Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования
- Автор:
Сафонов, Кирилл Леонидович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
130 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Внутреннее трение и электропроводность слабого сегнетоэлектрика сульфата аммония | Михайлова, Людмила Петровна | 2002 |
| Влияние размера частиц эластичного наполнителя на характер разрушения дисперсно-наполненных полимерных композитов | Насруллаев, Ибрагим Насруллаевич | 2005 |
| Исследование физических свойств компенсированного марганцем кремния и структур на его основе | Азизов, Камил Азизович | 1984 |