Закономерности ориентированной кристаллизации пленочных гетерофазных систем на основе Ag и Ni

• Автор: Березин, Михаил Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 132 с. : ил.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

ГЛАВА 1 СТРУКТУРНЫЕ И СУБСТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ

1.1 Методы получения тонких пленок

1.2 Процессы испарения и конденсации

1.3 Механизмы роста пленок

1.4 Структурные и субструктурные превращения при росте пленок в системах с сильным взаимодействием на межфазной границе

1.4.1 Основы теории Франка и Ван дер Мерве

1.4.2 Структура псевдоморфного слоя

1.4.3 Критическая толщина псевдоморфного слоя

1.4.4 Механизм релаксации упругих деформаций псевдоморфного слоя

1.5 Критерии ориентированной кристаллизации пленок

1.5.1 Кристаллогеометрические критерии ориентированной кристаллизации
1.5.2 Размерный эффект, обусловленный минимизацией энергии межфазной границы
1.6 Дефекты кристаллической структуры пленки
1.7 Постановка задач
ГЛАВА 2 МЕТОДИКА КОМПЬЮТЕРНОГО ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1 Межатомное взаимодействие
2.2 Расчетные схемы
2.2.1 Алгоритм метода молекулярной динамики
2.2.2 Алгоритм метода статической релаксации
2.3 Метод погруженного атома

2.4 Расчет основных характеристик модели
2.4.1 Измерение термодинамических величин
2.4.2 Структурные функции
2.4.3. Многогранники Вороного
2.5 Периодические граничные условия
ГЛАВА 3 ЗАКОНОМЕРНОСТИ ОРИЕНТИРОВАННОЙ
КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОФАЗНЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ Аё и №
3.1 Построение компьютерных моделей пленочных гетерофазных систем на основе А§ и №
3.1.1 Создание молекулярно-динамических моделей аморфных пленок и подложек различных ориентаций
3.1.2 Методика молекулярно-динамического расчета
3.2 Кристаллизация пленочных гетерофазных систем А§/(001 )Иі и №/(001)А§
3.2.1 Ориентированная кристаллизация пленки А§
на монокристаллической подложке № ориентации (001)
3.2.2 Ориентированная кристаллизация пленки N1
на монокристаллической подложке А§ ориентации (001)
3.3 Кристаллизация пленочных гетерофазных систем А§/(110)№ и №/(110)Аё
3.3.1 Ориентированная кристаллизация пленки А§
на монокристаллической подложке № ориентации (110)
3.3.2 Ориентированная кристаллизация пленки №
на монокристаллической подложке А§ ориентации (110)
3.4 Кристаллизация пленочных гетерофазных систем А^(111)№ и ЩПЦАб
3.4.1 Ориентированная кристаллизация пленки А§ на монокристаллической подложке № ориентации (111)
3.4.2 Эффект закручивания пленки в системе А§/( 111)№
3.4.3 Ориентированная кристаллизация пленки №
на монокристаллической подложке Ag ориентации (111)
3.5 Структурная самоорганизация в металлической
гетеросистеме кристалл - монослойная пленка №/(001)А§
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

момент времени 4+|=^+Дг. Величину шага А/ выбирают таким образом, чтобы метод интегрирования порождал устойчивое решение. Один из способов проверки устойчивости метода заключается в контроле величины полной энергии и обеспечении того, чтобы она не отклонялась от начального значения в модели микроканонического ансамбля. Большая величина шага А/ приводит к увеличению ошибки определения полной энергии и потери устойчивости решения ДЛЯ гГ] И р/Ж). При выборе метода кроме устойчивости существенными являются точность, надежность и эффективность. Простота также является несомненным преимуществом метода. К наиболее известным конечно-разностным методам относятся такие, как метод Эйлера, центральных разностей [116], Верле [113], Бимана [117], предиктор-корректор [118]. Ниже приведен один из способов получения очень популярной скоростной формы алгоритма Верле.
В результате интегрирования уравнений Ньютона (2.2) и (2.3),
и замены переменной интегрирования г=4+М/; с#=Дй//г; 0
р[Ш) = рк) +А/|^. (1к + кМ )йк. (2.7)

Используя разложение в ряд Тейлора подынтегрального выражения в
(2.6) и ограничиваясь ввиду малости временного шага А? первыми двумя членами этого разложения, перепишем (2.6) в виде:
(2.4)
(2.5)
(2.6)