Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки
- Автор:
Мозжерин, Александр Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Иркутск
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки», автор — Мозжерин, Александр Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Иркутск в 2014 году. Объем работы: 134 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006769338. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Катодолюминесценция широкозонных материалов и наногетероструктур на их основе | Заморянская, Мария Владимировна | 2012 |
| Электронная энергетическая структура макромолекул, содержащих атомы переходных металлов | Макарова, Анна Алексеевна | 2014 |
| Распределение элементов отложений на оболочках ТВЭЛОВ ядерных реакторов с водным теплоносителем после эксплуатации | Смирнова, Ирина Михайловна | 2011 |