Особенности процессов образования радиационных дефектов в полупроводниковых материалах IV группы и нитридах III группы с мелкими примесями
- Автор:
Емцев, Константин Вадимович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
123 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Микроструктура гидратных оболочек кислородсодержащих ионов по данным методов ЯМР-релаксации и квантовой химии | Воронцова, Анна Анатольевна | 2004 |
| Кинетика стимулированного поляритон-поляритонного рассеяния в планарных полупроводниковых микрорезонаторах | Деменев, Андрей Анатольевич | 2012 |
| Особенности фононной и магнитной подсистем редкоземельных боридов типа RB50 по данным калориметрического и рентгеновского исследований в области 2-300К | Жемоедов Николай Александрович | 2018 |