Взаимодействие пространственно-разделенных примесных центров в возбуждаемых ионных кристаллах

• Автор: Кхедер Кхалид К.
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Иркутск
• Количество страниц: 88 с. : ил.

Глава 1. Обзор литературы
1.1. Центры 0~-вакансия
1.1.1. Образование центров 0~-вакансия в ионных кристаллах
1.1.2. Оптические и электрические свойства центров 0“-вакансия
1.1.2.1. Поглощение и возбуждение центров 0”-вакансия
1.1.2.2. Реакции преобразования центров 0~-вакансия в результате фото-воздействия
1.1.3. Термостимулированная деполяризация (ТСД)
1.1.4. Переориентация диполей 0~-вакансня в кристаллах СаР2
1.1.5. Ионная проводимость
1.1.5.1. Ионная проводимость в кристаллах СаГ2, содержащих кислород
1.1.6. Кинетика затухания люминесценции центров СГ-вакансия
1.2. Перенос электрона при внутрицентровом возбуждении в ЩГК
1.2.1. Перенос электрона от возбуждаемого иона на активаторную ловушку
1.2.2. Механизм фотопроводимости при внутрицентровом возбуждении
1.2.3. Кинетика затухания фотолюминесценции
щелочногалондных фосфоров
1.2.4. Феноменологический анализ кинетики затухания люминесценции
Глава 2. Экспериментальная часть
2.1. Объекты исследования

2.2. Экспериментальная установка и методика измерений
фото- и термоэлектрических явлений
2.3. Экспериментальная установка и методика измерения фотолюминесценции и кинетики затухания свечения
Глава 3. Взаимодействие пространственно разделенных кислород-вакансионых центров в кристаллах Саїїг благодаря возникновению при возбуждении кратковременной молекулярной связи
3.1. Экспериментальные результаты
3.1.1 Люминесценция центров кислород-вакансия в кристаллах СаГг
3.1.2. Фототок, фото- и термостимулированная деполяризация
3.1.3. Температурная зависимость ионного тока
Заключение
Основные результаты работы
Список литературы

Актуальность проблемы: Поскольку исследования по физике твердого тела имеют огромное прикладное значение для развития техники, а также направлены на решение ряда фундаментальных проблем, изучение ионных кристаллов представляет большой теоретический интерес и находит важные применения во многих областях техники. Это связано, в первую очередь, с тем, что ионные кристаллы — лучшие из известных сцинтилляционных материалов-детекторов ядерных излучений. На ионных кристаллах созданы лучшие оптические квантовые генераторы, а тонкие слои ионных кристаллов играют важную роль в диэлектрической электронике. Но, однако, огромный интерес к физике ионных кристаллов обусловлен в значительной мере и другой причиной. Она заключается в том, что ионные кристаллы представляют собой класс твердых тел с экстремальными физическими свойствами, обусловленными ионным характером связей между кристаллообразующими частицами. Особое положение среди ионных кристаллов занимают монокристаллы щелочногалоидных и щелочноземельных соединений. Так как щелочногалоидные и щелочноземельные кристаллы прозрачны в широкой области спектра и имеют простую кристаллическую решетку, они уже долгое время служат удобными модельными объектами при изучении сложных физических процессов, происходящих в телах под действием радиации. Исследование закономерностей различных явлений в ионных кристаллах успешно переносится на системы более сложной структуры.
Использование ионных кристаллов в люминесцентных приборах основано на регистрации излучения примесных центров. Поэтому для успешного решения поставленных задач необходима точная информация о детальной микроструктуре тел с различным типом связей, о том, как меняются физические свойства систем в гомологических рядах кристаллов. Динамика кри-

е, вольты
Рис. 2.1. Зависимость фототока от приложенного напряжения (8) в
кристалле СаР2:02', при температуре 300 К.