Динамика структурно-фазовых переходов на поверхности кремния при импульсном световом облучении

• Автор: Захаров, Максим Викторович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 143 с. : ил.

ОСНОВНЫЕ СОКРАЩЕНИЯ И УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ,

ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ В РАБОТЕ

ГЛАВА I. ИМПУЛЬСНОЕ СВЕТОВОЕ ОБЛУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1. Локальное анизотропное плавление полупроводников

1.2. О природе центров зарождения локальной жидкой фазы на поверхности полупроводников при импульсном световом облучении

1.3. О микрорельефе локальных областей плавления

1.4. Процессы рекристаллизации кремния

1.4.1. Твердофазный эпитаксиальный рост кремния

1.4.2. Основные закономерности ТФЭ- и СТФЭ-роста

1.4.3. Сравнительный анализ моделей ТФЭ- и СТФЭ-роста

1.5. Выводы к Главе

ГЛАВА II. ТЕХНИКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Методика исследования эффекта локального анизотропного плавления
2.1.1. Образцы и техника импульсного светового облучения
2.1.2. Техника и методика исследования динамики зарождения и роста ЛОП
2.2. Методика для исследований степени дефектности гидрогенизированного кремния

2.3. Методика бесконтактного исследования динамики рекристаллизации и локального плавления поверхности имплантированных полупроводников
2.3.1. Установка для исследования динамики структурно-фазовых переходов при импульсной световой обработке
2.3.2. Основополагающие моменты оригинальной дифракционной методики исследования динамики рекристаллизации и локального
плавления имшшпированного кремния
2.3.3 Обработка экспериментальных данных
2.3.3. Предложения по развитию методов исследования структурнофазовых переходов имплантированных полупроводников
2.3.4. Программа управления установкой
2.4. Выводы к Главе II
ГЛАВА III. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ ПРОЦЕССОВ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ И ЛОКАЛЬНОГО ПЛАВЛЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ИМПЛАНТИРОВАННОГО КРЕМНИЯ
3.1. Апробация методики для исследований динамики рекристаллизации и локального плавления имплантированного кремния
3.2. Ы-эйи исследования процессов рекристаллизации имплантированного кремния при импульсном световом облучении
3.3. Исследование электрофизических параметров мелкозалегающих р-п переходов, сформированных имплантацией и ИСО
3.4. Исследования особенностей электрической активации имплантированной примеси при двухстадийном ИСО
3.5. Выводы к Главе III
ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ИМПУЛЬСНОГО СВЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ
4.1. Результаты и обсуждения
4.2. Выводы к Главе IV

ГЛАВА V. ИССЛЕДОВАНИЕ СТЕПЕНИ ДЕФЕКТНОСТИ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ПОДСЧЁТА ЛОКАЛЬНЫХ ОБЛАСТЕЙ ПЛАВЛЕНИЯ ПОСЛЕ ИМПУЛЬСНОГО
СВЕТОВОГО ОБЛУЧЕНИЯ
5.1. Экспериментальные результаты
5.1.1. Исследование поверхности образцов Бі с помощью атомно-силового микроскопа до и после обработки в потоке АВ
5.1.2. Исследование поверхности образцов Б і после импульсной световой обработки в режиме образования ЛОП
5.2. Обсуждение экспериментальных результатов
5.3. Выводы к Главе V
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
БЛАГОДАРНОСТИ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Затем ещё более существенный (а, скорее всего, основной) вклад в увеличение ДЭ вносит появление микрорельефа на поверхности расплавленных областей, т.е. происходит преобразование отражательной дифракционной решетки в фазовую. Об этом свидетельствует тот факт, что после выключения светового импульса, остывания образца и рекристаллизации локальных областей расплава дифракционная картина остается практически неизменной. На рис. 2.5 приведена фотография дифракционной картины после импульсного светового облучения в режиме локального плавления.
Ниже приводятся фотографии дифракционной картины от наших образцов под различными углами падения зондирующего лазера: до того как они были подвергнуты световой обработке (рис. 2.6) и после нее (рис. 2.7). В этих экспериментах угол измерялся от нормали к плоскости поверхности образца.