Структурно-фазовые превращения и электронные процессы в гетероструктурах AIIIBV - A2IIIC3VI

• Автор: Буданов, Александр Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2014
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 379 с. : ил.

Оглавление
Введение
Глава 1. Гетерогенные системы АШВУ - А2ШС3У1 с эпитаксиальными слоями 1п2Тез и 1п2хОа2(1-х)Тез на подложках 1пАб
1.1. Свойства и способы синтеза соединений А2ШС3У1 и технологические возможности формирования гетероструктур АШВУ — А2ШС3У1
1.2. Формирование гетероструктур 1п2Те3 — ТпАэ и 1п2хСа2(1.Х)Тез - 1пАэ методом термического испарения в квазизамкнутом объёме
1.3. Кристаллическая структура слоёв 1п2хОа2(1.Х)Тез и концентрационные профили компонентов гетероструктур 1п2хОа2(1.Х)Тез-1пАз, синтезированных в квазизамкнутом объёме
1.4. Механизмы токопрохождения в тонких слоях 1п2Те3 и 1п2хОа2(иХ)Тез, сформированных напылением на подложках 1пАэ
1.5. Параметры центров локализации заряда в слоях 1п2Те3 и 1п2хОа2(1_Х)Тез
Выводы по первой главе
Глава 2. Термостимулированное гетеровалентное замещение анионов в
монокристаллах соединений АШВУ атомами халькогена
2.1. Взаимодействие монокристаллов соединений АШВУ с элементами VI В группы Периодической системы
2.2. Синтез гетероструктур АшВу-А2|ПСзУ1 методом термостимулированного гетеровалентного замещения в анионной подрешётке
2.3. Механизм роста пленок А2шСзУ1 на поверхности АШВУ в процессе гетеровалентного замещения
2.4. Лазерностимулированное формирование сильнолегированных областей в гетероструктурах АшВу-А2шСзУ
Выводы по второй главе

Глава 3. Кристаллическая структура слоёв А2ШСз'ли переходных областей в гетероструктурах типа АШВУ—А2ШС3У|, полученных методом гетеровалентного замещения в квазизам кнутом объёме
3.1. Полиморфизм кристаллической структуры в тонких плёнках нормальновалентных соединений А2шСзУ
3.2. Новые модификации псевдоморфных фаз 1п28е3 и ва^ез, полученных в реакции твердофазного гетеровалентного замещения в анионной подрешётке
Выводы по третьей главе
Глава 4. Электрофизические свойства гетероструктур АШВУ- А2шСзУ1,
полученных методом гетеровалентного замещения
4.1. Центры локализации заряда в тонкоплёночных фазах А2шСзУ1, полученных на подложках 1пАз методом гетеровалентного замещения
4.2. Концентрационные профили свободных носителей заряда в гетероструктурах типа А1 - А2ШС3У1 - АШВУ
4.3. Экранирование электрического поля в гетероструктурах АШВУ-А2ШС3У
4.4. Кинетика перезарядки глубоких уровней при обмене носителями
заряда между уровнями и разрешёнными зонами
4.5. Нелинейные эффекты гистерезисного типа, обусловленные перезарядкой глубокоуровневых центров в запрещённой зоне полупроводников А2шСзУ
Выводы по четвёртой главе
Глава 5. Диффузионно-кинетические процессы в гетерогенных системах АШВУ-А2ШС3У
5.1. Описание диффузии атомов в твердотельной среде с ограниченной концентрацией стохастически распределённых равновесных

положений с помощью интегро-дифференциального уравнения диффузии
5.2. Сегрегация атомов в гетерофазных системах AIUBV - A2II[C3VI в реакции термостимулированного гетеровалентного замещения
5.3. Модель диффузии атомов в двухуровневой энергетической системе равновесных положений фазы A2niC3vl
5.4. Начальная стадия роста плёнок А2П|СзУ1 на подложках АШВУ в процессе гетеровалентного замещения
5.5. Зародышеобразование фазы A2mC3vl и кинетика роста уединённого зародыша фазы А2шСзУ1 на поверхности А1ИВУ в процессе формирования гетероструктур AmBv-A2I1!C3vl методом термостимулированного гетеровалентного замещения
Выводы по пятой главе
Глава 6. Эволюция концентрационных профилей компонентов в гетероструктурах AHIBV—А2шСзУ1, полученных методом гетеровалентного замещения на стадии планарного роста
6.1. Физическая модель стадии планарного роста слоя А2ШС3У| на поверхности кристалла АШВУ
6.2. Математическая модель стадии формирования сплошного слоя A2lnC3VI на подложке АШВУ
6.3. Самоорганизация концентрационных профилей компонентов планарных гетероструктур AmBv-A2mC3VI
6.4. Квазиравновесная доставка в зону реакции и квазистационарная диффузия халькогена
Выводы по шестой главе
Заключение
Основные результаты и выводы
Литература

девиации ёмкости от исходного значения. Малые изменения ёмкости (10‘5 пф) и, соответствующие ей изменения толщины образца, регистрировались на установке, описанной в работе [126]. Фазосдвигающий контур подключался к частотному детектору. Частотозадающий и фазосдвигающий контуры настраивались на одну частоту. Изменение измеряемой ёмкости приводит к девиации частоты фазосдвигающего контура относительно частоты зондирующего высокочастотного (ВЧ) сигнала. На выходе схемы появляется низкочастотный (НЧ), анализируемый электрический сигнал, изменяющийся по тому же закону, что и измеряемая ёмкость.
Измерения методом АСМ проводились с использованием двухпроходной методики и пакета программ, прилагаемым к мультимикроскопу. Одновременно с построением изображения пространственного рельефа поверхности (рис.2) во время первого прохода строилось изображение её фазового контраста,
Line: 151 1508nm
Рис. 2. ACM исследования поверхности In As после ХДП
представляющего собой распределение по поверхности подложки изменения фазы колебаний, обусловленные различными свойствами участков поверхности. Одинаковое изменение фазы характеризуется одной (одинаковой) тональностью цвета, что даёт картину пространственного распределения физических свойств поверхности подложки InAs. При следующем проходе кантилевера (NSG10/W2C) измерялось распределение потенциала по поверхности на заданном расстоянии иглы над поверхностью на переменном сигнале резонансной частоты между зондом и поверхностью образца.