Скоростной рост моносекториальных профилированных кристаллов группы KDP

• Автор: Ершов, Владимир Петрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Нижний Новгород
• Количество страниц: 146 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ ...

%. ' -V. . '

ГЛАВА 1. Традиционные и скоростные методы выращивания

водорастворимых кристаллов

1.1 Традиционные методы выращивания водорастворимых кристаллов

1.2 Скоростные методы выращивания водорастворимых кристаллов

ГЛАВА 2. Необходимые условия скоростного выращивания

моносекториальных профилированных кристаллов

2.1. Принципиальная схема метода скоростного выращивания

моносекториальных профилированных кристаллов .'

2.2. Необходимые соотношения скоростей роста граней для получения моносекториального кристалла
2.3. Необходимые гидродинамические условия около растущей грани
2.4. Обеспечение устойчивости раствора к спонтанной кристаллизации
2.5. Сравнение метода скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов с другими методами выращивания
ГЛАВА 3. Проблемы скоростного выращивания моносекториальных
профилированных кристаллов типа КВР
3.1. Влияние гидродинамических условий на рост послойно растущей грани кристалла. Пространственное распределение величины локального наклона относительно сингулярной грани
. 3.1ЛВлияние неоднородностей толщины диффузионного слоя и-'"
лоложений центров роста на качество кристаллов ;..7..29" ;
3.1.2 Возникновение дефектов на послойно рас тущей грани кристалла
3.1.3 Послойный рост грани кристалла в касательном потоке раствора
3.1.4 Смена ведущего центра роста...,
3.2 Влияние примесей на рост граней кристаллов типа КОР. Методика
экспресс-анализа качества растворов для выращивания
кристаллов
3.2.1 Поляризационно-интерференционная установка для измерения скорости роста граней двулучепреломляющих
кристаллов
3.2.2 Влияние примесей Ре3+ на кинетику роста кристаллов КОР и ОКОР, растущих в режиме концентрационной конвекции при различных температурах. Методика экспресс-анализа качества растворов для выращивания кристаллов
3.3 Кинетика роста граней в условиях естественной и вынужденной
конвекции
3. 4 Влияние добавки ортофосфорной кислоты к растворам на рост
граней {100} и {101} кристаллов КОР и ОКОР
3.5 Устойчивость раствора к спонтанной кристаллизации
3.5.1 Сравнение экспериментальных результатов по устойчивости растворов КОР с теоретическими оценками
3.5.2 Кристаллизация в каплях раствора
ГЛАВА 4. Метод скоростного выращивания моносекториальных
профилированных кристаллов .*
4.ЬКонструкция кристаллизаторов
4.2 Основные требования к кристаллизационной аппаратуре

. ' 4 •• ‘ . ■■
4.3 Подготовка затравок
4.4 Подготовка раствора и деталей кристаллизатора перед выращиванием кристалла
4.5 Сборка кристаллизатора
4.6 Заливка кристаллизатора. Регенерация затравки. Выход на рабочий режим
4.7 Проведение выращивания
4.8 Завершение процесса выращивания. Разборка кристаллизатора
4.9 Оптическое качество кристаллов
4.9.1 Оптическая однородность кристаллов
4.9.2 Спектроскопия скоростных кристаллов
4.9.3 Оптическая стойкость
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
ЛИТЕРАТУРА
Список научных работ В.П. Ершова, опубликованных
по теме диссертации
50 ' -• ' Уу
В основу метода измерения прироста кристалла положен способ, предложенный в работе [43]. Как известно, при прохождении света через двулучепреломляющий кристалл луч разбивается на два луча - обыкновенный и необыкновенный. Эти лучи имеют взаимно перпендикулярные направления поляризации и распространяются в кристалле с различными скоростями, определяемыми главными показателями преломления кристалла и направлениями распространения лучей относительно оптической оси (или осей для двуосного кристалла). Если геометрические пути обыкновенного и необыкновенного лучей в кристалле одинаковы и равны I, тогда на выходе эти лучи будут иметь разность фаз, равную:
' = 2'Я ——•/ • (3.17),
где (р- разность фаз обыкновенного и необыкновенного лучей, X- длина волны, п0- показатель преломления обыкновенной волны, пе* - показатель преломления необыкновенной волны в направлении распространения волнового фронта необыкновенного луча, I - толщина кристалла.
Величина п0 - пе* определяется значениями главных показателей преломления и направлением распространения луча в кристалле. В случае одноосного кристалла и при нормальном падении луча на плоскопараллельную кристаллическую пластину (Рис.3.8), показатель преломления для необыкновенного луча п* будет равен:
1±^_0 И 1 Я1»
Р/+П 2л2в. .
где- пг - главный показатель преломления необыкновенной волны, 0- угол между направлением падающего луча и оптической осью кристалла. Угол а