Импульсное осаждение полупроводниковых плёнок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком
- Автор:
Салтымаков, Максим Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
102 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Импульсное осаждение полупроводниковых плёнок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком», автор — Салтымаков, Максим Сергеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Томск в 2010 году. Объем работы: 102 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004644989. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Механизмы релаксационных явлений в макро- и наноразмерных магнитоэлектроупорядоченных системах в области линейного отклика | Игнатенко, Николай Михайлович | 2009 |
| Закономерности формирования микродуговых кальцийфосфатных биопокрытий на поверхности циркония и их свойства | Куляшова, Ксения Сергеевна | 2011 |
| Исследования структуры сверхпроводников Y1-x Yb x Ni2 B2 C, ряда полидисперсных систем, полимеров и белков методами EXAFS-спектроскопии и малоуглового рассеяния | Конарев, Петр Валерьевич | 2001 |