Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения

• Автор: Ермаков, Виктор Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2014
• Место защиты: Обнинск
• Количество страниц: 183 с. : ил.

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
1 ВЛИЯНИЕ РАЗЛИЧНОГО ВИДА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА РАДИАЦИОННО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN. ЯДЕРНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)
1.1 Радиационные дефекты в облученном нитриде галлия
1.2 Ядерное легирование полупроводников
2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2 Л Методика измерения электрофизических свойств эпитаксиальных слоев
нитрида галлия
2 Л Л Цель измерений
2Л .2 Сущность метода измерений
2Л .3 Оцениваемые характеристики и нормы для показателей точности
2.1.4 Операции подготовки к измерениям
2.1.5 Порядок проведения измерения удельного электрического сопротивления, подвижности и концентрации основных носителей заряда на установке «HMS-ЗООО»
2.2 Измерение удельного электрического сопротивления высокоомных образцов GaN двухконтактным методом с помощью электрометра
2.3 Методика измерения структурных свойств эпитаксиальных слоев нитрида галлия
2.3.1 Оптическая схема дифрактометра D8 Discover
2.3.2 Описание программы обработки измерений Eva
2.3.3 Проведение рентгенографических съемок

2.4 Методика измерения емкостных параметров и спектров глубоких уровней эпмтаксиальных слоев нитрида галлия
2.4.1 Общее описание прибора
2.4.2 Краткое описание модулей
2.4:3 Главное окно программы
2.4.4 Основные характеристики емкостного (БЬТЬ) спектрометра
3 ПРОВЕДЕНИЕ РАСЧЕТА КОЛИЧЕСТВА ПЕРВИЧНЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ И ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ, ОБРАЗУЮЩИХСЯ В ваИ (АЮаИ, 1пСаЫ) ПРИ ОБЛУЧЕНИИ В РЕАКТОРЕ ВВР-ц
3.1 Быстрые нейтроны
3.2 Тепловые нейтроны
3.3 Гамма-излучение реактора
3.4 Полное число смещенных атомов
4 ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ПОСЛЕ ОБЛУЧЕНИЯ РЕАКТОРНЫМИ НЕЙТРОНАМИ И ПОСЛЕДУЮЩИХ
ТЕРМООБРАБОТОК
4.1 п-СаИ
4.2 р-ЦаИ
5 ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ п-ваЫ, ОБЛУЧЕННЫХ РЕАКТОРНЫМИ НЕЙТРОНАМИ И ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ

5.1 Рентгенодифракционные исследования эпитаксиальных слоев п-Оа14, облученных различным спектром реакторных нейтронов
5.2 Анализ микроструктуры и состава поверхности эпитаксиальных слоев и-ОаР!, облученных быстрыми реакторными нейтронами и
высокоэнергетичными электронами
6 ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ РЕАКТОРНЫМИ НЕЙТРОНАМИ И ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
6.1 н-ОаИ
6.2 р-ОаИ
7 ЭЛЕМЕНТЫ ТЕХНОЛОГИИ
7.1 Характеристики исходного сырья
7.2 Подготовка образцов к облучению
7.3 Облучение образцов в реакторе ВВР-ц
7.4 Подготовка облученных образцов к отжигу
7.5 Отжиг
7.6 Измерение электрофизических параметров
7.7 Техника безопасности
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список используемых источников

2.1.2.1 Структурная схема измерительной установки представлена на рисунке 2.2.
Рисунок 2.2 - Структурная схема установки: 1 - магнит; 2 - источник постоянного тока; 3 -измерительный прибор; 4 — коммутирующее устройство; 5 - образец.
Основная относительная погрешность установки не должна превышать при измерении удельного электрического сопротивления ±5 %, коэффициента Холла ± 8 % при контроле образцов с р < 10б Ом-см.
2.1.2.2 Технические требования к элементам структурной схемы
Магнит, обеспечивающий создание магнитных полей изменяемой полярности. Требования к техническим характеристикам магнита в зависимости от измеряемых параметров материала приведены в таблице 2.1.
Таблица 2.1 Технические характеристики магнита.
Параметр материала Технические характеристики
Верхний предел подвижности основных носителей заряда |т, см2-В''с' Верхний предел магнитной индукции в зазоре магнита В, Тл Допустимая неоднородность магнитного поля в области измерения, %(±)
З-Ю3 1,0
7-103 0,7
8-104 0,5