3.1. Примесные состояния 1п в теллуриде свинца

1.3.2. Примесные состояния Т1 в теллуриде свинца

1.3.3 Примесные состояния 1п в теллуридах олова и германия

1.4. Сверхпроводимость теллурида свинца, легированного таллием, и

теллурида олова с примесью индия
Постановка задачи исследований
Глава II. Исследуемые материалы и методика измерений
2.1. Технология изготовления образцов
2.1.1. Объёмные поликристаллические образцы полупроводниковых
твердых растворов РЬТе - БпТе - веТе, легированных Т1 и 1п; контроль их состава
2.1.2. Тонкие слои РЬТе:Т1, БпТеїІп, РЬБпТеТп и ЗпвеТейп, полученные методами термического испарения в вакууме и лазерного напыления
2.2. Установка НеЗ для исследования гальваномагнитных эффектов при
низких и сверхнизких температурах
2.2.1. Получение низких и сверхнизких температур и термометрия
2.2.2. Измерительная схема и погрешность измерений

2.2.3. Программная часть измерительного комплекса
Глава III. Примесные состояния таллия и индия в теллуридах свинца
и олова и сверхпроводящие свойства этих соединений
3.1. Пороговый характер возникновения сверхпроводящего
состояния в РЬТе:Т1
3.2. Влияние легирования индием на возникновение сверхпроводящего
состояния с Тс > 1 К в 8пТе:1п и РЬБпТейп
3.3. Исследование электрофизических свойств и параметров
сверхпроводящего состояния РЬТе:Т1 методом комбинированного легирования
3.4. Сверхпроводящие свойства 8пТе:1п в зависимости от уровня
легирования индием и избыточным теллуром.
Выводы главы III
Глава IV. Влияние изменения зонной структуры в твердых растворах на
основе теллуридов свинца и олова с глубокими примесными состояниями 1п (Т1) на сверхпроводящие свойства этих соединений
4.1. Влияние замены атомов в подрешетках металла и халькогена на
сверхпроводящие свойства РЬ!_АТег.ц(А,В):Т1
4.2. Сверхпроводящие свойства твердых растворов (Зщ.гОе^.^ПхТе
4.3. Электрофизические свойства (РЬ0.28п08)о.«1по.о5Те в нормальном
и сверхпроводящем состоянии в зависимости от сверхстехиометрического теллура
4.4. Влияние изменения состава твердого раствора и уровня
легирования индием на низкотемпературные (в том числе сверхпроводящие) свойства (РЬ2:8п1.2)1.х1пхТе
4.5. Сверхпроводящий переход в магнитных свойствах твердых
растворов (РЬ28п 1.2) 1.х1пхТе и (Ое^щ.^.^пДе при различном содержании РЬ (ве) и индия в соединениях
4.6. Обсуждение результатов исследования соединений АУ1ВУ1(1п, Т1)

в модели примесной полосы квазилокальных состояний
4.6.1. Роль дополнительного экстремума в возникновении сверхпроводимости в полупроводниках А4В6 с резонансными примесными состояниями
Выводы главы IV
Глава V. Возникновение перехода сверхпроводник - диэлектрик в
полупроводниковых твердых растворах (РЬ28п,_/)1.х1пхТе
5.1. Переход сверхпроводник - диэлектрик при изменении содержания свинца в соединениях (РЬ^щ.^ЛпхТе с фиксированным количеством индия
5.2. Переход сверхпроводник - диэлектрик при уменьшении количества индия в (РЬо.58по.5)1.х1пхТе
Выводы главы V
Глава VI. Сверхпроводящие свойства тонких слоев полупроводниковых
твердых растворов на основе РЬТе, легированного таллием, и 5пТе, легированного 1п
6.1. Сверхпроводимость и распределение компонентов в тонких слоях
РЬ^Щ-Ле, легированного индием
6.1.1. Анализ состава пленок БпТеТп и РЬхЗщ.ДеТп методом Оже-спектроскопии
6.1.2. Сверхпроводящий переход в пленках 8пТе:1п и РЬ^п^Тейп
5.2. Сверхпроводящие свойства тонких слоев твердых растворов Ое^щ.хТеЛп
5.3. Сверхпроводящий переход в тонких слоях РЬТе, легированного таллием
Выводы главы VI
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

p, 10 cm
Рис. 1.18. Температура сверхпроводящего перехода в SnTei+y, GeTe1+y и PbxSn,.xTe в зависимости от концентрации дырок [71, 72, 73].