+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Механизмы деградационных процессов и оплавления в системах металлизации на кремнии при импульсных токовых воздействиях

Механизмы деградационных процессов и оплавления в системах металлизации на кремнии при импульсных токовых воздействиях
  • Автор:

    Рыбин, Владислав Витальевич

  • Шифр специальности:

    01.04.07

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2006

  • Место защиты:

    Ульяновск

  • Количество страниц:

    110 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
"Глава 1. Состояние вопроса и нос1ановка задачи 
1.1. Тепловые процессы в полупроводниковых приборах

Глава 1. Состояние вопроса и нос1ановка задачи

1.1. Тепловые процессы в полупроводниковых приборах

1.2. Дефекюобразование в полупроводниках при ипоювлении полупроводниковых Сфукгур

1.2.1. Выращивание монокристаллов и подюювка подложек

1.2.2. Термическое окисление кремния и дихлекфические пленки

1.2.3. Диффузия как иеючник дислокационной сфуюуры в полупроводниках

1.2.4. Эпитаксия

1.3. Деградационные процессы в межсоединениях, индуцированные элекфическим юком

1.4 Импульсное юковое воздейавие на мноюслойные гонкоплёночные струюуры


1.5. Определение критических параметров и условий бекиказной работы слоев металлизации

Глава 2. Тепловое дейс!вис юковых импульсов на счрукпуры металлизации


2.1. Темпера турные ноля в полупроводнике при наличии локальною лиловою иеючника
2.2. Точечный иеючник на1 рева

2.3.1 Ірямоугольньїй исіочник наї'рева
2.4. Моделирование іемпераіурньїх молей в полупроводниковой подложке при наличии еірессовьіх злекіричсских воідейсівий па
ее поверхносіи
Глава 3. Тепловые режимы рабоїьі слоев меіаллизации на кремнии при импульсных юковых воздсйсі виих
3.1. Меюдическое оформление зкеперимеша
3.1.1. ІІодгоювка образцов
3.1.2 Используемые іесювьіе сірукіурьі 54 З.І.З.ІІроіраммно-аппаратньїй комплекс сірессовьіх воздейсівий
на сисісмьі меіаллизации на кремнии
3.1.3.1. Эксперимешальные особенносіи при формировании прямоуюльных импульсов юка
3.1.3.2. Раїрабоїка іенераюра юковых импульсов с липейно-парасіающим фронюм
Глава 4. Деірадациопные процессы в сисісмах меіаллизации на кремнии при пропускании импульсов юка высоких нлоі нос і ей
4.1. Харакіер оплавления дорожек меіалли іации
4.2.1 Ірямоуі ольные импульсы
4.3 Импульсы с линейно нарасіаюіцим фронюм
4.4 Дефекюобразование вблиіи поверхносіною иеючника іермоудара
4.5. Генерация звука в полупроводниковых сгрукіурах при импульсном токовом возмущении

4.5.1. Распросгранение звука тонкой платине
4.5.2. Мсюдика проведения эксиеримеша
4.5.3. Механические колебания кремниевых платил при импульсном на1реве кошакт
Выводы
Заключение
Ли1ера1ура
Приложение

Рис. 2.7. Блок-схема алгоритма расчет динамики тмпературы контакт А1

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.531, запросов: 967