Исследования зарядовых процессов в инжекционно модифицированных структурах и разработка приборов на их основе

• Автор: Ткаченко, Алексей Леонидович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Калуга
• Количество страниц: 145 с. : ил.

ГЛАВА 1. ИЗУЧЕНИЕ ЗАРЯДОВЫХ ПРОЦЕССОВ В ДИЭЛЕКТРИКЕ ИНЖЕКЦИОННО МОДИФИЦИРОВАННЫХ СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК
1.1. Методы модификации зарядов в диэлектрике МДП-структур
1.2. Процессы модификации зарядового состояния подзатворного диэлектрика МДП-структур
1.3. Влияние радиационных и термополевых воздействий на
характеристики МДП-структур
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И МОДИФИКАЦИИ МДП-СТРУКТУР
2.1. Инжекционный метод постоянного тока для исследования МДП-структур в сильных электрических полях
2.2. Метод управляемой токовой нагрузки для исследования параметров инжекционно модифицированных МДП-структур
2.3. Экспериментальные установки, применяемые для инжекционной модификации и исследования инжекционно
модифицированных диэлектрических слоев МДП-структур
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИНЖЕКЦИОННОЙ МОДИФИКАЦИИ МНОГОСЛОЙНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
СЛОЕВ МДП-СТРУКТУР
3.1. Исследование влияния режимов сильнополевой туннельной инжекции на зарядовое состояние МДП-структур при инжекционной модификации

3.2. Исследования процессов стекания инжекционно стимулированного заряда в инжекционно модифицированных МДП-структурах при термических воздействиях
3.3. Моделирование переноса заряда и процессов зарядовой нестабильности в областях дефектов МДП-структур при протекании инжекционного тока
3.4. Определение допустимых отклонений параметров МДП-структур
в областях дефектов при инжекционной модификации
3.5. Метод инжекционной модификации МДП-структур
81-8Ю2-ФСС-А1 в сильных электрических полях
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ТЕРМОСТАБИЛЬНУЮ КОМПОНЕНТУ ИНЖЕКЦИОННО СТИМУЛИРОВАННОГО ЗАРЯДА
4.1. Исследование влияния электронного облучения на МДП-структуры 8ь8Ю2-А1 и 81-8Ю2-ФСС-А1
4.2. Исследование влияния электронного облучения на термостабильную компоненту инжекционно модифицированных МДП-структур 81-8Ю2-ФСС-А1
4.3. Возможности имитационных инжекционных испытаний
радиационной стойкости МДП-структур БьБЮгА!
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 5. РАЗРАБОТКА ПОЛЕВЫХ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ
ИНЖЕКЦИОННО-МОДИФИЦИРОВ АННЫХ СЛОЕВ
5.1. Способ изготовления МДП-транзистора с параметрами, изменяемыми сильнополевой туннельной инжекцией

5.2. Разработка конструкции и технологии изготовления МДП-транзистора на основе инжекционно модифицированных
слоев
5.3. Стабилизатор напряжения на основе МДП-транзистора с параметрами, изменяемыми сильнополевой туннельной
инжекцией
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЯ

Основные технические характеристики прибора ИМП - ЗТМ приведены в табл. 1.
ИМП - ЗТМ работает следующим образом. С блока управления на электронный коммутатор поступает сигнал начала измерения. По этому сигналу электронный коммутатор подаёт +200 В на делитель. Генератор микротока заряжает МДП-структуру постоянным током заданной величины. Напряжение на структуре дифференцируется дифференциатором. В момент, когда ток, протекающий через МДП-структуру, станет только активным и производная напряжения на структуре будет равна нулю, равным нулю станет и напряжение на выходе дифференциатора. При этом компаратор вырабатывает сигнал окончания измерения, который поступает на блок управления. Блок управления вырабатывает сигнал запуска АЦП. АЦП измеряет напряжение на структуре, которое отображается на блоке индикации. После окончания измерения АЦП блок управления подаёт сигнал на электронный коммутатор, который снимает напряжение с МДП-структуры.
В режиме инжекционной модификации подача тока на МДП-структуру после измерения напряжения микропробоя не прекращается, а продолжается заданное время, обеспечивая инжекцию заряда требуемой плотности.