Атомная структура поверхности GaAs(001)-4х2 при малой степени покрытия йодом
- Автор:
Веденеев, Александр Александрович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
116 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Образование нанофазы и размерные эффекты в свойствах наночастиц в стекле | Лейман, Валерий Иванович | 2006 |
| Диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектрических полимерных пленок | Кузнецова, Нелли Ивановна | 2002 |
| Структура кристаллов некоторых комплексов Sb(V) и Bi(V) и особенности их координационных полиэдров | Андреев, Павел Валерьевич | 2018 |