Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения
- Автор:
Ермаков, Виктор Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Обнинск
- Количество страниц:
183 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения», автор — Ермаков, Виктор Сергеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Обнинск в 2014 году. Объем работы: 183 с. : ил.. Внутренний код товара: 01007849472. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фазовый состав, структура и субструктура гетеросистем кремний - силициды иридия и рения | Руднева, Ирина Геннадьевна | 2003 |
| Микроволновое исследование сверхпроводящих когерентных систем и квантовых метаматериалов | Шульга, Кирилл Владимирович | 2017 |
| Свойства отдельных элементов структуры поликристалла и их влияние на механизм межзеренного разрушения в сплавах вольфрама, молибдена и ниобия | Подрезов, Юрий Николаевич | 1984 |