Атомная структура поверхности GaAs(001)-4х2 при малой степени покрытия йодом
- Автор:
Веденеев, Александр Александрович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
116 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Магнитные состояния лантаноидов и марганца в соединениях A3B5 | Штельмах, Константин Федорович | 2005 |
| Нелинейные электромеханические свойства сегнетоэлектриков с несоразмерными фазами | Каллаев, Сулейман Нурулисланович | 1999 |
| Исследование фторидов со структурой перовскита, активированных ионами таллия и свинца, методами оптической и ЭПР спектроскопии | Шахов, Александр Алексеевич | 2007 |