Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Шориков, Алексей Олегович
01.04.07
Кандидатская
2006
Екатеринбург
124 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
Глава 1. Методы расчета электронной структуры твер-•ф дого тела
1.1 Теория функционала плотности (ОРТ)
^ 1.2 Приближение локальной электронной плотности (ЬБА)
1.3 Метод ЬБА+С
1.4 Вычисление параметров обменного взаимодействия
модели Гейзенберга в рамках метода LDA+U
1.5 Вычисление интегралов межузельного перескока в формализме функций Ваннье
1.6 Обобщение метода ЬБА+(7 на случай магнитной анизотропии и скошенного антиферромагнетизма
Глава 2. Расчет магнитных свойств монохалькогенидов урана методом ГБА-{-НЧ-ЭО.
2.1 Расчет параметра одноузельного кулоновского взаимодействия
2.2 Расчет электронной структуры иБ, Ше и 11Те
2.3 Анализ электронной конфигурации
^ Глава 3. Описание фазового перехода в серии изоэлектронных твердых растворов РеЗЦ-яСе^
3.1 Расчет электронной структуры
3.1.1 Силицид железа РеБ!
3.1.2 Германид железа РеСе
3.1.3 Твердый раствор Ре811_хСеа;
3.2 Феноменологическая модель
** Глава 4. Микроскопическая модель сосуществования
сверхпроводимости и магнетизма в (Но,Оу)№2В2С
4.1 Но№2ВгС и БуМгВгС
4.2 Анализ зонной структуры
4.3 Основные листы поверхности Ферми
Глава 5. Исследование орбитального, зарядового и магнитного упорядочений в Naз;Co02
5.1 Кристаллическая структура и расщепление (7-уровня
5.2 Расчет электронной структуры в приближении вир-^ туального кристалла для ИаолгСоОг и
Nao.33CoO2l.2H2O
5.3 Расчет электронной структуры Иао.ззСоОг для сверхъ-ячейки
5.4 Расчет электронной структуры Nao.33CoO2l.2H2O в сверхъячейке
Заключение
Литература
Расчет магнитных свойств моиохалькогенидов урана
Ч—*
Ч—>
С/3
к j=5/2, m.=-5/2 J j
L j=5/2, m.=-3/2
М j=5/2, m.=-l/2
. j=5/2,m.= l/2
j=5/2, m - 3/2
j=5/2, m.= 5/2 JUIA
j=7/2, m=-7/2
j=7/2, m.=-5/2
j=7/2, m.=-3/2 . ,/vL
j=7/2, m.=-l/2 -A
j=7/2, m.= 1/2
j=7/2, m.= 3/2
j=7/2, m.= 5/2
j=7/2, m = 7/2
1 0=1/2, m
o=l/2, m
0=1/2, m
_ ^ 0=1/2, m
/ 0=1/2, m= 1 A/4/V
,o=l/2, m= 2 aAA—
o=l/2, m= 3 Vv/1
o=-l/2, m
c=-j2, m
o=-1/2, m=-l . ./4_
. .,Л_ o=-l/2, m=0 .л/V
o=-l/2, m
o=-l/2, m=2 4^л/Ал
o=-l/2, m= 3 /Л/~чЛ
-2 0 2 4 -2 0 2
Energy, eV
Рис. 2.7: Парциальные плотности 5/-состояний U в USe в jmj-представлешш слева и в LS-представлении справа. Ноль соответствует уровню Ферми
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Моделирование строения и свойств новых наноструктур методом функционала плотности | Сорокин, Павел Борисович | 2007 |
Максвелл-вагнеровская релаксация эффективных констант гетерогенных систем, содержащих сегнетоэлектрические компоненты | Радченко, Григорий Сергеевич | 2006 |
Механизмы магниторезистивного эффекта в гранулярных высокотемпературных сверхпроводниках | Балаев, Дмитрий Александрович | 2010 |