Влияние температуры и адсорбции компонентов на поверхностные свойства простых металлов и их бинарных систем

• Автор: Калажоков, Хамидби Хажисмелович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Нальчик
• Количество страниц: 303 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ

ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1.АНАЛИЗ МЕТОДОВ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РАБОТЫ

ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА И УСЛОВИЙ ИХ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ

1Л. Приборы для определения работы выхода электрона металлов методом изотермических кривых Фаулера

1.2. Анализ схем включения электрометрического усилителя

1.3. Влияние изменения электросопротивления стекла с температурой на работу измерительной ячейки и на режим работы

электрометрического усилителя

1.4. Метод изотермических кривых Фаулера

1.5. Методика определения работы выхода электрона с применением ЭВМ

1.6. Линеаризованный метод Фаулера
1.7. Фотометрический метод задерживающего поля
1.8. Метод вариации частот
1.9. Термоэмиссионные методы определения работы выхода электрона
1.10. Методы контактной разности потенциалов
1.11 ..Метод электронного пучка Андерсона
1.12. Выводы к главе
ГЛАВА 2. РАЗРАБОТАННЫЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ И МЕТОДИКИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ИЗМЕНЕНИЙ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА
2.1. Условия, необходимые для проведения опытов при изучении
свойств поверхности металлов
2.2. Экспериментальные установки для изучения температурной
и концентрационной зависимостей работы выхода электрона
2.3. Метод двух модулированных пучков света
2.4. Однолучевой способ контроля изменений РВЭ

2.5. Установка для реализации нового двухлучевого способа определения РВЭ
2.6. Экспериментальная установка для комплексного
исследования поверхности при непрерывных процессах
2.7.Подготовка образца и контроль элементного состава его поверхности...95'
2.8.Выводы к главе
Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА И ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ
ЭМИССИИ ЧИСТЫХ МЕТАЛЛОВ
3.1 .Температурная зависимость работы выхода
электрона поликристаллических поверхностей металлов
3.2.Температурная зависимость работы выхода электрона однородных
граней металлов
3.3.Экспериментальное изучение температурной зависимости работы
выхода электрона р-металлов в твердом и жидком состояниях
при р=10'7 Па
3.4. Изменение работы выхода электрона при плавлении
3.5. Температурная зависимость фотоэмиссии 1п, Бп, РЬ и Т1 в
твердом и жидком состояниях при р ~ 10° Па
3.6. Обсуждение результатов опытов по изучению температурной зависимости фотоэлектронной эмиссии и РВЭ р-металлов
3.7. Оценка величины температуры предплавления поверхности
чистых металлов
3.8. Исследование поверхностных свойств щелочных металлов
3.9.Ориентационная зависимость работы выхода электрона и
поверхностной энергии чистых металлов
3.10. О связи между работой выхода электрона и поверхностной
энергией чистых металлов
3.11 .Выводы к главе

Глава 4. АДСОРБЦИЯ КОМПОНЕНТОВ ИЗ ОБЪЕМА
БИНАРНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СИСТЕМ
4.1. Экспериментальное изучение температурной и
концентрационной зависимостей РВЭ бинарных сплавов
4.2. Методика приготовления бинарных сплавов систем
1п-Бп, Бп-РЬ, РЬ-1п
4.3. Температурная зависимость работы выхода электрона некоторых бинарных систем 1п-Бп, Бп-РЬ и РЬ-1п в широком температурном интервале
4.4. Концентрационная зависимость работы выхода электрона
сплавов бинарных систем РЬ-Бп, РЬ-1п и Бп-1п
4.5. Поверхностная сегрегация в бинарных сплавах
4.6. Уравнение кинетики адсорбции компонентов в бинарных расплавах
4.7. Выводы к главе
Глава 5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИЗУЧЕНИЕ АДСОРБЦИИ МОЛЕКУЛ АКТИВНЫХ ГАЗОВЫХ СРЕД НА ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛОВ 1п, Бп, РЬ, Т1 и Оа
5.1. Влияние адсорбции-газов на работу выхода электрона чистых металлов
5.2. Методика и устройства для проведения контролируемой адсорбции паров воды и йода ,
5.3. Влияние адсорбции паров йода на работу выхода электрона р-металлов
5.4. Влияние адсорбции паров воды на РВЭ р-металлов
5.5. Кинетика адсорбции молекул кислорода на поверхности
индия, олова, свинца и таллия
5.6. Методика обработки кривых кинетики адсорбции молекул для определения начальных неравновесных значений
поверхностного натяжения и работы выхода электрона

пользоваться формулой (4.19) нельзя из-за сильной зависимости Иф(А,) от длины волны 7. Для выхода из этого положения запишем (4.17) для Тщо :
>* (л.о)=-V, (д.ЖМ'О. <4-23>
где 7,п0 - длина волны из области 7,,, , которая принята за основу (или за единицу) в области длин волн [7т, 7П], в которой произведено измерение ДАД и Ун С /-,„0 7-7п.
Тогда из (4.23) и (4.17) с учетом (4.18) следует:
у(Д)-- (А1АЛ
('ь«Дл,)/4л,)д(д,)’ (4'24)

К) = (Я,)/аф (ДИо), ф,И0) = к(Л,)/к(Ято), (4.25)
- значения относительных коэффициентов преобразования и относительных спектральных чувствительностей для группы волн 7т < К < 7„ по отношению к соответствующим значениям для 7т0.
Подставив (4.24) в (4.16), записанную для Ц , получим для плотности тока
Э(Л)=а(Л)—<4-26)
аф Кп„ ) Р (Лш0 ) 1ф ( т0 )
Или, разделив (4.26) на Т2, будем иметь:
7(Л) _ «(Л)
Т аФ (Л*) Введем обозначение:
/| Л) Й)
р (V к)
Л/(ъ). (4.27)
л X) Й)

гМш/>мм<у <4,28)
Формула (4.28) описывает зависимость относительной интенсивности излучения источника света от длины волны (см. рис. 1.10).
Теперь перепишем (4.27) в виде: