Свойства атомов и малоатомных кластеров серебра, адсорбированных на поверхности хлорида серебра

• Автор: Охотников, Сергей Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 187 с. : ил.

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
ГЛАВА I. АДСОРБЦИЯ ИОНОВ И АТОМОВ МЕТАЛЛА НА
ПОВЕРХНОСТИ ИОННО-КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛОВ
1Л Теоретические исследования свойств частиц адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов
1.2 Экспериментальные подходы к исследованию частиц адсорбированных на поверхности ионно-ковалентных кристаллов
1.3 Кинетическая модель фотостимулированного преобразования адсорбированных ионов и атомов металла на поверхности ионно-ковалентного кристалла
1.4 Кинетическая модель образования малоатомных кластеров
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ АППАРАТУРА И МЕТОДИКИ
ИССЛЕДОВАНИЙ
2.1 Метод фотостимулированной вспышки люминесценции
2.1.1 Механизм фотостимулированной вспышки люминесценции
2.1.2 Обоснование метода фотостимулированной вспышки люминесценции
•9 2.1.3. Автоматический спектральный комплекс для измерения
стационарной люминесценции и параметров фотостимулированной
вспышки люминесценции
2.1.4 Условия измерения параметров ФСВЛ
2.2 Методика адсорбции ионов и кластеров Меп+ (п=1..4) в вакууме с применением техники масс-спектрометрического напыления
2.3 Экспериментальный комплекс для получения и напыления
кластерных ионов благородных металлов в вакууме
2.3.1 Требования, предъявляемые к масс-спектрометрическим

системам
2.3.2 Расчет ионно-оптических систем извлечения, ускорения и траспортировки ионов металла
2.3.3 Устройство масс-спектрометрического напыления ионов
2.3.4 Источник ионов и кластеров Ме„+
2.3.5 Система разделения ионного пучка по массам
2.3.6 Система торможения и фокусировки ионов
ГЛАВА 3. ОПТИЧЕСКИЕ И ТЕРМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АТОМОВ
СЕРЕБРА, АДСОРБИРОВАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ ^ КРИСТАЛЛОВ ХЛОРИСТОГО СЕРЕБРА
3.1 Основные особенности формирования адсорбированных атомов серебра
3.2 Спектр ионизации адсорбированных атомов серебра на поверхности кристаллов хлорристого серебра
3.3 Термоактивированное образование адсорбированных на поверхности микро- и монокристаллов AgCl атомов серебра
3.4 Исследование термической устойчивости атомов серебра, адсорбированных на поверхности микрокристаллов AgCl
3.5 Исследование термической устойчивости атомов серебра, адсорбированных на поверхности монокристаллов AgCl
ГЛАВА 4. ОПТИЧЕСКИЕ И ТЕРМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АТОМОВ СЕРЕБРА, НАНЕСЕННЫХ НА ПОВЕРХНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ ХЛОРИСТОГО СЕРЕБРА МЕТОДОМ НАПЫЛЕНИЯ В ВАКУУМЕ
4.1 Адсорбция одиночных ионов серебра Ад+ на поверхность монокристаллов AgCl
4.2 Спектр оптической ионизации адсорбированных атомов серебра

4.3 Термические свойства адсорбированных на поверхности монокристаллов AgCl атомов серебра
ГЛАВА 5. СПЕКТРАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА МАЛОАТОМНЫХ КЛАСТЕРОВ СЕРЕБРА, АДСОРБИРОВАННЫХ НА КРИСТАЛЛАХ А§С1
5.1 Адсорбция кластерных ионов А§2+ серебра на поверхность монокристаллов AgCl
5.2 Исследование стадии димеризации в низкотемпературном фотохимическом процессе на поверхности монокристаллов хлорида
^ серебра
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

становится стационарным, не меняющимся по интенсивности. При этом часть электронов и дырок оказываются локализованными на соответствующих ловушках. В случае хлорида серебра мы рассмотрим случай, когда люминесценция возникает за счет рекомбинации свободных электронов с локализованными на центрах свечения дырками (механизм Шена-Класенса [111]). На рис. 2.1 представлена схема возникновения такого свечения. Действие на кристалл ИК света определенной энергии приводит к освобождению электронов с соответствующих уровней и последующей их рекомбинацией на центрах свечения, что вызывает увеличение интенсивности люминесценции, которое быстро затухает (рис.2.2а). Это явление возможно лишь при определенном соотношении параметров (вероятности оптических переходов между зоной проводимости кристалла и локальными состояниями, концентрации примесей и т.п.). Поэтому, вспышка во время стационарной люминесценции может вообще не наблюдаться (рис. 2.2а - пунктир) [132].
Вспышка может возникать и после прекращения возбуждения люминесценции и полного ее затухания. Некоторое время кристалл находится в возбужденном состоянии, так как часть электронов на глубоких уровнях будут локализованы и не прорекомбинируют с дырками.
Если в таком состоянии облучить кристалл инфракрасным светом, эти электроны окажутся свободными и смогут прорекомбинировать с дырками, локализованными на центрах свечения. Это приведет также к возникновению вспышки (рис. 2.26) В этом случае стимулированное излучение (вспышка) будет наблюдаться практически всегда. Ее наблюдению основное свечение мешать не будет, а отношение «сигнал-шум» при этом значительно повышается. Поэтому использование для изучения примесных состояний такого варианта ФСВЛ приводит к повышению чувствительности метода.