Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки
- Автор:
Мозжерин, Александр Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Иркутск
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение тонких пленок легированных манганитов лантана методом магнетронного распыления. Их структурные и транспортные свойства | Шматок, Александр Викторович | 2001 |
| Структурная эволюция допированных оксидных стекол под действием ионизирующей радиации | Мальчукова Евгения Валерьевна | 2015 |
| Моделирование структурной перестройки ГЦК кристалла при деформации | Овчаров, Андрей Александрович | 1998 |