Спектроскопия фотоотражения полупроводниковых структур на основе арсенида галлия и фосфида индия
- Автор:
Боков, Павел Юрьевич
- Шифр специальности:
01.04.05
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
132 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Взаимодействие собственных и примесных дефектов в люминесцентных полупроводниковых материалах на основе халькогенидов цинка | Лепнев, Леонид Сергеевич | 2002 |
| Исследование перестроечных характеристик непрерывного иттербиевого волоконного лазера с внутрирезонаторным удвоением частоты в кристалле КТР | Акулов, Владимир Александрович | 2013 |
| Расчет многопорядковых дифракционных оптических элементов на основе нелинейного преобразования фазы и оптимизации фазового микрорельефа | Досколович, Леонид Леонидович | 2001 |