Импульсное осаждение полупроводниковых плёнок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком
- Автор:
Салтымаков, Максим Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
102 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Мессбауэровские и магнитные исследования нанодисперсных оксидов железа | Шипилин, Михаил Анатольевич | 2012 |
| Разработка методов регистрации озона и синглетного 1 Δ g кислорода в газовой фазе и их применение для изучения каталитического окисления пропилена | Романов, Алексей Николаевич | 2000 |
| Модули упругости, термодинамические свойства и относительная устойчивость различных кристаллических структур Na,K,Be и Al. Результаты первопринципных расчетов | Смирнов, Николай Александрович | 2007 |