Нелинейные эффекты в оптике и механике неоднородных приграничных слоев металлов и полупроводников

• Автор: Горобей, Наталья Николаевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 252 с. : ил.

ГЛАВА I. АНОМАЛЬНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ ПЕРЕХОДНЫХ СЛОЯХ ТВЕРДЫХ ТЕЛ
1.1 .«Гигантское» усиление комбинационного рассеяния света молекулами, адсорбированными на шероховатой металлической поверхности (обзор экспериментальных результатов)
1.2,Обзор теоретических исследований явления SERS
1.3.Туннельные контакты
(обзор экспериментальных данных)
Заключение по обзору экспериментальных и теоретических работ, посвященных явлению SERS
1 АОптически сильно неоднородный переходный слой контакта металл - полупроводник
1.5.Электромагнитная теория усиления электрического поля в оптически неоднородном переходном слое
1.6.Комбинационное рассеяние света примесными центрами, находящимися в оптически неоднородном переходном слое
1.6.1. Общая теория рассеяния в изотропных средах
1.6.2. Решение электродинамической задачи комбинационного рассеяния света в случае оптически сильно неоднородного переходного слоя

Заключение и выводы к главе I

ГЛАВА II. УСИЛЕНИЕ ГЕНЕРАЦИИ ВТОРОЙ ГАРМОНИКИ В ОПТИЧЕСКИ СИЛЬНО НЕОДНОРОДНОМ
ПЕРЕХОДНОМ СЛОЕ
2.1. Теоретические подходы к нелинейным оптическим явлениям (обзор)
2.2. Усиление генерации второй гармоники в неоднородной среде (обзор экспериментальных данных)
2.3. Генерация второй гармоники в отражении от неоднородного переходного слоя
нанометрической толщины
Заключение и выводы к главе II
ГЛАВА III. ВЛИЯНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ПОЛЯРИТОНА В ТРЕХСЛОЙНОЙ СИСТЕМЕ ВАКУУМ - МЕТАЛЛ - ПОЛУПРОВОДНИК С ГОФРИРОВАННЫМ РЕЛЬЕФОМ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА НА ФОТООТВЕТ ПОЛУПРОВОДНИКА
3.1. Роль поверхностных плазмой - поляритонов
в явлении SERS
3.2.Возбуждение поверхностного поляритона в структуре
вакуум - металл - полупроводник
3.3.Сопоставление с экспериментальными данными
Заключение и выводы к главе III
Г Л А В А IV. ФОРМИРОВАНИЕ ДЕФОРМАЦИОННОГО РЕЛЬЕФА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ве^і И АМОРФНОГО СПЛАВА Ре70Сг,5Я15
4.1.Введение
^.Экспериментальные результаты исследования топографии поверхностей полупроводников Се(і 11), 5г'(і1і) и аморфного сплава Ре10Сг1}В15 методом сканирующей
туннельной микроскопии
4.3.Фрактальная структура деформационного поверхностного рельефа аморфного сплава на основе желееза FenCrl5B]5
4.4.Энергетическая трактовка образования деформационного поверхностного рельефа при упругом растяжении
Заключение и выводы к главе IV
ГЛАВА V. ФИЗИЧЕСКАЯ ПРИРОДА КИНЕТИЧЕСКОГО
ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ РЕЛЬЕФА
ДЕФОРМИРУЕМОЙ ПОВЕРХНОСТИ
5.1. Физические механизмы образования деформационного поверхностного рельефа
5.2. Дислокационный вклад в процесс образования деформационного поверхностного рельефа
5.3. Ведущая роль поверхностной самодиффузии в процессе образования деформационного поверхностного рельефа
5.4. Термоактивированный характер кинетических процессов, ответственных за образование деформационного поверхностного рельефа
5.5. Метод производящей функции в динамике адиабатически нагруженного ангармонического осциллятора
Заключение и выводы к главе V
Выводы
Список литературы

объеме полупроводника, п(г) - концентрационный профиль
распределения электронов в переходном слое.
Мнимая часть диэлектрической проницаемости обусловлена столкновением свободных электронов с препятствиями, в качестве которых могут выступать различные точечные дефекты кристаллической решетки твердых сред. К ним можно отнести примесные атомы замещения, внедрения и вакансии.
Как было сказано выше, усиление электрического поля происходит в окрестности плоскости 2 = 0 и определяется поведением диэлектрической проницаемости в этой области, поэтому подробнее рассмотрим поведение реальной и мнимой частей диэлектрической проницаемости в области переходного слоя. Приняв диэлектрическую проницаемость в виде (1.4.4), отметим, что концентрационный профиль электронов в неоднородном слое отслеживает зависимости реальной и мнимой части диэлектрической проницаемости от координаты. Запишем по отдельности реальную и мнимую части диэлектрической проницаемости переходного слоя
В свою очередь, свободные электроны переходного слоя находятся в равновесии и подчиняются статистике Больцмана:
(1.4.5)
(1.4.6)
(1.4.7)