Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки
- Автор:
Мозжерин, Александр Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Иркутск
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Вертикальное и латеральное туннелирование в двумерных электронных системах и структурах на их основе | Девятов, Эдуард Валентинович | 2000 |
| Закономерности формирования структуры и свойств в сплаве FeNi при мегапластической деформации кручением под высоким квазигидростатическим давлением | Томчук, Александр Александрович | 2017 |
| Особенности дрейфа электронно-дырочной плазмы в твердотельных магниточувствительных элементах | Жебрюнайте, Вида-Мария Прановна | 1984 |