Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки
- Автор:
Мозжерин, Александр Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Иркутск
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Теплофизические свойства кристаллов AxA'1-xLIMO4 (M=S, Cr) при структурных фазовых переходах | Карташев, Андрей Васильевич | 2006 |
| Гиперболические экситоны в полупроводниках | Кончаков, Роман Анатольевич | 2003 |
| Закономерности процессов двойникования, обусловленные дефектной структурой, сформированной механико-термическим воздействием, на примере технически чистого титана | Никулин, Иван Сергеевич | 2010 |