Оптические и фотоэлектрические свойства наноразмерных и поликристаллических структур на основе сульфида кадмия

• Автор: Фам Тхи Хаи Мьен
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 133 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ СУЛЬФИДА КАДМИЯ

1.1. Физические и химические свойства сульфида кадмия

1.1.1. Структура решетки и химическая связь

1.1.2. Структурные дефекты. Примеси

1.1.3. Квантово - размерный эффект в нанокристаллах

1.2. Фотолюминесценция сульфида кадмия

1.2.1. Природа центров свечения в кристаллофосфорах на основе СйБ

1.2.2. Оптические свойства нанокристаллов СйБ

1.3. Фотопроводимость пленок сульфида кадмия
1.3.1. Эффект фотопамяти в фотопроводящих слоях СбБ
1.3.2. Ловушки и эффекты прилипания
ГЛАВА 2. ОБРАЗЦЫ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Методика получения образцов
2.1.1. Получение нанокристаллов СйБ
2.1.2. Получение нанокристаллов СйБ, сопряженных с органическими красителями
2.1.3. Получение пиролитических пленок СбБ
2.2. Метод фотостимулированной вспышки люминесценции
2.3. Автоматический спектральный комплекс для люминесцентных измерений
2.4. Установка и методика для измерения кинетики фотопроводимости
2.5. Программа разложения спектров на элементарные составляющие
2.6. Другие методы

ГЛАВА 3. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОКРИСТАЛЛОВ СУЛЬФИДА КАДМИЯ
3.1. Влияние условий синтеза на оптические свойства нанокристаллов Сей
3.2. Спектры поглощения
3.2.1. Проявление квантово - размерного эффекта в спектре поглощения нанокристаллов Сей
3.2.2. Определение размеров нанокристаллов Сей
3.3. Люминесцентные свойства нанокристаллов Сей
3.3.1. Спектры фотолюминесценции нанокристаллов Сей
3.3.2. Физическая модель и диаграмма энергетических уровней центров люминесценции в нанокристаллах Сей
3.4. Спектры фотостимулированной вспышки люминесценции
3.5. Спектры люминесценции в режиме вспышки нано кристаллов Сей
3.6. Люминесценция в микрокристаллах Япо^СсЬ Д с квантовыми точками
(СсЮ)п на поверхности
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 4. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖДУ НАНОКРИСТАЛЛАМИ СУЛЬФИДА КАДМИЯ И ОРГАНИЧЕСКИМИ КРАСИТЕЛЯМИ
4.1. Оптические свойства нанокристаллов СсЙ при взаимодействии с органическими красителями
4.2. Влияние красителей на люминесцентные свойства нанокристаллов

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 5. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПИРОЛИТИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
СУЛЬФИДА КАДМИЯ
5.1. Кинетика релаксации фотовозбужденной проводимости нелегированных пленок Сей
5.2. Кинетика релаксации фотовозбужденной проводимости нелегированных пленок Сс18 при разных временах освещения
5.3. Влияние легирования щелочными металлами на кинетику релаксации фотовозбужденной проводимости пленок Сй
5.4. Моделирование закономерности релаксации фотовозбужденной
проводимости пиролитических пленок Сйв
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

где V - тепловая скорость захватываемых носителей, 8Г и - сечение захвата электронов центрами рекомбинации (находящимися в высокоомной области) и концентрация последних, N(1) - отнесенное к единице поверхности число неравновесных электронов, оставшихся к моменту времени 1 в низкоомном слое и осуществляющих там проводимость.
Полученные выводы полностью применимы и к другой модели неоднородного полупроводника, приводящей к остаточной проводимости (рис. 1.76). Следует лишь учесть, что для толстого низкоомного слоя равновесная толщина истощенного слоя Шоттки в низкоомной области будет
где Р0 - концентрация незаполненных электронами глубоких уровней в высокоомной области.
Как следует из (1.4) и (1.6), наличие барьера для рекомбинации на опыте должно проявиться в изменении скорости релаксации с температурой, при которой идет спадание остаточной проводимости. Если барьер носит коллективный характер, то энергия температурной активации не будет постоянной в процессе спадания и должна возрастать со временем, что является причиной замедляющейся кинетики.
1.3.2. Ловушки и эффекты прилипания.
Основным процессом накопления энергии почти во всех твердых телах является захват ловушками. Это накопление энергии происходит в результате локализации в пространстве возбужденного электрона или дырки. При этом электрон или дырка не могут свободно двигаться в кристалле до тех пор, пока не получат достаточное количество энергии за счет тепловых колебаний или

2££о<Ро
(1.7)