Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения
- Автор:
Ермаков, Виктор Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Обнинск
- Количество страниц:
183 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Спектр спиновых и упругих волн в периодических мультислойных структурах | Лалетин, Олег Николаевич | 2007 |
| О роли примесей в формировании электронных свойств и пиннинга дислокаций в кремнии | Бадылевич, Михаил Владимирович | 2005 |
| Электронная микроскопия композиций на основе тонких пленок для микроэлектроники | Хмеленин, Дмитрий Николаевич | 2013 |