Структурные и физические характеристики многокомпонентных неупорядоченных систем на основе халькогенидов цинка

• Автор: Тошходжаев, Хаким Азимович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2010
• Место защиты: Худжад
• Количество страниц: 229 с. : ил.

УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ Д - средняя энергия носителей заряда

к - постоянная Больцмана

1’ - температура

Ьд - длина Дебая

- длина свободного пробега ц - дрейфовая подвижность носителей ЕР - уровень Ферми Е„ - ширина запрещенной зоны

Еу - энергетическое положение потолка валентной зоны

Еа - энергия активации

Ер - край подвижности

Еп - энергия активации проводимости

Е,- - энергия ионизации примеси

Еп - уровень протекания

г о - диэлектрическая постоянная вакуума
е к - диэлектрическая проницаемость зазора
е - диэлектрическая проницаемость прианадного зазора
е - заряд электрона
'Р - работа выхода
X - электронное сродство
а - радиус состояния
ав - боровский радиус водородоподобного примесного атома
аТР, СТР - постоянные кристаллической решетки
ёш - межплоскостное расстояние
N1 - концентрация ловушек в запрещенной зоне
г - время жизни свободного носителя
I - ток
1Т - темновой ток

1С - ток сигнала
V -внешнее напряжение
и„ - средняя тепловая скорость электрона
тп - эффективная масса электрона
.1 - плотность сквозного тока
т - масса покоя электрона
]Гг - эффективная плотность состояний в зоне проводимости Мд - концентрация ловушечных уровней ТМу - эффективная плотность состояний в валентной зоне п - концентрация электронов
п0 - концентрация носителей заряда над потенциальным барьером пЭф - эффективная концентрация носителей 1 п -температура подложки I - время
ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ ВАХ - вольт-амперная характеристика ГП - гетероперходы ГС - гетероструктуры ТР - твердые растворы
ПТР - пленки твердых растворов (7пдхС<1хТе)
ПТР:1п - пленки твердых растворов .хСс1хТе),_у(1п2Те3)у
ТСТ - термостимулированный ток РНУ- резко неравновесных условиях ПЗЛ - предельное заполнение ловушек АНД- аналого-цифровой преобразователь ТОПЗ - ток ограничного пространственным зарядом ТОЭ — ток ограничного контактной эмиссией

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Аналитический обзор литературы
1.1 Основные физические модели современной теории
неупорядоченных систем
1.2 Состояние исследований инжекционно - контактных
явлений в неупорядоченных системах
1.3 Основные физические механизмы токопереноса в
гетеропереходах
1.4 Качественный анализ физических свойств модельного
объекта ГС на основе халькогенидов цинка
1.5 Физические принципы работы мишени типа «ньювикон» и
её основные характеристики
1.6 Постановка задачи
Глава 2. Общая характеристика объектов и методов
исследования
2.1 Анализ и выбор исходных материалов, способы их подго-
товки и методики получения и синтеза пленок селенида цинка и твердых растворов на основе халькогенидов цинка
2.2 Методы исследования модельных объектов (порошков,
пленок селенида цинка и пленок твердых растворов )
2.3 Методика исследования физических свойств пленок селенида цинка и твердых растворов на их основе
2.4 Методика регрессионного анализа результатов с помощью

2.5 Заключение

равновесным, при которых возможно управление составом газовой фазы и обеспечение всех вышеперечисленных параметров. Первый из них в отечественной литературе известен как метод квазизамкнутых объемов, квазиравновесный метод, метод газодинамического потока пара. Обзоры по этим методам представлены в монографиях [7,83] и в ряде диссертаций [84-87]. В зарубежной литературе вышеперечисленные методы обозначают обобщенным термином "метод горячей стенки" (Hot Wall Epitaxi - HWE; Hot Wall Technigue - HWT). Под HWT подразумевается эпитаксиальный рост слоев при условиях, близких к термодинамическим равновесным с минимальной потерей вещества [88]. Полноценный обзор по получению пленок А2Вб, А3В5, АбВб и твердых растворов АвВб-А4В4 методом HWE предоставлен Lopez - Otero [85]. Анализ литературы с 1980 по 2000 гг. показывает, что периодически появлялись публикации по получению пленок CdTe, CdS, ZnS, CdSe методом HWE в традиционном двухтемпературном (испаритель-подложка) или трехтемпературном (коаксиально расположенные испаритель материала А2Вб и испаритель активатора или металла А2-подложка) вариантах. Данные о применении этого метода для получения ПТР А2Вб — А2Вб практически отсутствуют.
В большей степени внимание зарубежных исследователей для получения крупнозернистых пленок было обращено на параллельную разработку технологии пленок А2В6 путем близкого переноса (расстояние между подложкой и испаряемым веществом 0,1-1 мм - "сэндвич-метод") паров компонентов в потоке Н2, Не или Аг при давлении вышеуказанных газов от 770 до 0,075 мм рт.ст.: Cloze - Spaced Vapor Transport - CSVT. Определяющими параметрами процесса являются: природа газа-носителя; давление газа-носителя; расстояние испарителя-подложки; температура источника (испарителя) и подложки. Этим методом получали пленки всех халькогенидов кадмия и цинка, но особый акцент сделан на разработке технологии пленок CdTe как базовом материале для гелиотехники [89-91]. В