Особенности процессов образования радиационных дефектов в полупроводниковых материалах IV группы и нитридах III группы с мелкими примесями
- Автор:
Емцев, Константин Вадимович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
123 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности зонной структуры и эволюции квантовых состояний в графене и углеродных нанотрубках | Аль-Касвани Маджид мохаммед Джасим | 2013 |
| Структурные превращения и химические взаимодействия в двухслойных металлических нанопленках | Мягков, Виктор Григорьевич | 2008 |
| Люминесценция ионно-имплантированных широкозонных полупроводниковых соединений GaN и ZnSe | Хасанов, Ильдар Шамильевич | 1984 |