Влияние излучения оптического диапазона на низко- и инфранизкочастотный диэлектрический отклик монокристалла-релаксора SBN-75

• Автор: Гужаковская, Кристина Петровна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2014
• Место защиты: Волгоград
• Количество страниц: 158 с. : ил.

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НИОБАТА БАРИЯ-СТРОНЦИЯ КАК ПРЕДСТАВИТЕЛЯ КИСЛОРОДНО-ОКТАЭДРИЧЕСКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ. РЕЛАКСОРНОЕ СОСТОЯНИЕ. МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ
1.1. Микроструктурные исследования
1.2. ЭВИ как сегнетоэлектрик, обладающий релаксорными свойствами
1.2.1. Сегнетоэлектрические свойства
1.2.2. Термическое расширение 8ВИ
1.2.3. Влияние легирования на свойства БВИ
1.2.4. Диэлектрические свойства в сильных полях
1.2.5. Доменная структура БВИ
1.2.6. Оптические свойства
1.2.7. Фоторефрактивные и фотоэлектрические свойства
1.3. Основные модели, описывающие поведение физических свойств в релаксорах
1.3.1. Модель флуктуации состава (Исупова В.А. - Смоленского Г.А.).
1.3.2. Модель суперпараэлектрического состояния
1.3.3. Стекольный характер поведения поляризации
1.3.4. Модель локализации зарядов на дефектных уровнях
Выводы
ГЛАВА 2. ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ АППАРАТУРА И МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ
2.1. Экспериментальные установки для исследования диэлектрического отклика образцов
2.2. Режимы измерений
2.3. Образцы
ГЛАВА 3. ОСОБЕННОСТИ НИЗКО- И ИНФРАНИЗКОЧАСТОТНОГО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОТКЛИКА МОНОКРИСТАЛЛА БВ]Ч-75 + Сг В СЛАБЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ПОЛЯХ

3.1. Частотно-температурные зависимости диэлектрической проницаемости е'(у,Т) и диэлектрических потерь £"(У,Т)
3.2. Частотные зависимости диэлектрической проницаемости е'(у) и диэлектрических потерь е"(у)
3.3. Проверка выполнимости закона Кюри-Вейсса и квадратичной зависимости для диэлектрического отклика материалов 8ВИ-75 и 8В1Ч-75 + Сг
3.4. Влияние освещения на характер диэлектрического отклика в монокристалле 8ВИ-75 + Сг
3.4.1. Температурные зависимости е'(Т) и е"(Т) при воздействии освещения.
3.4.2. Поведение кинетики диэлектрической проницаемости при освещении.
3.4.3. Сравнение поведения кинетики диэлектрической проницаемости и фототока в 8В1Ч-75 + Сг
3.4.4. Влияние освещения на процессы диэлектрического старения материала 8ВИ-75 + Сг
3.5. Выводы
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ОСВЕЩЕНИЯ НА ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ И ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В 8ВИ-75 + Сг
4.1. Петли диэлектрического гистерезиса
4.2. Температурно-амплитудные зависимости эффективной диэлектрической проницаемости е’Эфф(Т, Е)
4.3. Дифференциальная диэлектрическая проницаемость
4.4. Влияние освещения на поведение реверсивных зависимостей монокристалла 8В1Ч-75 + Сг
4.5. Влияние старения на характер реверсивных зависимостей в условиях воздействия освещения на образец
4.6. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Принципиальная электрическая схема моста инфранизкой частоты
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Принципиальные схемы составных блоков модифицированной
схемы Сойера-Тауэра
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. Принципиальная электрическая схема термостабилизатора.
доменная плотность Б (г), всегда наблюдается у отрицательного электрода. Такое распределение П(х) обусловлено возникновением доменов у отрицательного электрода в широком интервале полей Е>Ес. Координатная зависимость электрооптических коэффициентов и их деградация при повторном приложении поля являются, по мнению авторов, основными причинами их невоспроизводимости.
В работе [57] электрооптические коэффициенты были измерены в кристаллическом оптическом волокне 8ВИ в микроволновом частотном диапазоне (0.2-1.8ГГц). Этот метод в значительной степени устраняет действие пространственного заряда при частоте приложенного поля в микроволновой области и за ее пределами. Значение электрооптического коэффициента для монокристалла 8В1М-61 г3з ~ 200 рт/У на частоте 10 ГГц. При этом данное значение меньше, чем измеренное на низких частотах, где содержится вторичное распределение и возможно другое внешнее влияние. В этом методе не требуется покрытие поверхности образца электродами и имеется возможность проводить измерения коэффициентов на других более высоких частотах.
Согласно [58] полуволновое напряжение в 45°-ной пластине 8г0 7В0 зМЬ?Об при комнатной температуре составляет ~ 1кВ, такое высокое значение определяется сильными нелинейными поляризационными характеристиками кристалла. При увеличении температуры его значение уменьшается, при 55°С достигает минимума 100 В.
Помимо линейного в кристаллах БВЫ существует достаточно сильный квадратичный электрооптический эффект [58, 59, 60], который возникает немного ниже температуры фазового перехода (ФП) и существует вплоть до температур, существенно превышающих ФП, когда материал находится в неполярной фазе.
Линейный электрооптический эффект зависит от направления спонтанной поляризации, поэтому в полидоменном кристалле может иметь место только квадратичный эффект, при этом остаточная поляризация связана с неравнозначными размерами доменов, либо число их невелико [58].