Гибридизация электронных состояний и особенности тонкой структуры зон в твердотельных системах

• Автор: Вялых, Денис Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 166 с. : ил.

Содержание
Список сокращений и обозначений.
Введение и постановка задачи.
ГЛАВА 1. Электроны в металлических тонкопленочных структурах. Особенности их взаимодействия в условиях размерного квантования.
1.1 Введение.
1.2 Размерное квантование электронно-энер
гетического спектра в тонких металлических пленках.
1.3 Квантово-размерные эффекты в однослой
ных металлических пленках золота и серебра.
1.4 Экспериментальное определение Е(к±).
1.5 Эффект антикроссинга дисперсионных за-
висимостей в двухслойных Ад/Аи системах.
1.6 Обобществление электронов и свойства
потенциального барьера в двухслойных
металлических гетероструктурах.
1.7 Исследование квантовых подзон, их гибри-
су
дизация с объемными состояниями подложки. Методология выявления четности волновых функций электронов.
1.8 Основные выводы первого раздела.
ГЛАВА 2. Электронные взаимодействия в композитных материалах на основе графена.
2.1 Введение.
2.2 Методология синтеза графена на металли-
ческих поверхностях. Контроль и управление им в режиме реального времени.
2.3 Экспериментальная карта дисперсии зон
электронов в графене на никеле.
2.4 Особенности топологии л-зоны при силь-
ной гибридизации электронов графена и
никеля.
2.5 Особенности электронно-энергетического
спектра системы КС
2.6 Создание и управление энергетической
щелью при гидрировании квазисвободного
графена.
2.7 Основные выводы второго раздела.

ГЛАВА 3. Гибридизация / - сі электронов и тонкая структура спектра вблизи уровня Ферми в соединениях редкоземельных элементов.
3.1 Введение.
3.2 Монослой металлического церия на по
верхности Л/(110): модельная система для
исследования/- с/ взаимодействия. Особенности применения модели РАМ.
3.3 УЬРІьЗіг - модельная система на основе
иттербия. Анизотропность/- сі гибридизации, эффект кристаллического поля и тонкая структура тяжелых 4/ зон.
3.4 Особенности/- сі гибридизации в интерме
таллидах европия. Выявление "тяжелых" и
"линейных"/- сі гибридов.
3.5 Основные выводы третьего раздела.
Заключение.
Литература.
Список основных публикаций по теме диссер
тации.
Благодарности.

тическое положение Е, что и состояние п (например л*=и+1) при толщине 2к±(Ё)с1'+Ф(Ё) =2п к (4),
причем к±, и Ф будут иметь те же самые значения, что и в (3), поскольку энергетическое положение квантовых СОСТОЯНИЙ ДЛЯ И* И И одно и то же. Тогда, используя (3) и (4) нетрудно получить уравнение относительно к±(Е):
Ад(111 )/Аиад(111 )ЛЯГ(110)
кЛ А'1)
М£) =
7г(я* -и)

Рисунок 1.13 Закон дисперсии Е(/сх) $р- зоны Ад вдоль направления [111]. Закрашенные символы являются экспериментальными данными, полученными в данной работе. Незакрашенные (пустые) символы - данные, которые были экспериментально получены в работах [1.35,1.36]. Соединительная линия представляет собой расчет дисперсии, выполненный по двухзонной модели при использовании параметров, взятых из работы [1.21, 1.35].
(1 -(1 На самом деле ситуация, когда энергетическое положение квантового состояния п при одной толщине металлического слоя совпадает с положением квантового состояния п при другой, возникает довольно редко. Тем не менее, так как к±(Е) и Ф (Е) являются непрерывными функциями для каждого п, можно построить зависимость £(