Атомная структура поверхности GaAs(001)-4х2 при малой степени покрытия йодом
- Автор:
Веденеев, Александр Александрович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
116 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Атомная структура поверхности GaAs(001)-4х2 при малой степени покрытия йодом», автор — Веденеев, Александр Александрович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Москва в 2007 году. Объем работы: 116 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003312486. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике" | Филимонова, Нина Ивановна | 2011 |
| Импульсная спектроскопия ядерного квадрупольного резонанса 14N | Осокин, Дмитрий Яковлевич | 1984 |
| Оптические исследования полупроводниковых структур на основе нитридов металлов III группы и разработка количественных методик их диагностики | Давыдов, Валерий Юрьевич | 2009 |