Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования
- Автор:
Сафонов, Кирилл Леонидович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
130 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности кристаллической структуры и фазовых переходов в соединениях тетрагональной сингонии с высокосимметричными подрешетками | Филиппов, Роман Игоревич | 2012 |
| Экспериментальное и теоретическое исследование внутреннего трения в микрокристаллических металлах | Грязнов, Михаил Юрьевич | 1999 |
| Спин-зависимые эффекты на дислокациях в кремнии | Шалынин, Александр Иванович | 1984 |