Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования
- Автор:
Сафонов, Кирилл Леонидович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
130 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования», автор — Сафонов, Кирилл Леонидович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2008 году. Объем работы: 130 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004255981. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Обобщенная кинетическая теория и ее применение для исследования микроструктурной эволюции в твердых телах | Бородин, Владимир Алексеевич | 2000 |
| Термостимулированные процессы в люминесценции гексагонального нитрида бора | Хинайш Ахмед Махер Ахмед | 2016 |
| Фазообразование при твердофазных реакциях в тонких пленках на основе Al/Au и Fe/Si | Алтунин, Роман Русланович | 2014 |