Формирование структур на реконструированной поверхности кремния

• Автор: Грузнев, Димитрий Вячеславович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Владивосток
• Количество страниц: 239 с. : ил.

Содержание
Введение
1 Формирование наноструктур на поверхности кремния. Методические вопросы исследования

1.1 Самосборка наноструктур на поверхности твердых тел. Анализ проблемы

1.2 Представления о поверхности и поверхностных реконструкциях

1.3 Современные методы исследования поверхности

2 Твердотельные наноструктуры на модифицированной поверхности кремния

2.1 Линейные наноструктуры Си на реконструкции 51(111)“5х5”-Си

2.2 Рост пленки Аи на реконструкции 51(111)“5х5”-Си

2.3 Металлические островки на реконструкции 51(100)с(4х 12)-А

2.4 Реконструкция 51(111)/3 х/3-1п как сурфактант роста монокристаллов 5Ь 83 Выводы по главе
3 Атомные и молекулярные структуры на модифицированной поверхности кремния
3.1 Атомные кластеры Ое на несоразмерной реконструкции
3.2 Массивы органических молекул на поверхностных реконструкциях .... 111 Выводы по главе

4 Модифицированные поверхностные реконструкции на кремнии
4.1 Удаление доменных границ с поверхности и его влияние на электрофизические свойства системы
4.2 Организация доменных границ в периодические структуры
4.3 Изменение атомной структуры поверхности при модификации приповерхностной области подложки
4.4 Изменение свойств поверхностной реконструкции при модификации приповерхностной области подложки
Выводы по главе
Общие выводы
Примечание
Список литературы

Список сокращений и обозначений
Ох покрытие поверхности адсорбатом X
Т температура формирования
Тstm температура исследования методом СТМ
а поверхностная проводимость
а постоянная решетки
MC монослой
ДГ доменная граница
DAS димер - адатом - дефект упаковки
МЛЭ молекулярно-лучевая эпитаксия
СТМ сканирующая туннельная микроскопия
СТС сканирующая туннельная спектроскопия
ДМЭ дифракция медленных электронов
ДБЭ дифракция быстрых электронов
ЭОС электронная оже-спектроскопия
ФЭСУР фотоэлектронная спектроскопия с угловым разрешением

а последняя апертурная линза, образец и первая из сеток заземлены. Таким образом, электроны, эмитированные катодом, ускоряются до энергии еУ, а затем движутся и рассеиваются на образце в бесполевом пространстве. Вторая и третья сетки используются для отсечения неупруго рассеянных электронов; их потенциал близок к потенциалу катода, но несколько меньше по абсолютной величине: — (V — ДУ). Чем больше ДV, тем ярче картина ДМЭ, но выше уровень фона. Поэтому задерживающий потенциал выбирается таким образом, чтобы получить картину с максимальным контрастом. Четвертая сетка заземлена и экранирует другие сетки от флюорисцентного экрана, который находится под потенциалом порядка +5 кВ. В результате упруго рассеянные электроны после прохождения тормозящих сеток вновь ускоряются до высоких энергий чтобы вызвать флюорисценцию экрана, на котором и наблюдается дифракционная картина.
Сравнение геометрии установки ДМЭ (рис. 1.11) и построения Эвальда для двумерной решетки (рис. 1.10) показывает, что картина дифракции, наблюдаемая на экране, соответствует обратной решетки поверхности. Наблюдаемые рефлексы индексируются так же, как и узлы обратной решетки, т.е. индексами Мюллера }г и к.
Дифракция быстрых электронов
Дифракция быстрых электронов [1,3,102] отличается от метода ДМЭ тем, что в нем используются электроны высоких энергий, выше 1 кэВ, и первичный пучок падает на поверхность под малыми скользящими углами (порядка 1-5°). Вследствие высоких энергий электронов, дополнительного ускорения для того, чтобы вызвать свечение экрана, не требуется. Также не требуется фильтрации электронов, так как интенсивность дифракционных пучков много выше интенсивности фона.
Построение Эвальда для условий ДБЭ показано на рис. 1.12. В отличие от ДМЭ в этом случае размер сферы Эвальда много больше расстояний между стержнями обратной решетки и она пересекает эти стержни под скользящим углом. Пересечение сферы Эвальда с стержней обратной решетки под скользящими углами приводит к заметному