Электронно-микроскопическое исследование кристаллов с сильным изгибом решётки в тонких плёнках на основе халькогенидов и оксидов металлов

• Автор: Швамм, Константин Леович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 150 с. : ил.

ГЛАВА 1. Общие сведения о кристаллах с сильным внутренним изгибом кристаллической решётки

1.1 Особенности и получение тонких, в том числе, аморфных плёнок

1.2 Кристаллические структуры с переменной кристаллографической ориентировкой

1.3 Экспериментальные и модельные представления о структуре кристаллов с сильным внутренним изгибом решётки
1.4 Изгибные экстинкционные контуры и их роль в исследовании структуры кристаллов с сильным внутренним изгибом решётки
1.4.1 Образование изгибных экстинкционных контуров на электронно-микроскопических изображениях

1.4.2 Теоретические основы индицирования картин изгибных экстинкционных контуров

1.4.3 Теоретические основы определения

кристаллографической ориентировки по картинам изгибных экстинкционных контуров

1.4.4 Физические и геометрические основы определения величины внутреннего изгиба кристаллической решётки

1.5 Обоснование выбора образцов для исследования

1.6 Выводы по главе 1. Формулировка цели работы
ГЛАВА 2. Методика
2.1 Приготовление образцов
2.2 Методы кристаллизации тонких аморфных плёнок и
исследования структуры растущих кристаллов
2.3 Обзор исследовавшихся тонких плёнок
2.4 Использование метода изгибных контуров для анализа
электронно-микроскопических микроизображений
2.4.1 Индицирование картин изгибных экстинкционных контуров
2.4.2 Определение кристаллографической ориентировки кристаллов
2.4.3 Определение величины внутреннего изгиба кристаллической решётки методом изгибных контуров
2.4.4 Определение толщины кристаллов и плёнок методом изгибных экстинкционных контуров
2.5 Методика проведения комбинированных исследований
методами просвечивающей электронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии
2.6 Методика определения компонентного состава тонких
бинарных плёнок
2.7 Выводы по главе 2. Формулировка задач диссертационной
работы
ГЛАВА 3. Исследование особенностей внутреннего изгиба в кристаллах теллура, растущих в тонких аморфных плёнках Си-Те и БЬ-Те
3.1 Исследование плёнок Си-Те

3.1.1 Краткий обзор исследовавшихся плёнок
3.1.2 Влияние толщины плёнки на изгиб кристаллической
решётки и морфологию растущих кристаллов теллура
3.1.3 Влияние состава плёнки на изгиб кристаллической
решётки и морфологию растущих кристаллов теллура
3.2 Исследование плёнок БЬ-Те
3.2.1 Краткий обзор исследовавшихся плёнок
3.2.2 Внутренний изгиб решётки отдельных микрокристаллов

3.2.3 Влияние толщины плёнки на величину внутреннего изгиба
3.3 Обсуждение результатов
3.3.1 Сильный внутренний изгиб решётки кристаллов теллура
3.3.2 Анизотропия внутреннего изгиба кристаллической решётки
3.3.3 Влияние толщины и состава плёнки на величину
внутреннего изгиба и морфологию кристаллов
3.4 Краткие выводы
ГЛАВА 4. Исследование особенностей внутреннего изгиба решётки кристаллов, растущих в плёнках оксида хрома
4.1 Общий обзор плёнок
4.2 Исследование особенностей кристаллографической
ориентировки серповидных кристаллов оСггОз методом изгибных экстинкционных контуров
4.3 Определение ориентировки серповидных кристаллов гониометрическим методом
4.4 Выводы по главе

индицировались картины микродифракции. И, таким образом, определялись индексы нескольких зонно-осевых картин;
— индексы изгибных контуров, запечатлённых на темнопольных изображениях определялись как индексы рефлекса, в котором темнопольное изображение было получено;
— карта изгибных контуров сравнивалась с микроизображением и, с учётом проиндицированных контуров, позволяла провести индицирование остальных контуров и зонно-осевых картин.
Дополнительным подспорьем при индицировании являлось то, что: 1) контурам в паре соответствуют диаметрально
противоположные рефлексы (т.е. те, которые обладают индексами Ьк1 и НИ)на микроэлектронограмме; 2) пара изгибных контуров с индексами йк1 и ЕкТ обычно перпендикулярна (с учётом поворота изображения в магнитных линзах) линии, соединяющей на дифракционной картине рефлексы Ьк1 и ЕкТ;
Критерием правильности индицирования являлось выполнение стандартных кристаллографических равенств 1.5, 1.6 (стр. 30), связывающих индексы плоскостей и направлений. В спорных случаях (если по картам контуров получается несколько вариантов индицирования) эти формулы могут помочь с выбором верного варианта.
2.4.2 Определение кристаллографической ориентировки кристаллов
Определение кристаллографической ориентировки кристалла или отдельных его участков проводилось либо стандартным методом, по картинам микродифракции, либо по картинам изгибных экстинкционных контуров.