Влияние света на проводимость квазиодномерного проводника с волной зарядовой плотности ромбического TaS3

• Автор: Минакова, Валерия Евгеньевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 130 с. : ил.

Содержание
Введение
Глава 1. Общая характеристика квазиодномерных проводников с волной зарядовой плотности
1.1. Квазиодномерныс проводники в ряду иизкоразмерных систем .
1.2. Пайерлсовский переход и возникновение ВЗП
1.3. Явления, обусловленные способностью ВЗП двигаться и деформироваться
1.4. Модели движения ВЗП
1.5. Полупроводниковая модель деформируемой ВЗП
1.6. Размерные эффекты
1.7. Некоторые особенности физических свойств ТаЭз
Глава 2. Изучение фотопроводимости при стационарном освещении
2.1. Существовавшие представления о фотопроводимости в пайерлсов-
ских проводниках
2.2. Изготовление образцов
2.3. Методика измерений
2.4. Измерения температурной зависимости омической проводимости при стационарном освещении
2.5. Измерения зависимости фотопроводимости от интенсивности
света
2.6. Изучение релаксации фотопроводимости
2.7. Выводы

Глава 3. Изучение кинетики фотопроводимости
3.1. Несовершенство методики изучения фотоотклика при стационарном освещении
3.2. Зависимость формы фотоотклика от температуры
3.3. Зависимость фотопроводимости от интенсивности модулированного света
3.4. Методика определения точки перехода от линейного к нелинейному режиму рекомбинации возбужденных светом носителей
3.5. Поиск линейного режима рекомбинации возбужденных светом
носителей в Тай;)
3.6. Выводы
Глава 4. Температурная зависимость фотопроводимости: аргументы в пользу коллективного механизма низкотемпературной омической проводимости в ТаЭз
4.1. Существовавший взгляд на природу омической проводимости
в ТаЗа при низких температур*«
4.2. Методика исследования фотопроводимости: условия проведения эксперимента
4.3. Температурная зависимость одпочастичпой проводимости
4.4. Обсуждение результатов
4.5. Выводы
4.6. Методика исследования фотопроводимости
Глава 5. Управляемые светом коллективные явления
5.1. Свет как инструмент управления свойствами квазиодномер-
ных проводников с ВЗП
5.2. Изменение вольт-амперных характеристик под действием света

5.3. Температурная эволюция формы вольт-амнерных характеристик
5.4. Влияние света на нелинейную проводимость
5.5. Обсуждение результатов
5.6. Выводы
Заключение
Приложения
Таблица
Таблица
Литература

размеры образца - вдоль кристалла Ь или поперек кристалла (I — становятся меньше длин фазовой корреляции в продольном Ь\ или поперечных Ь _ направлениях, то сами эти длины начинают меняться, существенным образом изменяя свойства образцов. Так, если Ь < Ту начинает уменьшаться Ь.(!>), а пиннинг становится двумерным (Т = 2 в уравнении 1.2). При уменьшении поперечных размеров (для простоты считаем их равными) й < Ь±, уменьшается а пиннинг становится одномерным (II = 1). При уменьшении
всех размеров образца ниже соответствующих длин корреляции пиннинг становится нульмерным. Таким образом, оказывается, что от размеров образца зависят практически все физические характеристики квазиодномерных проводников с ВЗП. Такие эффекты принято называть размерными эффектами, подробный их обзор дан в работе [71]. Здесь будет приведено краткое перечисление некоторых из них, тех, природа которых относительно изучена, и в описании которых достигнуто общепризнанное понимание.
С уменьшением поперечных размеров образца растет пороговое поле нелинейной проводимости. Предложено два альтернативных объяснения: 1) увеличение поверхностного пиннинга ВЗП [72, 73], 2) изменение размерности пиннинга Л в рамках модели слабого пиннинга (см. уравнение 1.2) [74, 75].
С уменьшением поперечных размеров образца происходит сдвиг температуры фазового перехода в сторону низких температур, а также уменьшение крутизны пайерлсовского перехода, то есть его размытие8. Кроме того, для тонких образцов вблизи температуры пайерлсовского перехода при Т < Тр наблюдается размытие порогового поля нелинейной проводимости, а при Т > Тр возникает пороговая нелинейная проводимость. Вопрос о происхождении размытия пайерлсовского перехода и вольт-амперных характеристик является дискуссионным. В работах [43, 74] эффекты объяснялись
8 О крутизне и температуре пайерлсовского перехода судят по величине и положению по температуре максимума производной ШпЯ/^Х/Т).