Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки
- Автор:
Мозжерин, Александр Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Иркутск
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки», автор — Мозжерин, Александр Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Иркутск в 2014 году. Объем работы: 134 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006769338. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности атомной и электронной структур, состава и морфологии медьсодержащих нанокомпозитов с кремниевой и органической матрицами | Фуник, Антон Олегович | 2017 |
| Динамика процессов разрядки ловушечных центров в кремнии, легированном фосфором и золотом, и высокофоточувствительных фоторефрактивных соединениях со структурой силленита | Чмырев, Виктор Иванович | 2006 |
| Термодинамические и динамические свойства металлов и сплавов в методе модельного функционала электронной плотности | Кадыров, Руслан Илович | 1999 |