Электрическая релаксация и фотоиндуцированные явления в поликристаллах Pb3O4

• Автор: Баранова, Екатерина Петровна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 128 с. : ил.

Основные обозначения и сокращения
Глава- 1. Диэлектрическая поляризация и фотостимулированные явления в высокоомных полупроводниках в переменном электрическом поле
1.1. Особенности процесса зарядообразования в высокоомных полупро1 1 ' / ,
водниках
1.2. Фотополяризационные свойства высокоомных полупроводников
1.3. Проводимость высокоомных полупроводников в переменном’электрическом поле
1.4. Особенности структурных и физических свойств ортоплюмбата свинца РЬ304
1.5. Выводы по обзору литературы и постановка задач исследования
Глава 2.-Методы изготовления образцов и их исследования
2.1. Технология получения слоев РЬ304 со связующим веществом
2.2. Измерение диэлектрических и фотодиэлектрических характеристик
2.3. Методы токовой.спектроскопии
Глава 3. Релаксация поляризации в поликристаллических слоях РЬ304
3.1. Температурно-частотная дисперсия диэлектрических характеристик МДМ-структур на основе РЬ304 в области низких частот
3.2. Изотермические токи релаксации в слоях ортоплюмбата свинца
3.3. Дисперсия диэлектрических параметров в области инфранизких частот в ортоплюмбате свинца
3.4. Проводимость слоя РЬ304 в переменном электрическом поле
3.5. Выводы по 3 главе
Глава 4. Фотоиндуцированные явления в поликристаллах РЬ304
4.1. Влияние светового возбуждения на диэлектрические параметры слоев РЬ304
4.2. Проводимость слоя РЬ304 в переменном электрическом поле в световом
режиме измерения
4.3. Кинетика фотополяризационных явлений в поликристаллических слоях
РЬ304
4.4. Выводы по 4 главе
Заключение
Список литературы

Основные обозначения и сокращения
? - время
т— время релаксационного процесса е— относительная диэлектрическая проницаемость
с , £/;- вещественная и мнимая составляющие комплексной диэлектрической проницаемости е* а - проводимость полупроводника Дет — фотопроводимость
С/тах - амплитуда измерительного напряжения р- удельное сопротивление Е - напряженность электрического поля Ея — энергия активации к - постоянная Планка к - постоянная Больцмана С - емкость полупроводника АС - изменение емкости Щ<5 — тангенс угла диэлектрических потерь Л1£б5 - изменение тангенса угла диэлектрических потерь Ь - освещенность Ф - интенсивность освещения Т- абсолютная температура /- частота переменного поля со — циклическая частота V - фононная частота А - длина волны / - сила тока
с1 - толщина полупроводникового слоя е - элементарный заряд
п — концентрация свободных носителей заряда /4,у— эффективная подвижность носителей заряда
приборов. На рис. 2.5 приведены установки, использующие ряд преимуществ перечисленных схем и исключающие их некоторые недостатки.
В настоящей работе в качестве метода инфразвуковой диэлектрической спектроскопии использовалось измерение токов изотермической релаксации (ИТР) под действием напряжения синусоидальной формы. Блок - схема установки для получения переходных токов через исследуемую конденсаторную структуру приведена на рис. 2.5, а. В исходном состоянии переключатель ^ был замкнут на землю, и образец находился в разряженном состоянии. При переключении Зі в верхнее по схеме положение от источника постоянного тока Гб-15 (1) к образцу 7?ХСХ скачком прикладывалось поляризационное напряжение £/„. Ток поляризации (/„), протекающий через исследуемую структуру, измерялся электрометрическим вольтметром В7-30 (2), с выхода которого соответствующее напряжение поступает на вход “У” самопишущего прибора (3). Путем подачи пилообразного напряжения от генератора сигналов специальной формы Гб-15 (4) на вход “X” самописца реализовывалась временная развертка исследуемых зависимостей. При замыкании 5і вновь на землю осуществлялась регистрация тока деполяризации образца (/дсп). Погрешность измерения токов изотермической поляризации составляла значение ± 0.05/п.
Во- время измерений тока поляризации значение температуры поддерживалось в пределах Т = 293 — 340 К с точностью до ± 0.5 К с помощью автоматического фиксирования величины тока, питающего электронагреватель.
Исследование диэлектрических характеристик в диапазоне ИНЧ осуществлялось с помощью установки, приведенной на рис. 2.5, б. Генератор напряжений Гб-15 (1) вырабатывал два равных по величине, но
противоположных по знаку напряжения синусоидальной формы, одно из которых прикладывалось к исследуемому образцу Л,.С. Ток, идущий через образец, определялся электрометрическим вольтметром В7-30 (2) в режиме измерения тока и регистрировался двухкоординатным потенциометром