Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения
- Автор:
Ермаков, Виктор Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Обнинск
- Количество страниц:
183 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Люминесцентные свойства примесных поверхностных состояний ионно-ковалентных кристаллов | Кустов, Андрей Игоревич | 1999 |
| Моделирование процесса конденсации инертных газов на поверхности графита и определение плотности потока радона и тепловых нейтронов | Камарзаев, Ахмед Валерьевич | 2011 |
| Оптически активные никелевые центры в алмазах: спектроскопия, строение, взаимная трансформация, пространственное распределение | Елисеев, Александр Павлович | 2009 |