Атомная структура поверхности GaAs(001)-4х2 при малой степени покрытия йодом
- Автор:
Веденеев, Александр Александрович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
116 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Теория нелинейных кинетических явлений в полупроводниках со сложной зонной структурой | Чуенков, Василий Андреевич | 2003 |
| Структура примесных центров Gd3+ и Eu2+ во флюоритах и смешанных кристаллах на их основе | Чернышев, Владимир Артурович | 2003 |
| Динамические и упругие свойства медь-кислородных керамик в рамках оболочечной модели и модели ян-теллеровских центров | Ковалев, Олег Сергеевич | 1998 |