Импульсное осаждение полупроводниковых плёнок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком
- Автор:
Салтымаков, Максим Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
102 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние кривизны границы раздела тонкая пленка-подложка на деформацию и разрушение тонких металлических пленок и керамических покрытий | Шугуров Артур Рубинович | 2016 |
| Формирование структуры многокомпонентных твердых растворов замещения в гетеросистемах с резко различающимся ковалентными радиусами | Попов, Александр Иванович | 2004 |
| Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния, стимулированная ионным облучением | Шенгуров, Владимир Геннадьевич | 2002 |