Управление локализацией электронов в полупроводниковых гетероструктурах

• Автор: Алещенко, Юрий Анатольевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 261 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Эффекты передислокации в структурах множественных квантовых ям ваАз/АЮаАз
Параграф 1.1. Резонансное комбинационное рассеяние света и эффекты передислокации в структурах множественных квантовых ям С;аЛ8//1хОа|-хЛз
Параграф 1.2. Фотолюминесценция при умеренных уровнях возбуждения и резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках СаЛз/АЮаАз
Выводы к главе 1
ГЛАВА 2. Влияние шероховатостей границ раздела на оптические свойства квантово-размерных структур
Параграф 2.1. Флуктуации гетерограниц раздела в структурах квантовых ям
Параграф 2.2. Оптические свойства квантово-размерных структур с макроскопическими шероховатостями границ раздела
Параграф 2.2.1. Теоретическое рассмотрение ФЛ в квантово-размерных структурах с макроскопическими флуктуациями положения гетерограниц
Параграф 2.2.2. Экспериментальные исследования вклада макрофлуктуаций гетерограниц в спектры ФЛ структур КЯ
Параграф 2.2.3. Обсуждение результатов экспериментальных исследований вклада макрофлуктуаций гетерограниц в спектры ФЛ структур КЯ
Параграф 2.3. Микроскопические флуктуации геометрических параметров и локализованные электронные состояния в квантово-размерных структурах
Параграф 2.3.1. Экспериментальные исследования естественных КТ, образованных микрофлуктуациями ширин квантовых ям и барьерных слоев в сверхрешетках и структурах множественных КЯ ОаАз/А1хОа1-хА5
Параграф 2.3.2. Теоретическая модель
Параграф 2.3.2.1. Природа эквидистантных пиков
Параграф 2.3.2.2. Редукция трехмерной задачи для расчета энергетического спектра квантовых точек
Параграф 2.3.2.3. Одномерные флуктуации
Параграф 2.3.3. Спектр КТ, образованных круговыми флуктуациями
Параграф 2.3.4. Численные оценки
Параграф 2.3.5. Обратная задача нахождения профиля цилиндрической КТ, обладающей эквидистантным энергетическим спектром

Выводы к главе 2
ГЛАВА 3. Интерференционная ионизация примеси электрическим полем в туннельно связанных квантовых ямах
Параграф 3.1. Теоретическое рассмотрение эффекта интерференционной ионизации примеси электрическим полем
Параграф 3.2. Методика исследований эффекта интерференционной ионизации донорной примеси электрическим полем в системе КЯ
Параграф 3.3. Результаты исследований двухъямной структуры СтаЛз/АЮаАз с 5-легированной квантовой ямой без поля
Параграф 3.4. Энергия ионизации донора Б1
Выводы к главе 3
ГЛАВА 4. Трансформация размерности экситонных состояний в квантовых ямах с асимметричными барьерами
Параграф 4.1. Зависимость от импульса размерности электронных состояний в гетероструктурах
Параграф 4.2. 20-30 трансформация размерности экситонных состояний в одиночных квантовых ямах с сильно асимметричными по высоте барьерами
Параграф 4.2.1. Экспериментальные особенности исследований трансформации размерности экситонных состояний в одиночных КЯ с асимметричными по высоте барьерами
Параграф 4.2.2. Эволюция состояния 2Э экситона в зависимости от ширины КЯ и внешнего электрического поля
Параграф 4.2.3. Теоретическое описание эволюции состояния 2Т> экситона в структуре с одиночной КЯ с асимметричными по высоте барьерами во внешнем электрическом поле
Выводы к главе 4
ГЛАВА 5. Униполярный полупроводниковый лазер на квантовых ямах с сильно асимметричными по высоте барьерами
Параграф 5.1. Оптическая эффективность униполярного полупроводникового лазера на квантовых ямах с асимметричными барьерами
Параграф 5.2. Оптимизация активного элемента униполярного лазера
Параграф 5.3. Простейшие структуры с асимметричными барьерами

Параграф 5.4. Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры ОаАэ/АЮаАБ с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электрическом поле
Параграф 5.4.1. Постановка измерений спектров ФЛ двухъямной гетероструктуры ОаАз/АЮаАз
Параграф 5.4.2. Спектры ФЛ двухъямной гетероструктуры ОаАь/АЮаАв во внешнем электрическом поле
Параграф 5.4.3. Теоретические исследования перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры СаАв/АІхваї-хАз во внешнем электрическом поле 177 Параграф 5.4.4. Обсуждение результатов для двухъямной гетероструктуры СіаАз/АІхОаі-хЛй с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электрическом поле
Параграф 5.5. Управление заселенностью верхнего лазерного уровня в структурах квантовых ям с асимметричными барьерами с помощью внешнего электрического поля
Параграф 5.5.1. Экспериментальные исследования прототипов активного элемента униполярного лазера
Параграф 5.5.2. Теоретические расчеты перестройки электронного спектра трехъ-ямных структур с асимметричными барьерами во внешнем электрическом поле 196 Параграф 5.5.3. Расчеты параметров, определяющих инверсную населенность в трехъямных структурах с асимметричными барьерами во внешнем электрическом поле
Параграф 5.6. Многопериодный активный элемент униполярного полупроводникового лазера
Параграф 5.6.1. Особенности моделирования многопериодного активного элемента униполярного лазера
Параграф 5.6.2. Экспериментальные методики исследований многопериодного активного элемента униполярного лазера
Параграф 5.6.3. Результаты экспериментальных исследований многопериодного активного элемента
Выводы к главе 5
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ВКЮЧЕННЫХ В ДИССЕРТАЦИЮ РАБОТ
ОБЩИЙ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ ПО ГЛАВАМ
узкими барьерами, для которых относительные вероятности нахождения электрона в КЯ и барьерах оказываются близкими по величине (Рис. 1.1.36). В этом состоит принципиальное отличие рассматриваемой ситуации от случая туннелирования электронных возбуждений через узкие барьеры в процессе РКР вблизи перехода С1— Н1 между состояниями, локализованными в квантовых ямах [1.11]. В последнем случае в спектрах РКР также наблюдаются составные моды пространственно разделенных компонентов сверхрешетки.