+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Когерентные состояния поляризованности и электронные процессы в кристаллах

Когерентные состояния поляризованности и электронные процессы в кристаллах
  • Автор:

    Мастропас, Зинаида Петровна

  • Шифр специальности:

    01.04.07

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2006

  • Место защиты:

    Ростов-на-Дону

  • Количество страниц:

    142 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
"ГЛАВА 1. ИЗЛУЧЕНИЕ ФОНОНОВ ПРИ МГНОВЕННЫХ 
ИЗМЕНЕНИЯХ ЭЛЕКТРОННОГО СОСТОЯНИЯ В ПОЛЯРОНАХ.

ГЛАВА 1. ИЗЛУЧЕНИЕ ФОНОНОВ ПРИ МГНОВЕННЫХ

ИЗМЕНЕНИЯХ ЭЛЕКТРОННОГО СОСТОЯНИЯ В ПОЛЯРОНАХ.

1.1. Поляронные эффекты в электронных процессах

1.2. Квантово-когерентные состояния в поляронах Ландау-Пекара

1.3. Превращение фононной шубы полярона после его внезапной "ионизации"

1.4. Излучение фононов при перескоке поляронов

малого радиуса

ГЛАВА 2. КОГЕРЕНТНЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ СОСТОЯНИЙ

КРИСТАЛЛОВ В РЕЗУЛЬТАТЕ МЕЖЗОННОГО ЭЛЕКТРОНФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ.


2.1. Структурные изменения в кристаллах под влиянием межзонного электрон-фононного взаимодействия

2.2. Структурные изменения типа смещения в теории квантовокогерентных состояний


2.3. Электронная подсистема кристалла при структурных изменениях и деформация решётки
2.4. О возможной ведущей роли электронной подсистемы в структурных превращениях
2.5. Изменение состояния кристаллической решётки при внезапных смещениях положений равновесия ионов

ГЛАВА 3. АНОМАЛЬНЫЙ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В КРИСТАЛЛАХ С СИЛЬНЫМ МЕЖЗОННЫМ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННЫМ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕМ.
3.1. Фотовольтаические эффекты в сегнетоэлектрических
кристаллах
3.2.0 сдвиге фотоэлектронов в пространстве в результате
межзонного электрон-фононного взаимодействия
3.3. Фотовольтаический эффект в ЗМ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ
ЛИТЕРАТУРА

Актуальность темы
Непрекращающийся поиск новых материалов для современной техники в настоящее время всё более определённо ориентирует развитие физики кристаллов на выявление и исследование эффектов, обусловленных не только структурой кристалла и строением его электронной подсистемы, но и взаимным влиянием подсистем. Так, известно влияние состояния электронной подсистемы на структурные фазовые переходы в сегнетоэлектриках и в других типах кристаллов, а также влияние структуры кристалла на появление новых свойств у его электронной подсистемы. Например, исчезновение центра симметрии кристалла относительно инверсии приводит к появлению аномального фотовольтаического эффекта. Все эти эффекты являются результатом электрон-фононного взаимодействия в кристаллах, которому и посвящена настоящая работа. В ней теоретически устанавливаются связи между свойствами элементарных возбуждений в кристаллах и наблюдаемыми макроскопическими эффектами. Теоретические исследования макросвойств кристаллов на основе информации об их элементарных возбуждениях и взаимодействиях между ними, как и предсказывал В. Л. Бонч-Бруевич [1], оказываются гораздо эффективнее теоретических моделей, в которых ионам кристалла приписываются вполне определённые свойства, а их взаимодействие между собой и с системой электронов, не связанных в ионах, учитывают, исходя из первых принципов.
Наблюдаемые структурные эффекты заключаются в изменении местоположения ионов или атомов в среднем, на фоне квантовых
Рис. 4. Спектр поглощения, обусловленный фотодиссоциацией поляронов Ландау-Пекара: энергия фононов Но = 0,015э5 при у = 5 с зонной массой носителя т = те (кривая 1) и т = 3те (кривая 1')
Рис. 5. Спектр поглощения, обусловленный фотодиссоциацией поляронов Ландау-Пекара при энергиях фононов: Псо = 0,015эВ-кривая 1; Тгсо = 0,0224эЛ - кривая 2; Тш = 0,045эВ - кривая 3. Для всех кривых зонная масса носителя т = те при V = 10.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.172, запросов: 967