Релаксационные явления в некоторых наноразмерных магнитоэлектроупорядоченных системах

• Автор: Родионова, Анастасия Александровна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Курск
• Количество страниц: 182 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Явления в магнетиках, сегнетоэлектриках и сегнстомагнетиках, связанные с процессами смещений и вращений в области линейного отклика

1.1.1. Внутреннее трение и обратимые смещения доменных границ (ДГ)

1.1.2. Обратимые вращения векторов спонтанной намагниченности и поляризации в магнитоэлектроупорядоченных системах
1.1.3. О АЕ- и АС - эффектах в магнетиках и сегнетоэлектриках в смещающих полях (комбинированные внешние воздействия)
1.1.4. Генерация акустических волн в переменных магнитных и электрических полях в полиосных магнетиках, сегнетоэлектриках и сегнстомагнетиках

1.2. Гистерезисные потери в сегнетоэлектриках и магнетиках

1.21. Магнитоупругий гистерезис (МУГ) в магнетиках и упругоэлектрический (УЭГ) в сегнетокристаллах
1.2.2. Экспериментальные закономерности
1.2.3. Способы теоретического описания гистерезисных потерь
1.2.4. Явления, связанные с необратимыми вращениями векторов спонтанной намагниченности и поляризации и индуцированные магнитным, электрическим и упругими полями
1.2.5. О вкладе во внутреннее трение процессов необратимых вращений векторов спонтанной намагниченности и поляризации
1.3. О немагнитной и неупругоэлектрической составляющих внутреннего трения в магнитоэлектроупорядоченных системах
1.4. О разделении внутреннего трения на составляющие
1.5. Выводы
ГЛАВА 2. РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В СЕГНЕТОМАГНЕТИКАХ, СВЯЗАННЫЕ СО СМЕЩЕНИЕМ ДОМЕННЫХ ГРАНИЦ

2.1. Вклад смещений доменных границ во внутреннее трение
2.2. Смешанная восприимчивость, магнитоемкость и магнитоэлектрический эффект в перовскитовых сегнетомагнетиках
2.3. О фоне внутреннего трения в сегнетомагнитных кристаллах
ГЛАВА 3. УПРУГИЕ И НЕУПРУГИЕ ЯВЛЕНИЯ В МАКРО- И НАНОРАЗМЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ
3.1. Частотная зависимость диэлектрической проницаемости ВаТЮ3
3.2. Особенности дисперсии диэлектрической восприимчивости нанокристал-лических сегнетоэлектриков ВаТЮ3
3.3. Дисперсия диэлектрической восприимчивости нанокристаллов сегнетовой соли
3.4. О статическом АЕ - и Ав - эффекте в нанокристаллических сегнетоэлектриках (НКС) с учетом процессов смещений и вращений
3.5. Вклад процессов вращений во внутреннее трение и динамический АЕ - эффект в НКС
3.6. Вклад смещений ДГ во внутреннее трение и АЕ - эффект в нанокристаллах
ВаТЮ3
ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ УПРУГИХ И НЕУПРУГИХ ЯВЛЕНИЙ В МАКРО- И НАНОРАЗМЕРНЫХ МАГНИТОУПОРЯДОЧЕННЫХ СИСТЕМАХ
4.1. Теория магнитной восприимчивости (макроскопический подход)
4.2. Особенности дисперсии магнитной восприимчивости в нанокристаллических магнетиках (НКМ)
4.3. О статическом АЕ- эффекте в НКМ
4.4. Вклад процессов смещений во внутреннее трение и АЕ - эффект в НКМ
4.5. Вращательная составляющая внутреннего трения и АЕ - эффекта в

4.6. Генерация упругих волн в наномагнетиках, обусловленная смещениями ДГ
4.7. О вращательной составляющей акусто-магнитного эффекта в магнитной
жидкости
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
смещений ДГ и как оказалось, это позволило описать основные закономерности изменения Q_l (Н, а), как для малых, так и больших полей Н и а. Стохастический подход [71, 121, 134, 135] позволяет описать основные закономерности изменения амплитудпозависимого Q-1 даже в полях комбинированных внешних воздействий. В ней предполагается, что ДГ занимает такое положение в кристалле, в котором сила давления на нее уравновешивается случайной силой, действующей со стороны дефектов. Здесь разложение величины Q“1 в ряд по малым параметрам теории [121] дает
Q-'« - <4 х,-)-+—оо°2. R:, (1.17)
71 Is Tt Ijs
где Xo и R начальная проницаемость, и соответственно вторая константа Рэлея, G - модуль сдвига, г,т - амплитуда сдвиговой деформации. Здесь первое слагаемое с точностью до несущественной постоянной совпадает с выражением, полученным в [19] Н.С. Акуловым и Г.С. Кринчиком, но с совершенно иных позиций. Второе слагаемое в (1.17) согласуется с выражением, найденным ранее М. Корнецким [136]. Этот подход позволяет в согласии с опытом описать и температурную зависимость Q-1 и обобщить его с двумерного [134, 135] на трехмерный случай [121] и использовать применительно к насыщающим полям. Хотя стохастический подход имеет ряд преимуществ, однако применение его при малой концентрации точечных дефектов и прочих, закрепляющих ДГ, приводит к некоторым осложнениям. В [71, 121, 137] предложен макроскопический подход. В нем описание основано на учете сил взаимодействия ДГ с дефектами, на нахождении и учете сил поверхностного натяжения ДГ и отрыва сегментов ДГ от точек закрепления. С учетом уравнения движения ДГ и волнового уравнения, найдены соотношения для коэффициента акустического поглощения, внутреннего трения, скорости продольной волны напряжений и дефекта модуля упругости, коррелирующее с опытом. В [121] также приводится более детальное описание МУГ с учетом изменения функции распределения