Фотолиз нанокристаллов галогенидов серебра при импульсном лазерном возбуждении

• Автор: Михайлов, Виктор Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 172 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ:

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1.ФОТОЛИЗ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА И МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР СКРЫТОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ

1.2.КИНЕТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДОВ И ПРОЦЕССЫ КОНЦЕНТРИРОВАНИЯ

1.3.Особенности фотолиза при импульсном лазерном возбуждении

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОДУКТОВ ФОТОЛИЗА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИМПУЛЬСАМИ АКТИНИЧНОГО И НЕАКТИНИЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЙ

2.1 Фотографические методы исследования

2.2 Метод флеш-фотолиза

2.3 Люминесцентный метод

2.4 Метод дефотолиза

2.5 Светочувствительные композиции галогенидов серебра
ГЛАВА 3. ФОРМИРОВАНИЕ ФОТОЛИТИЧЕСКИХ КЛАСТЕРОВ В НАНОКРИСТАЛЛАХ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ АКТИНИЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
3.1 Влияние длительности экспонирования на светочувствительность нанокристаллов галогенидов серебра
3.2 Влияние условий синтеза нанокристаллов галогенидов серебра
3.3 Влияние условий гиперсенсибилизации и оптической ЛАТЕНСИФИКАЦИИ
3.4 Оптическое детектирование процессов образования свободных НОСИТЕЛЕЙ МЕТОДОМ ФЛЕШ-ФОТОЛИЗА
3.5 ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА
3.6 Регрессия скрытого фотографического изображения
3.7 Оптимизация процессов химико-фотографической обработки при записи голограмм
3.8 Влияние длительности экспонирования на дифракционную эффективность и фазовый набег при записи голограмм
ГЛАВА 4. ФОРМИРОВАНИЕ ФОТОЛИТИЧЕСКИХ КЛАСТЕРОВ В НАНОКРИСТАЛЛАХ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НЕАКТИНИЧНОГО ДЛИННОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
4.1 Влияние длительности экспонирования на светочувствительность нанокристаллов галогенидов серебра

4.2 Влияние оптической латенсификации
4.3 Влияние акцепторов носителей заряда
ГЛАВА 5. ФОРМИРОВАНИЕ ФОТОЛИТИЧЕСКИХ КЛАСТЕРОВ В НАНОКРИСТАЛЛАХ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА ПРИ СОВМЕСТНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ АКТИНИЧНОГО И НЕАКТИНИЧНОГО ДЛИННОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
5.1 Влияние длительности экспонирования при одновременном
ВОЗДЕЙСТВИИ АКТИНИЧНОГО И НЕАКТИНИЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЙ
5.2 Зависимость эффективности дефотолиза от интенсивности
АКТИНИЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
5.3 Зависимость эффективности дефотолиза от временной задержки
НЕАКТИНИЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ОТНОСИТЕЛЬНО АКТИНИЧНОГО
5.4 Зависимость эффективности дефотолиза от длины волны
НЕАКТИНИЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
5.5 Влияние условий синтеза и размеров микрокристаллов
5.6 Влияние акцепторов носителей заряда
5.7 Запись голограмм при одновременном воздействии актиничного
И НЕАКТИНИЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЙ
ГЛАВА 6. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
ФОТОЛИТИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ РАЗНОЧАСТОТНЫМИ ИМПУЛЬСАМИ СВЕТА
6.1 Обсуждение экспериментальных результатов
6.2 Компьютерное моделирование фотолитических процессов при ВОЗБУЖДЕНИИ РАЗНОЧАСТОТНЫМИ импульсами света
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
AgHal - галогениды серебра
МК - микрокристалл
УФ - ультрафиолетовое излучение
ИК - инфракрасное излучение
АИ - актиничное излучение
НАИ - неактиничное излучение
СИ - скрытое изображение
ЦСИ - центры скрытого изображения
ЦП — центры проявления
НВЗ - невзаимозаместимость
е— плотность энергии излучения
О - плотность проявленного почернения
О0 — плотность проявленной вуали
ДЭ - дифракционная эффективность
Рр - степень регрессии скрытого изображения
£ - степень дефотолиза
ДЕё - ширина запрещенной зоны
ДЕ - глубина ловушки захвата
X - длина волны излучения
Ьу - энергия кванта излучения т - время жизни свободных носителей заряда аАи - сечение поглощения актиничного излучения
Онли - сечение поглощения неактиничного излучения
ар - сечение рекомбинации
кр - константа скорости рекомбинации
усиление («достраивание») скрытого изображения, созданного ранее импульсным АИ и не приводит к созданию «нового» скрытого изображения, которое могло бы в дальнейшем конкурировать со «старым» (созданным при первом экспонировании) в процессе проявления. Результаты исследований по оптической латенсификации подробно изложены в Главе 3 (раздел 3.4).
2.2 Метод флеш-фотолиза.
Метод флеш-фотолиза заключается в изучении поглощения, появившегося в образце фотоматериала под действием экспонирования («наведенного» поглощения ДЭ, см. Рис. 5). Исследования временной динамики наведенного поглощения проводились на пикосекундном лазерном спектрометре, описанном в работе [114]. Длительность импульсов возбуждения составляла не более 5 пс на длине волны второй гармоники излучения неодимового лазера на стекле (528 нм) при частоте следования импульсов 1 Гц. Интервал задержек зондирующего пикосекундного континуума относительно
Лазер
3! Зз
1=5 пс, Х=528 нм 1=150 фс,Х=390 нм 1=3 фс, Х=355 нм
Возбуждение
Г Измерение
// 400... 1000 нм
и Л2
Образец
Ті // т2
ДВ=-1о§(Т1/Т2)
■''' ПЗС-матрица
Рис. 5 Принципиальная оптическая схема метода флеш-фотолиза