Функциональные оптические и электрические свойства фоторезисторных структур

• Автор: Беглов, Владимир Иванович
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Саранск
• Количество страниц: 130 с. : ил.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Функциональные возможности фоторезисторных структур и их использование в оптоэлектронике
1.2. Особенности прохождения переменного тока в фоторези-
* сторных структурах
1.3. Рекомбинация неравновесных носителей заряда
в фоторезисторных структурах
1.4. Электрические свойства электролюминесцентного конденсатора. Оптическая память в МДПДМ структурах
1.5. Методы исследования параметров кинетики рекомбинации носителей заряда в фоторезисторных структурах
ГЛАВА II. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ
2.1. Установка для исследования оптических и электри-ь} ческих свойств фоторезисторных структур
2.2. Особенности изготовления электролюминес-центных структур

2.3. Методика исследования порошковых люминофоров
методом термостимулированной емкости
2.4 Технология изготовления устройств оптической памяти.
Методики исследований явлений оптической памяти
2.5 Описание устройств на основе функциональных свойств резисторных оптопар и методика их исследования
ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ, ОПТИЧЕСКИХ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ФОТОРЕЗИСТИВНЫХ СТРУКТУР
3.1. Функциональные возможности идеального фоторезистора питаемого переменным напряжением
3.2. Влияние кинетики межзонной рекомбинации на нелинейные искажения, вносимые фоторезистивной структурой, в регистрируемый нестационарный оптический сигнал
3.3. Фурье - анализ оптических сигналов модулированных по интенсивности фоторезистивной структурой, питаемой переменным напряжением

Ц- 3.4. Определение параметров кинетики фоторезистора
при нестационарном оптическом возбуждении
ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ НЕЛИНЕЙНЫХ ИСКАЖЕНИЙ, ВНОСИМЫХ ФОТОРЕЗИСТОРОМ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ, В РЕГИСТРИРУЕМЫЙ НЕСТАЦИОНАРНЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ СИГНАЛ
4.1 Исследование фоторезистивных структур с глубокими
уровнями при нестационарном освещении
4.2 Исследование явления оптической памяти
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

напряжения приводит к увеличению коэффициента нелинейных искажений, так как сдвиг фазы в такой цепи записывается в виде:#? = 2аг^(соЬа), где а - проводимость транзистора, нелинейно зависящая от модулирующего сигнала, со - частота входного высокочастотного напряжения, Ь — индуктивность, входящая в схему. При глубине модуляции сопротивления полевого транзистора тк = АЛ/ Яср =0,6 коэффициент нелинейных
искажений К=1,5%, где ЛЯ - отклонение величины сопротивления транзистора от среднего значения сопротивления транзистора — Яср. Целью настоящего изобретения является снижение коэффициента нелинейных искажений фазового модулятора на основе КІХ - делителя и обеспечение повышенной скрытности источника сообщения. Поставленная цель достигается тем, что в качестве управляемого сопротивления фазового модулятора на основе ИIX - делителя используется фоторезистор, сопротивлением которого управляет источник света, оптический сигнал с которого попадает на фоторезистор с помощью световода. Управляющий сигнал при этом подается на источник света. На рис.2.5.2 представлена схема фазового модулятора на основе ЫХ - делителя с фоторезистором в качестве управляемого сопротивления.
Рис. 2.5.2. Фазовый модулятор на основе резисторного оптрона.
1 - емкость, 2 - индуктивность, 3 - управляемое сопротивление (фоторезистор), 4 - источник света управляемый сигналом сообщения, 5 -световод.