Атомная структура поверхности GaAs(001)-4х2 при малой степени покрытия йодом
- Автор:
Веденеев, Александр Александрович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
116 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Атомная структура поверхности GaAs(001)-4х2 при малой степени покрытия йодом», автор — Веденеев, Александр Александрович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Москва в 2007 году. Объем работы: 116 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003312486. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Аннигиляция позитронов в канцерогенных и антиоксидантных веществах | Пивцаев, Алексей Александрович | 2018 |
| Распределение сил осцилляторов в области резонансной структуры ультрамягких рентгеновских спектров поглощения молекул и твердых тел | Сивков, Виктор Николаевич | 2003 |
| Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона | Рубанов, Павел Владимирович | 2012 |