Получение и исследование фото- и электролюминесцентных свойств оксидных люминофоров в системе [(Ca,Mg)O×(Al,Ga)2O3×SiO2]:Eu

• Автор: Терентьев, Михаил Александрович
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Ульяновск
• Количество страниц: 166 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
1. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА СОВРЕМЕННЫХ НЕОРГАНИЧЕСКИХ
ЛЮМИНОФОРОВ
1Л. Классификация люминофоров и основные направления их развития
1.2 Получение и исследование новых неорганических люминофоров
1.2.1 Фотолюминофоры для преобразователей излучения светоизлучающих диодов на основе хлоросиликатов щелочноземельных элементов
1.2.2 Фото- и катодолюминофоры на основе боратов щелочноземельных элементов
1.2.3 Фотолюминофоры на основе алюминатов и силикатов щелочноземельных элементов
1.2.4 Фото- и катодолюминофор белого цвета свечения на основе Са1п204:Еи3+
1.3. Выводы, постановка задачи
2. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ЛЮМИНОФОРОВ
2.1. Методика синтеза неорганических люминофоров
2.2. Методика исследования спектров фотолюминесценции
2.3 Измерительная установка для исследования спектров пропускания
2.4. Исследование спектров электролюминесценции
2.5. Выводы
3. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ОКСИДНЫХ ЛЮМИНОФОРОВ В СИСТЕМЕ [(Са,Ме)0’(А1,Оа)2Оз’8Ю2]:Еи
3.1 Изучение влияния условий отжига на фотолюминесцентные свойства составов в системе [Са0А1203 8Ю2]:Еи
3.2 Оптимизация составов люминофоров в системе [Са0 А1203 8Ю2]:Еи и изучение влияния добавки В203 на их свойства

3.3 Люминофоры системы [Са0А1203 8Ю2]:Еи для преобразователей фиолетового/ультрафиолетового излучения светодиодов
3.4. Получение и исследование фотолюминофоров системы
[1УО А1203 БЮг] :Еи
3.5. Получение и исследование фото- и электро- люминофоров системы [М§0Са203 8Ю2]:Еи
3.6. Выводы
4. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО ИЗЛУЧАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ ЛЮМИНОФОРА МёСа204:Еи
4.1. Получение тонкопленочного излучателя
4.2. Определение тока, заряда и электрического поля в тонкопленочных электролюминесцентнтных излучателях
4.3. Исследование спектров пропускания и элеткролюминесценции тонкопленочного электролюминесцентного излучателя
4.4. Исследование электрофизических характеристик тонкопленочного электролюминесцентного излучателя
4.5. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
ТП - тонкопленочный
ЭЛ - электролюминесцентный, электролюминесценция ЭЛИ - электролюминесцентный излучатель ЭЛТ - электронно-лучевая трубка РЗЭ - редкоземельный элемент
МДПМ - металл-диэлектрик-полупроводник- металл
МДПДМ - металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл
ВЯХ - вольт-яркостная характеристика
ВАХ - вольт-амперная характеристика
ВФХ - вольт-фарадная характеристика
СИД - светоизлучающий диод
ПЭВМ - персональная электронно-вычислительная машина ФЭУ - фотоэлектронный умножитель ФЛ - фотолюминесценция КЛ - катодолюминесценция
ОДС - отрицательное дифференциальное сопротивление ОДП - отрицательная дифференциальная проводимость УФ - ультрафиолетовый ИК - инфракрасный

В работе авторы [35] переходят к системе хлороборатов М2В509С1:Еи (М=Са, 8г, Ва) с различными щелочноземельными элементами. Тонкая пленка М2В509С1:Еи (М=Са, Бг, Ва) (2% ат. Ей) формировалась методом спрей-пиролиза из водных растворов, содержащих МС12, Н3ВО3 и Еи(ООССН3)3, при этом для компенсации испарения комаонент Н3В03 добавлялся с небольшим избытком. Средняя толщина получившейся пленки составляла 1,2мкм. После осаждения пленка отжигалась при 800°С в течение 2-х минут на воздухе. Подробные измерения спектров КЛ и ФЛ также проведены в работах [29, 30], упомянутых выше.

7 200 ОТ,
5 150

(а) Ей’* Ей51 3000 (ь)
А Г; т
ВагВ,0,а:Еи|! 2000 : ]
8тДО,С1: Ей |! ! / 1 N
Са.В.ОО: Ей 1 ! 1/ / ВагВ5о,а: Ей
! ! 1000 п/ \ вгдо.аЕи
V... л ;Д Л . *»/ 1/ \ Са2В50,С1: Ей
II/ ДЛ.Д
1 1 1 0

Л/ауе1епди1 (пт)

У'/ауе1епди1 (пт)

Рис. 1.13 Спектры катодолюминесценции тонких пленок М2В509С1:Еи (М=Са, Бг, Ва) (2% ат. Ей): (а) - осажденной при 450НС, (Ь) - с последующим отжигом при 800°С в течение 2-х минут на воздухе.
На рис. 1.13 (а) представлен спектр катодолюминесценции тонкой пленки М2В509С1:Еи (М=Са, 8г, Ва) (2% ат. Ей), осажденной при 450°С. Напряжение возбуждения составляло 5кВ, плотность тока на образце, при токе луча 0,5мА, составляла 62 мкА/см . На спектре катодолюминесценции наблюдаются пики излучения как ионов Еи2+, так и Еи3+. Пики перехода в ионе Еи2+ следуют в порядке Ва>8г>Са. Эти результаты показывают, что количество Еи3+, перешедших в Еи2+ возрастает по мере увеличения ионного радиуса щелочноземельного элемента в матрице-носителе М2В509С1.