Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения
- Автор:
Ермаков, Виктор Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Обнинск
- Количество страниц:
183 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование кластеров гелия и водорода методом дифракции частиц на нанорешетках | Корнилов, Олег Александрович | 2004 |
| Особенности распространения температурной волны в твердом теле | Шишков Глеб Сергеевич | 2020 |
| Исследование атомной структуры аморфного Ni и структурных превращений, сопровождающих его кристаллизацию | Краснов, Владимир Юрьевич | 2009 |