Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения
- Автор:
Ермаков, Виктор Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Обнинск
- Количество страниц:
183 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения», автор — Ермаков, Виктор Сергеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Обнинск в 2014 году. Объем работы: 183 с. : ил.. Внутренний код товара: 01007849472. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрические эффекты высших порядков в области структурных фазовых переходов в сегнетоэлектриках | Гладкий, Всеволод Владимирович | 1984 |
| Внутренние напряжения в углеродных конденсатах, формируемых импульсным вакуумно-дуговым методом | Галкина, Марина Евгеньевна | 2005 |
| Электронный транспорт в проводниках вблизи границы устойчивости металлического состояния | Бурков, Александр Трофимович | 2007 |