Моделирование процессов преобразования ионных микрокристаллов при высокоэнергетической активации природных систем

• Автор: Губарева, Татьяна Владимировна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 281 с. : 19 ил.

Братск
Содержание
Введение
Условные сокращения
ГЛАВА 1 РАДИАЦИОННЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ В
СИСТЕМЕ «КРИСТАЛЛ - ВОЗДУХ»
1Л Экспериментальное изучение поверхности щелочно-галоидных кристаллов
1.2 Радиационные кристаллиты на поверхности щелочно-галоидных кристаллов при фотонном облучении
1.3 Механизмы радиационно-химических процессов на поверхности ионных кристаллов
1.3.1 Исследования поверхности нитевидных кристаллов
1.3.2 Механизм радиационно-химических процессов на поверхности ионных кристаллов
1.4 Возможности практического использования исследований в области радиационной физикохимии поверхности твердых тел
1.5 Особенности преобразования щелочно-галоидных аэрозольных частиц в атмосфере
1.6 Потенциальная роль щелочно-галоидных кристаллов как
естественного источника газообразных соединений галогенов
Выводы по главе
ГЛАВА 2 МЕТОДЫ ОБРАБОТКИ, КРИСТАЛЛЫ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ, МЕТОДЫ И МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1 Образцы для исследований
2.2 Реакторы
2.2.1 Установка для облучения системы «кристалл-воздух» рентгеновским излучением
2.2.3 Реактор для проведения плазмохимической обработки
2.3 Источники ионизирующих излучений
2.4 Методы исследования свойств обработанных щелочно-галоидных кристаллов
2.4.1 Методика электронно-микроскопического анализа
2.4.2 Методика рентгеноструктурного анализа
2.4.3 Методы спектрального анализа микрокристаллов
Выводы по главе
ГЛАВА 3 СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ, ПОДВЕРГНУТЫХ РЕНТГЕНОВСКОМУ ОБЛУЧЕНИЮ В СИСТЕМЕ «КРИСТАЛЛ - ВОЗДУХ»

3.1 Электронно-микроскопическое изучение строения поверхности кристаллов после облучения
3.1.1 Влияние условий облучения на изменение морфологии поверхности кристаллов при обработке в системе «ЩГК - газовая фаза»
3.2 Рентгеноструктурный анализ микрокристаллов после облучения в системе «кристалл - воздух» рентгеновским излучением
3.3 Инфракрасные спектры щелочно-галоидных кристаллов после облучения в системе «кристалл - воздух» рентгеновскими лучами..
3.4 Спектры поглощения щелочно-галоидных микрокристаллов в ультрафиолетовой и видимой области после облучения рентгеновскими лучами в системе «кристалл - воздух»
3.5 Микронеоднородное строение ЩГК после облучения рентгеновскими
лучами в системе «кристалл - воздух»
Выводы по главе
ГЛАВА 4 ИССЛЕДОВАНИЯ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ ГАММА-ОБЛУЧЕНИИ СИСТЕМЫ «КРИСТАЛЛ - ВОЗДУХ»
4.1. Инфракрасные спектры щелочно-галоидных кристаллов после гамма-облучения системы «кристалл - воздух»
4.2 Рентгеноструктурные исследования кристаллов после гамма-облучения системы «кристалл - воздух»
4.3 Характеристика твердых продуктов реакций, образующихся при
гамма-облучении системы «кристалл - воздух»
Выводы по главе
ГЛАВА 5 СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ, ПОДВЕРГНУТЫХ ДЕЙСТВИЮ ХОЛОДНОЙ ГАЗОВОЙ ПЛАЗМЫ
5.1. Характеристика низкотемпературной холодной газовой плазмы
5.1 Обработка образцов КС1 в кислородной плазме
5.2 Обработка образцов КС1 в холодной плазме азота с примесью кислорода
5.3 Исследование свойств образцов КС1 при обработке в холодной воздушной плазме
5.4 Продукты плазмохимических реакций с участием микрокристаллов КС1 и механизм процесса
Выводы по главе
ГЛАВА 6 ОБОСНОВАНИЕ МОДЕЛИ ПРОЦЕССОВ ТРАНСФОРМАЦИИ АТМОСФЕРНЫХ АЭРОЗОЛЬНЫХ ЧАСТИЦ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ И ХОЛОДНОЙ ВОЗДУШНОЙ ПЛАЗМЫ
6.1 Щелочно-галоидные аэрозольные частицы в атмосфере
6.2 Радиоактивность в атмосфере
6.3 Грозовая активность в атмосфере
6.4 Гетерогенные реакции с участием атмосферных щелочно-галоидных аэрозольных частиц

6.5 Моделирование трансформации щелочно-галоидных кристаллов в атмосфере, содержащей аэрозольные частицы, радио-и грозовую
активность
Выводы по главе
Заключение и основные выводы
Список литературы

Облучение гамма-лучами. Образование радиационных кристаллитов наблюдалось при облучении гамма-лучами [83]. При дозах больше 1 Мрад на поверхности кристаллов KCl, NaCl и LiF выявлены кристаллиты, размер которых составлял несколько микрон. Наиболее четко эти кристаллиты выражены при облучении кристаллов КС1, как показано на рис. 5.
Рис. 5. Кристаллиты на поверхности кристаллов: а), б) -КС1 после облучения гамма-лучами (доза 1000 Мрад); в) - КС1 при облучении альфа частицами (5,5 МэВ) под углом 20° к поверхности; г) - NaF при облучении альфа частицами через узкую диафрагму под прямым углом к поверхности [83]
Возбуждение тяжелыми частицами. Облучение ионных кристаллов тяжелыми частицами сравнительно мало изучено как микроскопическими, так и другими методами.