Радиационная стойкость фторопластового композита к ионизирующему излучению в условиях магнитосферных возмущений

• Автор: Тарасов, Дмитрий Геннадьевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Белгород
• Количество страниц: 147 с. : ил.

Содержание
Введение
Глава 1. Анализ проблемы создания композита на основе фторопласта, стойкого к радиационным условиям космического пространства
1.1. Радиационные условия в космическом пространстве
1.2. Радиационная электризация диэлектрических материалов в

радиационных поясах земли
1.2.1. Радиационные аномалии в работе космических аппаратов
1.2.2. Объемные разряды в радиационно-заряженных диэлектриках
1.3. Радиационно-защитные и стойкие к космическому излучению полимерные композиты
1.4. Композиты на основе фторопласта
1.5. Радиационное модифицирование фторопласта
Выводы к главе
Глава 2. Методы и объекты исследования
2.1. Методы испытаний
2.1.1. Физико-механические, теплофизические и диэлектрические испытания
2.1.2. Спектральные, электронно-микроскопические методы испытания
2.1.3. Магнетронное напыление
2.1.4. Радиационные испытания
2.1.5. Ядерно-физические испытания
2.2. Объекты и материалы исследования
2.3. Моделирование прохождения ионизирующего излучения в разрабатываемых композитах
Выводы к главе
Глава 3. Разработка состава и технологии получения высоконаполненного полимерного композита на основе фторопластовой матрицы
3.1. Синтез высокодисперсного наполнителя на основе оксида висмута
3.2. Технология получения композита на основе фторопласта
3.3. Радиационное модифицирование разрабатываемого композита
3.4. Свойства высоконаполненного композита разработанного
состава
Выводы к главе
Глава 4. Физико-математическое моделирование прохождения
электронного, протонного и у-излучения через разработанный полимерный композит
4.1 Моделирование процессов прохождения электронов в
полимерном композите
4.2. Моделирование процессов прохождения протонов в полимерном композите
4.3. Моделирование процессов прохождения у-излучения в
полимерном композите
Выводы к главе
Глава 5. Воздействие электронного, протонного и у-излучений на разработанный полимерный композит
5.1. Воздействие низкоэнергетических протонов на полимерный композит
5.1.1. Глубина проникновения протонного пучка
5.1.2. Электризация полимерного композита под действием протонного облучения
5.2. Воздействие быстрых электронов на полимерный композит
5.2.1. Оценка защитного эффекта, обусловленного наличием
объемного заряда в композите

5.2.2. Установление локализации электрического поля объемного заряда
5.2.3. Исследование структуры электроразрядных каналов
5.3. Влияние сформированных в объеме полупроводниковых областей на стойкость полимерного композита в пучке быстрых электронов
5.4. Защита от поверхностной электризации полимерного композита
5.5 Радиационно-защитные свойства полимерного композита
5.6. Критерий радиационной стойкости полимерного композита
Выводы к главе
Общие выводы
Список использованной литературы
Приложения

Электрические свойства исследованы по соответствующим стандартным методикам. Электрическое сопротивление - по ГОСТ 6433.2-81. Диэлектрическая проницаемость - по ГОСТ 8.358-79. Электрическая прочность - по ГОСТ 6433.3-81.
2.1.2. Спектральные, электронно-микроскопические методы испытания
Инфракрасные спектры изучались в диапазоне частот 4000-400 см* 1 с помощью двухлучевого спектрофотометра "Specord-75IR" (ФРГ). Образцы для ИК-спектров представляли собой прозрачные пластинки из бромистого калия, в которые при давлении 15 МПа запрессовано исследуемое вещество. Точность измерения частот ±(2-5) см*1 (в зависимости от диапазона).
Растровая (сканирующая) электронная микроскопия. Этот метод даёт информацию о морфологии поверхности. Вторичные электроны, принимающие участие в формировании изображения объекта, излучаются поверхностью образца с глубины 50-500 А, поэтому контраст на электронно-микроскопических изображениях в основном обусловлен микрорельефом. Интенсивность излучения вторичных электронов при прочих равных условиях зависит от фазового состава поверхности объекта, таким образом, изображение объекта несёт информацию и о фазовом составе поверхности. Использован электронный сканирующий микроскоп FEI QUANTA 3D.
Сканирующая зондовая микроскопия. Принцип работы сканирующего зондового микроскопа основан на зондировании поверхности иглой, которая сканирует вдоль поверхности исследуемого образца материала. Исследование микроструктуры материала производится микроскопией боковых сил. Микроскопия боковых сил позволяет проводить измерения боковых отклонений (скручивания) кантилевера, вызванных силами, действующими на кантилевер в плоскости, параллельно плоскости образца. Это необходимо для создания изображения измерений поверхностного трения, которые могут быть вызваны неоднородностью материала, а также для получения контрастных изображений