Электронные свойства квантового цилиндра во внешних электромагнитных полях

• Автор: Ульдин, Александр Алексеевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 101 с. : ил.

Оглавление

Оглавление
Введение
Глава I
Электрон-фононное рассеяние и проводимость квантового цилиндра в магнитном поле
1. Введение
2. Рассеяние электронов в квантовом цилиндре на акустических фононах с изотропным спектром
3. Рассеяние электронов на продольных и изгибных акустических фононах
4. Обсуждение
Глава II
Эффект Ааронова-Бома и термодинамические свойства сверхпроводящего квантового цилиндра
1. Введение
2. Эффект Купера в намагниченном электронном газе квантового цилиндра
3. Статистический вариационный принцип Боголюбова
4. Осцилляции критической температуры при изменении внешнего магнитного поля и геометрии сверхпроводящей нанотрубки.
5. Термодинамические свойства сверхпроводящего квантового цилиндра
6. Обсуждение
Глава III
Оглавление
Экранирование кулоновского поля в намагниченном электронном газе квантового цилиндра
1. Введение
2. Продольная диэлектрическая проницаемость и экранированное взаимодействие
3. Осцилляции Фриделя экранированного потенциала
4. Экранирование кулоновского потенциала Больцмановским электронным газом
5. Осцилляции Ааронова-Бома экранированного кулоновского потенциала
6. Обсуждение
Выводы
Литература
Введение

Введение
Физика, наноразмерных структур продолжает' развиваться, быстрыми: темпами. Современные технологии, открыли возможность исследования ■ структур и систем, имеющих размеры,порядка нескольких нанометров по., одному или нескольким. направлениям; и конструирования обширной группы новейших приборов напх основе.
Сюда можно отнести,; например, полупроводниковые лазеры на структурах, содержащих квантовые точки: и работающие при:комнатной темпе- ■ ратуре; транзисторы на углеродных нанотрубках; межподзонные полупроводниковые лазеры на квантовых ямах; диоды на структурах,- содержащих■ квантовыелмы и др.
Неожиданные физические явления в электронных системах со спин-орбитальным взаимодействием, предложенным в работах Ращбы Э:И., возникают за счет ограничения электронной спиновой степени свободы. Интерес к изучению: спиновых эффектов в низкоразмерных. системах обусловлен, в том числе, возможностью применения спиновой степени свободы •' для создания, квантовых битов. Развитие нанотехнологий стимулирует широкую исследовательскую деятельность, направленную на выяснение технологических и электронных свойств квантовых точек, квантовых, ям; нанотрубок, квантовых проволок: и сверхрешеток. Такая • работа позволяет разработать методы целенаправленного формирования и вариации электрофизических свойств наноструктур в интенсивных внешних полях.
Многообразие физических явлений, предсказываемых в нанофизике, связано как. с наноразмерами и топологическими свойствами области; в которой движутся частицы, так и с. учетом влияния внешнего: поля. В нанообъектах реализуются наиболее благоприятные условия для, проявле-

Рис. 7. Зависимость проводимости нанотрубки от параметра Ааронова -Бома, сто - проводимость нанотрубки радиуса Я = 5 ■ 10~9 м в свободном случае, линейная концентрация А/^ = 0,25-109 м-1, температура Т = 15К. Заполняются уровни п = 0, п = 1, п = —1, п — —2.